SRAM即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器，所謂“靜態(tài)”是指這種存儲器只要保持通電，里面存儲的數(shù)據(jù)就可以一直保持，但是掉電之后就會丟失。與DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）相比它不需要周期性的刷新里面的數(shù)據(jù)，操作簡單且速度更快，但是更加的昂貴，集成度不如DRAM高。

在實際應(yīng)用中的存儲器所需要的容量通常比所生產(chǎn)的芯片容量大得多，所以需要對多芯片進(jìn)行組合以實現(xiàn)存儲容量的擴(kuò)充。本文以SRAM芯片為例系統(tǒng)介紹常用的擴(kuò)充存儲容量的方法。

通常微處理器的數(shù)據(jù)總線為8位和16位或32位，而地址總線為16位或24位不等。當(dāng)靜態(tài)RAM的地址線和數(shù)據(jù)線不能與微機(jī)相匹配時，可用地址線擴(kuò)展和數(shù)據(jù)線擴(kuò)展或地址和數(shù)據(jù)線同時進(jìn)行擴(kuò)展的方法加以解決。

1.RAM容量的擴(kuò)展---位數(shù)擴(kuò)展數(shù)據(jù)線擴(kuò)展

如SRAM 2114 10位地址，4位數(shù)據(jù)線，其容量=210×4=1024×4=4096字位（4K）。

例：用4K容量的RAM2114，實現(xiàn)一個容量為1024×8（≈8K字位）字位容量的RAM。

解：1024×8字位容量，其地址仍是十位，故只要進(jìn)行數(shù)據(jù)位擴(kuò)展即可，選用RAM2114兩片，將兩片的地址線，讀/寫線及片選線并聯(lián)，兩片的位線分別作為高4位數(shù)據(jù)和低4位數(shù)據(jù)，組成8位的數(shù)據(jù)線即可。擴(kuò)展后的電路如圖所示：

2.SRAM容量的擴(kuò)展---字位擴(kuò)展，地址擴(kuò)展，數(shù)據(jù)位擴(kuò)展。

例：用RAM2114，擴(kuò)展成容量為4096×8字位（32K）的RAM。

解：4096需要12位地址，而RAM2114只有10位地址，所以需要進(jìn)行地址擴(kuò)展，同時應(yīng)該將一字4位，擴(kuò)展成一字8位。字的位擴(kuò)展用前面方法，地址擴(kuò)展用譯碼器完成，用8片RAM211擴(kuò)展后的電路如圖所示：

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