ASML已完成制造1nm芯片的EUV光刻機(jī)的設(shè)計(jì)方案
論壇上，與ASML（阿斯麥）合作研發(fā)光刻機(jī)的比利時(shí)半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)IMEC公布了3nm及以下制程的在微縮層面技術(shù)細(xì)節(jié)。
至少就目前而言，ASML對(duì)于3m、2nm、1.5nm、1nm甚至Sub 1nm都做了清晰的路線規(guī)劃，且1nm時(shí)代的光刻機(jī)體積將增大不少。
據(jù)稱在當(dāng)前臺(tái)積電、三星的7nm、5nm制造中已經(jīng)引入了NA=0.33的EUV曝光設(shè)備，2nm之后需要更高分辨率的曝光設(shè)備，也就是NA=0.55。好在ASML已經(jīng)完成了0.55NA曝光設(shè)備的基本設(shè)計(jì)（即NXE：5000系列），預(yù)計(jì)在2022年實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。
至于上文提到的尺寸為何大幅增加就是光學(xué)器件增大所致，潔凈室指標(biāo)也達(dá)到天花板。
阿斯麥目前在售的兩款極紫外光刻機(jī)分別是TWINSCAN NXE:3400B和TWINSCAN NXE:3400C，3600D計(jì)劃明年年中出貨，生產(chǎn)效率將提升18%。
責(zé)編AJX
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
芯片
+關(guān)注
關(guān)注
456文章
51283瀏覽量
427819 -
ASML
+關(guān)注
關(guān)注
7文章
722瀏覽量
41372 -
EUV光刻機(jī)
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
128瀏覽量
15191
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
光刻機(jī)巨頭ASML業(yè)績(jī)暴雷，芯片迎來(lái)新一輪“寒流”？
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃山明）作為芯片制造過(guò)程中的核心設(shè)備，光刻機(jī)決定著芯片工藝的制程。尤其是EUV光刻
光刻機(jī)的分類與原理
本文主要介紹光刻機(jī)的分類與原理。 ? 光刻機(jī)分類 光刻機(jī)的分類方式很多。按半導(dǎo)體制造工序分類，光刻設(shè)備有前道和后道之分。前道
組成光刻機(jī)的各個(gè)分系統(tǒng)介紹
? 本文介紹了組成光刻機(jī)的各個(gè)分系統(tǒng)。 光刻技術(shù)作為制造集成電路芯片的重要步驟，其重要性不言而喻。光刻機(jī)是實(shí)現(xiàn)這一工藝的核心設(shè)備，它的工作原
日本首臺(tái)EUV光刻機(jī)就位
據(jù)日經(jīng)亞洲 12 月 19 日?qǐng)?bào)道，Rapidus 成為日本首家獲得極紫外 (EUV) 光刻設(shè)備的半導(dǎo)體公司，已經(jīng)開始在北海道芯片制造廠內(nèi)安裝極紫外
光刻機(jī)的工作原理和分類
? 本文介紹了光刻機(jī)在芯片制造中的角色和地位，并介紹了光刻機(jī)的工作原理和分類。? ? ? ?? 光刻機(jī)：
今日看點(diǎn)丨 2011億元!比亞迪單季營(yíng)收首次超過(guò)特斯拉；三星將于2025年初引進(jìn)High NA EUV光刻機(jī)
1. 三星將于2025 年初引進(jìn)High NA EUV 光刻機(jī)，加快開發(fā)1nm 芯片 ? 據(jù)報(bào)道，三星電子正準(zhǔn)備在2025年初引入其首款Hi
發(fā)表于 10-31 10:56
?870次閱讀
ASML擬于2030年推出Hyper-NA EUV光刻機(jī)，將芯片密度限制再縮小
ASML再度宣布新光刻機(jī)計(jì)劃。據(jù)報(bào)道，ASML預(yù)計(jì)2030年推出的Hyper-NA極紫外光機(jī)（EUV），將縮小最高電晶體密度
俄羅斯首臺(tái)光刻機(jī)問世
的一部分，目前正在對(duì)其進(jìn)行測(cè)試，該設(shè)備可確保生產(chǎn)350nm的芯片。什帕克還指出，到2026年將獲得130nm的國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)，下一步將是開發(fā)90nm
后門！ASML可遠(yuǎn)程鎖光刻機(jī)！
與ASML進(jìn)行光刻機(jī)問題溝通時(shí)，負(fù)責(zé)人做出了保證，他們有能力遠(yuǎn)程鎖控芯片制造設(shè)備。 這就意味著ASML傳承了歐美企業(yè)留有“后門”的習(xí)慣，而伴
荷蘭阿斯麥稱可遠(yuǎn)程癱瘓臺(tái)積電光刻機(jī)
disable）臺(tái)積電相應(yīng)機(jī)器，而且還可以包括最先進(jìn)的極紫外光刻機(jī)（EUV）。 這就意味著阿斯麥（ASML）留了后門，隨時(shí)有能力去遠(yuǎn)程癱瘓制造芯片
臺(tái)積電A16制程采用EUV光刻機(jī)，2026年下半年量產(chǎn)
據(jù)臺(tái)灣業(yè)內(nèi)人士透露，臺(tái)積電并未為A16制程配備高數(shù)值孔徑（High-NA）EUV光刻機(jī)，而選擇利用現(xiàn)有的EUV光刻機(jī)進(jìn)行生產(chǎn)。相較之下，英特爾和三星則計(jì)劃在此階段使用最新的High-N
臺(tái)積電未確定是否采購(gòu)阿斯麥高數(shù)值孔徑極紫外光刻機(jī)
盡管High NA EUV光刻機(jī)有望使芯片設(shè)計(jì)尺寸縮減達(dá)三分之二，但芯片制造商需要權(quán)衡利弊，考慮其高昂的成本及
ASML發(fā)貨第二臺(tái)High NA EUV光刻機(jī)，已成功印刷10nm線寬圖案
ASML公司近日宣布發(fā)貨了第二臺(tái)High NA EUV光刻機(jī)，并且已成功印刷出10納米線寬圖案，這一重大突破標(biāo)志著半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的技術(shù)革新向前邁進(jìn)了一大步。
阿斯麥(ASML)公司首臺(tái)高數(shù)值孔徑EUV光刻機(jī)實(shí)現(xiàn)突破性成果
)光刻機(jī)，并已經(jīng)成功印刷出首批圖案。這一重要成就，不僅標(biāo)志著ASML公司技術(shù)創(chuàng)新的新高度，也為全球半導(dǎo)體制造行業(yè)的發(fā)展帶來(lái)了新的契機(jī)。目前，全球僅有兩臺(tái)高數(shù)值孔徑EUV
ASML 首臺(tái)新款 EUV 光刻機(jī) Twinscan NXE:3800E 完成安裝
3 月 13 日消息，光刻機(jī)制造商 ASML 宣布其首臺(tái)新款 EUV 光刻機(jī) Twinscan NXE:3800E 已完成安裝，新機(jī)型將帶來(lái)
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論