掌聲不要停，兆易創(chuàng)新又雙叒叕捧回大獎了！今天，在翹楚云集的ASPENCORE“全球雙峰會暨全球電子成就獎頒獎典禮”上，兆易創(chuàng)新旗下全國產(chǎn)化的24nm SPI NAND Flash GD5F4GM5贏得“年度存儲器/放大器/數(shù)據(jù)轉換器”產(chǎn)品獎；基于全新Arm Cortex-M33內(nèi)核的GD32E5系列高性能微控制器，斬獲“年度微控制器/接口”產(chǎn)品獎。

“全球電子成就獎”由電子技術領域最大媒體集團ASPENCORE主辦，旨在聚焦領先科技，推動全球范圍內(nèi)的電子產(chǎn)業(yè)技術革新。整個評選歷時數(shù)月，需經(jīng)過申報、提名、網(wǎng)上投票、全球專家評審等層層篩選。能獲得全球電子成就獎的表彰，是一項備受認可的榮譽，充分體現(xiàn)了該技術或產(chǎn)品在業(yè)界的領先地位與不凡表現(xiàn)。兆易創(chuàng)新作為領先的Fabless芯片供應商，已經(jīng)連續(xù)多年榮登該榜單，自主創(chuàng)新能力、產(chǎn)品技術實力屢獲稱贊。

GD5F4GM5系列榮獲“年度存儲器/放大器/數(shù)據(jù)轉換器”大獎

本次榮獲“年度存儲器/放大器/數(shù)據(jù)轉換器”大獎的GD5F4GM5系列，是兆易創(chuàng)新推出的全國產(chǎn)化24nm SPI NAND Flash產(chǎn)品，容量高達4Gb，實現(xiàn)了從設計研發(fā)、生產(chǎn)制造到封裝測試所有環(huán)節(jié)的純國產(chǎn)化和自主化，并已成功量產(chǎn)，標志著國內(nèi)SLC NAND Flash產(chǎn)品正式邁入24nm先進制程工藝時代。該產(chǎn)品采用串行SPI接口，引腳少、封裝尺寸小，在集成了存儲陣列和控制器的同時，還帶有內(nèi)部ECC糾錯算法，擦寫次數(shù)可達5萬次，提高可靠性的同時延長產(chǎn)品使用壽命。

相比于上一代NAND產(chǎn)品，該系列大大提升了讀寫速度，最高時鐘頻率達到120MHz，數(shù)據(jù)吞吐量可達480Mbit/s，支持1.8V/3.3V供電電壓，同時提供WSON8、TFBGA24等多種封裝選擇，致力于為5G、物聯(lián)網(wǎng)、網(wǎng)通、安防，以及包括可穿戴式設備在內(nèi)的消費類應用場景提供大容量、具備成本優(yōu)勢的解決方案。

GD32E5系列MCU榮獲“年度微控制器/接口”產(chǎn)品獎

斬獲“年度微控制器/接口”產(chǎn)品獎的GD32E5系列MCU，是中國首顆基于Arm Cortex-M33內(nèi)核的高性能微控制器。該系列MCU采用臺積電低功耗40nm嵌入式閃存工藝構建，處理器主頻最高可達180MHz，配備了128KB到512KB的Flash及80KB到128KB的SRAM。芯片采用1.7V-3.6V供電，I/O口可承受5V電平。內(nèi)置的電源管理單元更加優(yōu)化并提供了5種全新省電模式，最高主頻所有外設全速運行模式下的工作電流僅為332μA/MHz。GD32E5內(nèi)置了全新的超高精度定時器(SHRTimer)，內(nèi)部擁有5個獨立的計數(shù)器，可以產(chǎn)生5組2路帶死區(qū)互補輸出的PWM控制信號，頻率最高可達11.5GHz，分辨率最快僅為90ps。

GD32E5系列MCU具備業(yè)界領先的處理能力、功耗效率、連接特性和更經(jīng)濟的開發(fā)成本，進一步推動嵌入式開發(fā)向高精度工業(yè)控制領域擴展，解決數(shù)字電源、電機變頻、測量儀器、混合信號處理、高端消費類應用等多種功能集成和工作負載需求。

過往成績，只是序章，行穩(wěn)致遠，未來可期。今年是兆易創(chuàng)新創(chuàng)立15周年。自成立以來，兆易創(chuàng)新不斷加大研發(fā)投入，以積極的技術戰(zhàn)略、出色的產(chǎn)品實力、豐富的行業(yè)應用，獲得了業(yè)界的廣泛認可。接下來，兆易創(chuàng)新將繼續(xù)加大創(chuàng)“芯”力度，致力于構建以存儲器、微控制器和傳感器三大業(yè)務板塊為核心驅動力的完整生態(tài)，為工業(yè)、汽車、計算、消費電子、物聯(lián)網(wǎng)、移動應用以及通信領域的客戶提供完善的產(chǎn)品技術和服務。

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