欧美性猛交xxxx免费看_牛牛在线视频国产免费_天堂草原电视剧在线观看免费_国产粉嫩高清在线观看_国产欧美日本亚洲精品一5区

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

元器件的失效機(jī)理有哪些

電子設(shè)計(jì) ? 來(lái)源:電子設(shè)計(jì) ? 作者:電子設(shè)計(jì) ? 2020-11-03 21:45 ? 次閱讀

元件的失效直接受濕度、溫度、電壓、機(jī)械等因素的影響。

1、溫度導(dǎo)致失效:

1.1 環(huán)境溫度是導(dǎo)致元件失效的重要因素。

溫度變化對(duì)半導(dǎo)體器件的影響:構(gòu)成雙極型半導(dǎo)體器件的基本單元 P-N 結(jié)對(duì)溫度的變化很敏感,當(dāng) P-N 結(jié)反向偏置時(shí),由少數(shù)載流子形成的反向漏電流受溫度的變化影響,其關(guān)系為:

式中:ICQ―――溫度 T0C 時(shí)的反向漏電流

ICQR――溫度 TR℃時(shí)的反向漏電流

T-TR――溫度變化的絕對(duì)值

由上式可以看出,溫度每升高 10℃,ICQ 將增加一倍。這將造成晶體管放大器的工作點(diǎn)發(fā)生漂移、晶體管電流放大系數(shù)發(fā)生變化、特性曲線發(fā)生變化,動(dòng)態(tài)范圍變小。

溫度與允許功耗的關(guān)系如下:


式中:PCM―――最大允許功耗

TjM―――最高允許結(jié)溫

T――――使用環(huán)境溫度

RT―――熱阻

由上式可以看出,溫度的升高將使晶體管的最大允許功耗下降。

由于 P-N 結(jié)的正向壓降受溫度的影響較大,所以用 P-N 為基本單元構(gòu)成的雙極型半導(dǎo)體邏輯元件(TTL、HTL 等集成電路)的電壓傳輸特性和抗干擾度也與溫度有密切的關(guān)系。當(dāng)溫度升高時(shí),P-N 結(jié)的正向壓降減小,其開門和關(guān)門電平都將減小,這就使得元件的低電平抗干擾電壓容限隨溫度的升高而變??;高電平抗干擾電壓容限隨溫度的升高而增大,造成輸出電平偏移、波形失真、穩(wěn)態(tài)失調(diào),甚至熱擊穿。

2.1 溫度變化對(duì)電阻的影響

溫度變化對(duì)電阻的影響主要是溫度升高時(shí),電阻的熱噪聲增加,阻值偏離標(biāo)稱值,允許耗散概率下降等。比如,RXT 系列的碳膜電阻在溫度升高到 100℃時(shí),允許的耗散概率僅為標(biāo)稱值的 20%。

但我們也可以利用電阻的這一特性,比如,有經(jīng)過(guò)特殊設(shè)計(jì)的一類電阻:PTC(正溫度系數(shù)熱敏電阻)和 NTC(負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻),它們的阻值受溫度的影響很大。

對(duì)于 PTC,當(dāng)其溫度升高到某一閾值時(shí),其電阻值會(huì)急劇增大。利用這一特性,可將其用在電路板的過(guò)流保護(hù)電路中,當(dāng)由于某種故障造成通過(guò)它的電流增加到其閾值電流后,PTC 的溫度急劇升高,同時(shí),其電阻值變大,限制通過(guò)它的電流,達(dá)到對(duì)電路的保護(hù)。而故障排除后,通過(guò)它的電流減小,PTC 的溫度恢復(fù)正常,同時(shí),其電阻值也恢復(fù)到其正常值。

對(duì)于 NTC,它的特點(diǎn)是其電阻值隨溫度的升高而減小。

2.2 溫度變化對(duì)電容的影響

溫度變化將引起電容的到介質(zhì)損耗變化,從而影響其使用壽命。溫度每升高 10℃時(shí),電容器的壽命就降低 50%,同時(shí)還引起阻容時(shí)間常數(shù)變化,甚至發(fā)生因介質(zhì)損耗過(guò)大而熱擊穿的情況。

此外,溫度升高也將使電感線圈、變壓器、扼流圈等的絕緣性能下降。

3、濕度導(dǎo)致失效

濕度過(guò)高,當(dāng)含有酸堿性的灰塵落到電路板上時(shí),將腐蝕元器件的焊點(diǎn)與接線處,造成焊點(diǎn)脫落,接頭斷裂。

濕度過(guò)高也是引起漏電耦合的主要原因。

而濕度過(guò)低又容易產(chǎn)生靜電,所以環(huán)境的濕度應(yīng)控制在合理的水平。

4、過(guò)高電壓導(dǎo)致器件失效

施加在元器件上的電壓穩(wěn)定性是保證元器件正常工作的重要條件。過(guò)高的電壓會(huì)增加元器件的熱損耗,甚至造成電擊穿。對(duì)于電容器而言,其失效率正比于電容電壓的 5 次冪。對(duì)于集成電路而言,超過(guò)其最大允許電壓值的電壓將造成器件的直接損壞。

電壓擊穿是指電子器件都有能承受的最高耐壓值,超過(guò)該允許值,器件存在失效風(fēng)險(xiǎn)。主動(dòng)元件和被動(dòng)元件失效的表現(xiàn)形式稍有差別,但也都有電壓允許上限。晶體管元件都有耐壓值,超過(guò)耐壓值會(huì)對(duì)元件有損傷,比如超過(guò)二極管、電容等,電壓超過(guò)元件的耐壓值會(huì)導(dǎo)致它們擊穿,如果能量很大會(huì)導(dǎo)致熱擊穿,元件會(huì)報(bào)廢。

5、振動(dòng)、沖擊影響:

機(jī)械振動(dòng)與沖擊會(huì)使一些內(nèi)部有缺陷的元件加速失效,造成災(zāi)難性故障,機(jī)械振動(dòng)還會(huì)使焊點(diǎn)、壓線點(diǎn)發(fā)生松動(dòng),導(dǎo)致接觸不良;若振動(dòng)導(dǎo)致導(dǎo)線不應(yīng)有的碰連,會(huì)產(chǎn)生一些意象不到的后果。

可能引起的故障模式,及失效分析。

電氣過(guò)應(yīng)力(Electrical Over Stress,EOS)是一種常見(jiàn)的損害電子器件的方式,是元器件常見(jiàn)的損壞原因,其表現(xiàn)方式是過(guò)壓或者過(guò)流產(chǎn)生大量的熱能,使元器件內(nèi)部溫度過(guò)高從而損壞元器件(大家常說(shuō)的燒壞),是由電氣系統(tǒng)中的脈沖導(dǎo)致的一種常見(jiàn)的損害電子器件的方式。

審核編輯 黃昊宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 元器件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    113

    文章

    4751

    瀏覽量

    92913
  • 失效機(jī)理
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    27

    瀏覽量

    11688
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    塑封器件絕緣失效分析

    塑封器件絕緣失效機(jī)理探究與改進(jìn)策略塑封器件因其緊湊、輕便、經(jīng)濟(jì)及卓越的電學(xué)特性,在電子元件封裝行業(yè)中占據(jù)著重要地位。但隨著其在更嚴(yán)苛環(huán)境下的應(yīng)用需求增加,傳統(tǒng)工業(yè)級(jí)塑封材料和技術(shù)的局限
    的頭像 發(fā)表于 11-14 00:07 ?312次閱讀
    塑封<b class='flag-5'>器件</b>絕緣<b class='flag-5'>失效</b>分析

    元器件布線的要點(diǎn)哪些

    元器件的布線是一個(gè)至關(guān)重要的環(huán)節(jié)。合理的布線不僅能夠確保電路的穩(wěn)定性和可靠性,還能有效減少電磁干擾、提高信號(hào)質(zhì)量。以下是關(guān)于元器件布線的一些詳細(xì)要點(diǎn)和建議。 縮短連線:對(duì)于高頻元器件,應(yīng)盡可能縮短
    的頭像 發(fā)表于 09-25 15:27 ?362次閱讀

    廣電計(jì)量|功率場(chǎng)效應(yīng)管過(guò)壓失效機(jī)理及典型特征分析

    失效分析最常觀察到的現(xiàn)象是EOS過(guò)電失效,分為過(guò)壓失效及過(guò)流失效的兩種失效模式。對(duì)于以功率器件
    的頭像 發(fā)表于 09-18 10:55 ?1047次閱讀
    廣電計(jì)量|功率場(chǎng)效應(yīng)管過(guò)壓<b class='flag-5'>失效</b><b class='flag-5'>機(jī)理</b>及典型特征分析

    谷景科普色環(huán)電感失效的現(xiàn)象哪些

    谷景詳解色環(huán)電感失效的現(xiàn)象哪些編輯:谷景電子色環(huán)電感作為電子電路中非常重要的一種電子元器件,它在電路中的功能主要就時(shí)濾波、儲(chǔ)能以及抑制噪聲。但是,色環(huán)電感在電路中也可能會(huì)出現(xiàn)失效的情
    發(fā)表于 09-16 23:14 ?0次下載

    電量計(jì)外圍元器件失效影響分析

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《電量計(jì)外圍元器件失效影響分析.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 09-05 11:20 ?0次下載
    電量計(jì)外圍<b class='flag-5'>元器件</b><b class='flag-5'>失效</b>影響分析

    詳談元器件失效及存儲(chǔ)

    共讀好書 1、元器件總體分類 元器件可分為元件、器件兩大類。元件又細(xì)分為電氣元件和機(jī)電元件。 元件指在工廠生產(chǎn)加工時(shí)不改變分子成分的成品,如電阻器、電容器、電感器。它們本身不產(chǎn)生電子,對(duì)電壓、電流無(wú)
    的頭像 發(fā)表于 07-21 17:16 ?874次閱讀
    詳談<b class='flag-5'>元器件</b><b class='flag-5'>失效</b>及存儲(chǔ)

    常見(jiàn)電子元器件哪些

    電子元器件是電子工程中的重要組成部分,它們可以被看作是電子系統(tǒng)的基石。在現(xiàn)代電子技術(shù)中,許多種不同的電子元器件。但是,對(duì)于初學(xué)者來(lái)說(shuō),以下的18個(gè)電子元器件是比較常見(jiàn)的,也是很有必要
    的頭像 發(fā)表于 07-16 15:11 ?1772次閱讀

    器件無(wú)故失效的原因哪些?

    器件無(wú)故失效的原因
    發(fā)表于 06-04 07:13

    晶閘管的失效模式與機(jī)理

    晶閘管(Silicon Controlled Rectifier, SCR)作為電力電子領(lǐng)域中的關(guān)鍵器件,其可靠性對(duì)電路的穩(wěn)定運(yùn)行至關(guān)重要。然而,在實(shí)際應(yīng)用中,晶閘管可能因各種原因而失效,導(dǎo)致
    的頭像 發(fā)表于 05-27 15:00 ?1420次閱讀

    漲知識(shí):元器件失效之推拉力測(cè)試,附推拉力測(cè)試機(jī)的應(yīng)用!

    在現(xiàn)代電子產(chǎn)品的制造和應(yīng)用中,元器件的可靠性是至關(guān)重要的。元器件失效可能導(dǎo)致產(chǎn)品性能下降甚至完全失效,給用戶帶來(lái)不便和損失,同時(shí)也對(duì)制造商的聲譽(yù)和成本造成影響。在
    的頭像 發(fā)表于 05-23 17:17 ?900次閱讀
    漲知識(shí):<b class='flag-5'>元器件</b><b class='flag-5'>失效</b>之推拉力測(cè)試,附推拉力測(cè)試機(jī)的應(yīng)用!

    IGBT器件失效模式的影響分析

    功率循環(huán)加速老化試驗(yàn)中,IGBT 器件失效模式 主要為鍵合線失效或焊料老化,失效模式可能存在 多個(gè)影響因素,如封裝材料、器件結(jié)構(gòu)以及試驗(yàn)條
    發(fā)表于 04-18 11:21 ?1103次閱讀
    IGBT<b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>失效</b>模式的影響分析

    電子元器件失效分析技術(shù)

    電測(cè)在失效分析中的作用 重現(xiàn)失效現(xiàn)象,確定失效模式,縮小故障隔離區(qū),確定失效定位的激勵(lì)條件,為進(jìn)行信號(hào)尋跡法失效定位創(chuàng)造條件
    的頭像 發(fā)表于 04-12 11:00 ?666次閱讀
    電子<b class='flag-5'>元器件</b><b class='flag-5'>失效</b>分析技術(shù)

    電子元器件引腳共面性對(duì)焊接的影響

    在SMT(表面貼裝技術(shù))中,焊點(diǎn)是連接電子元器件與PCB(印制電路板)的重要介質(zhì),而焊接失效則是最常見(jiàn)的電子元器件故障之一。因此,確保電子元器件的可靠焊接至關(guān)重要。其中,
    的頭像 發(fā)表于 02-26 10:02 ?1275次閱讀
    電子<b class='flag-5'>元器件</b>引腳共面性對(duì)焊接的影響

    MOSFET雪崩擊穿圖解 MOSFET避免雪崩失效的方法

    當(dāng)功率器件承受的雪崩耐量超過(guò)極限后,芯片最終會(huì)損壞,然而單脈沖雪崩與重復(fù)雪崩的失效機(jī)理并不相同。
    的頭像 發(fā)表于 02-25 15:48 ?4822次閱讀
    MOSFET雪崩擊穿圖解 MOSFET避免雪崩<b class='flag-5'>失效</b>的方法

    電子元器件進(jìn)行封裝測(cè)試的步驟哪些?

    電子元器件的封裝測(cè)試是確保元器件在正常工作條件下能夠穩(wěn)定運(yùn)行的重要環(huán)節(jié)。
    的頭像 發(fā)表于 02-23 18:17 ?1719次閱讀