全球最先進(jìn)的1nm EUV光刻機(jī)業(yè)已完成設(shè)計
想想幾年前的全球半導(dǎo)體芯片市場，真的可謂哀嚎一片，一時間摩爾定律失效的言論可謂此起彼伏。但是在今天，我們不僅看到5nm工藝如期而至，臺積電宣布2nm獲得重大進(jìn)展，就連光刻機(jī)的老大ASML也傳來捷報，全球最先進(jìn)的1nm EUV光刻機(jī)業(yè)已完成設(shè)計。
ASML已完成1nm光刻機(jī)設(shè)計
近日，與ASML（阿斯麥）合作研發(fā)光刻機(jī)的比利時半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)IMEC公布了3nm及以下制程的在微縮層面技術(shù)細(xì)節(jié)。具體來看，ASML對于3m、2nm、1.5nm、1nm甚至Sub 1nm都做了清晰的路線規(guī)劃，且1nm時代的光刻機(jī)體積將增大不少。
顯然，1nm光刻機(jī)需要更強(qiáng)大的物理極性，2nm之后需要更高分辨率的曝光設(shè)備。目前已經(jīng)投入量產(chǎn)的7nm、5nm工藝已經(jīng)引入了0.33NA的EUV曝光設(shè)備，而ASML已經(jīng)完成了0.55NA曝光設(shè)備的基本設(shè)計，預(yù)計在2022年實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。
很高興看到摩爾定律又起效了！
責(zé)任編輯:pj
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
臺積電
+關(guān)注
關(guān)注
44文章
5693瀏覽量
167021 -
光刻機(jī)
+關(guān)注
關(guān)注
31文章
1159瀏覽量
47605 -
半導(dǎo)體芯片
+關(guān)注
關(guān)注
60文章
919瀏覽量
70786
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
光刻機(jī)的分類與原理
本文主要介紹光刻機(jī)的分類與原理。 ? 光刻機(jī)分類 光刻機(jī)的分類方式很多。按半導(dǎo)體制造工序分類，光刻設(shè)備有前道和后道之分。前道光刻機(jī)包括芯片
組成光刻機(jī)的各個分系統(tǒng)介紹
納米級別的分辨率。本文將詳細(xì)介紹光刻機(jī)的主要組成部分及其功能。 光源系統(tǒng) ? 光源系統(tǒng)是光刻機(jī)的心臟，負(fù)責(zé)提供曝光所需的能量。早期的光刻機(jī)使用汞燈作為光源，但隨著技術(shù)的進(jìn)步，目前多采用深紫外（DUV）或極紫外（
日本首臺EUV光刻機(jī)就位
本月底完成。 Rapidus 計劃 2025 年春季使用最先進(jìn)的 2 納米工藝開發(fā)原型芯片，于 2027 年開始大規(guī)模生產(chǎn)芯片。 EUV 機(jī)器結(jié)合了特殊光源、鏡頭和其他技術(shù)，可形成超精細(xì)電路圖案。該系統(tǒng)體積小，不易受到振動和其他
用來提高光刻機(jī)分辨率的浸潤式光刻技術(shù)介紹
? 本文介紹了用來提高光刻機(jī)分辨率的浸潤式光刻技術(shù)。 芯片制造：光刻技術(shù)的演進(jìn) 過去半個多世紀(jì)，摩爾定律一直推動著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，但當(dāng)光刻機(jī)的光源波長卡在193
光刻機(jī)的工作原理和分類
? 本文介紹了光刻機(jī)在芯片制造中的角色和地位，并介紹了光刻機(jī)的工作原理和分類。? ? ? ?? 光刻機(jī)：芯片制造的關(guān)鍵角色 ? ? 光刻機(jī)在芯片制造中占據(jù)著至關(guān)重要的地位，被譽(yù)為芯片制
今日看點(diǎn)丨 2011億元!比亞迪單季營收首次超過特斯拉；三星將于2025年初引進(jìn)High NA EUV光刻機(jī)
1. 三星將于2025 年初引進(jìn)High NA EUV 光刻機(jī)，加快開發(fā)1nm 芯片 ? 據(jù)報道，三星電子正準(zhǔn)備在2025年初引入其首款High NA
發(fā)表于 10-31 10:56
?868次閱讀
俄羅斯首臺光刻機(jī)問世
據(jù)外媒報道，目前，俄羅斯首臺光刻機(jī)已經(jīng)制造完成并正在進(jìn)行測試。 俄羅斯聯(lián)邦工業(yè)和貿(mào)易部副部長瓦西里-什帕克（Vasily Shpak）表示，已組裝并制造了第一臺國產(chǎn)光刻機(jī)，作為澤廖諾格勒技術(shù)生產(chǎn)線
Rapidus對首代工藝中0.33NA EUV解決方案表示滿意，未采用高NA EUV光刻機(jī)
在全球四大先進(jìn)制程代工巨頭（包括臺積電、三星電子、英特爾以及Rapidus）中，只有英特爾明確表示將使用High NA EUV光刻機(jī)進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。
荷蘭阿斯麥稱可遠(yuǎn)程癱瘓臺積電光刻機(jī)
disable）臺積電相應(yīng)機(jī)器，而且還可以包括最先進(jìn)的極紫外光刻機(jī)（EUV）。 這就意味著阿斯麥（ASML）留了后門，隨時有能力去遠(yuǎn)程癱瘓制造芯片的光刻機(jī)。 要知道我國大陸市場已經(jīng)連
臺積電A16制程采用EUV光刻機(jī)，2026年下半年量產(chǎn)
據(jù)臺灣業(yè)內(nèi)人士透露，臺積電并未為A16制程配備高數(shù)值孔徑（High-NA）EUV光刻機(jī)，而選擇利用現(xiàn)有的EUV光刻機(jī)進(jìn)行生產(chǎn)。相較之下，英特爾和三星則計劃在此階段使用最新的High-N
ASML發(fā)貨第二臺High NA EUV光刻機(jī)，已成功印刷10nm線寬圖案
ASML公司近日宣布發(fā)貨了第二臺High NA EUV光刻機(jī)，并且已成功印刷出10納米線寬圖案，這一重大突破標(biāo)志著半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的技術(shù)革新向前邁進(jìn)了一大步。
英特爾突破技術(shù)壁壘：首臺商用High NA EUV光刻機(jī)成功組裝
英特爾的研發(fā)團(tuán)隊(duì)正致力于對這臺先進(jìn)的ASML TWINSCAN EXE:5000 High NA EUV光刻機(jī)進(jìn)行細(xì)致的校準(zhǔn)工作，以確保其能夠順利融入未來的生產(chǎn)線。
光刻機(jī)的發(fā)展歷程及工藝流程
光刻機(jī)經(jīng)歷了5代產(chǎn)品發(fā)展，每次改進(jìn)和創(chuàng)新都顯著提升了光刻機(jī)所能實(shí)現(xiàn)的最小工藝節(jié)點(diǎn)。按照使用光源依次從g-line、i-line發(fā)展到KrF、ArF和EUV；按照工作原理依次從接觸接近式光刻機(jī)
發(fā)表于 03-21 11:31
?6833次閱讀
ASML 首臺新款 EUV 光刻機(jī) Twinscan NXE:3800E 完成安裝
3 月 13 日消息，光刻機(jī)制造商 ASML 宣布其首臺新款 EUV 光刻機(jī) Twinscan NXE:3800E 已完成安裝，新機(jī)型將帶來更高的生產(chǎn)效率。 ▲ ASML 在 X 平臺
工商網(wǎng)監(jiān)
評論