近幾年,英偉達(dá)的GPU成為了市場明星,特別是推出的新品,非常搶手,被各應(yīng)用市場客戶爭搶,特別是該公司于今年9月推出的GeForce RTX 30系列,行情非常緊俏,最近一直處于斷貨狀態(tài),特別是要獲得RTX 3090和RTX 3080非常困難,而中端的RTX 3070有時(shí)會(huì)有庫存,但由于需求增加,很快也會(huì)售罄。對此,據(jù)中國臺灣媒體Digitimes報(bào)道,之所以如此,是因?yàn)?a href="http://www.delux-kingway.cn/tags/三星/" target="_blank">三星Foundry的8nm制程產(chǎn)能不足導(dǎo)致的。不過,該消息沒有得到三星官方的證實(shí)。
英偉達(dá)最新的GeForce RTX 30系列GPU采用了三星的8nm LPP(Low Power Plus)制程工藝,9月份,隨著這一新產(chǎn)品所采用制程的發(fā)布,再一次引起了業(yè)界的關(guān)注,因?yàn)槿堑?nm LPP制程工藝的直接競爭對手就是臺積電的7nm制程,這兩大Foundry的制程技術(shù)和客戶爭奪戰(zhàn),一直都是業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。此次,人們不禁要發(fā)問,英偉達(dá)為何采用的是三星8nm制程,而不是臺積電的7nm呢?
這還要從三星正式推出8nm制程說起。2017年5月,三星電子半導(dǎo)體事業(yè)部在美國圣克拉拉舉行的三星代工論壇上,公布了其未來幾年的制程工藝路線圖,其中,8nm首次正式亮相。當(dāng)年10月,三星即宣布已完成8nm LPP工藝驗(yàn)證,具備量產(chǎn)條件。
8nm LPP并沒有使用EUV技術(shù),因此,其成本得到了很好的控制。該工藝是三星基于10nm改進(jìn)而來的,可以提供更好的性能表現(xiàn)以及更高邏輯門密度,效率提升了10%,芯片面積減小10%。與7nm制程相比,8nm LPP有明顯的成本優(yōu)勢,但在PPA(性能、功耗、面積)方面,還是有一定差距的。
除了英偉達(dá),AMD的市場表現(xiàn)也非常搶眼,該公司的CPU和GPU市場率節(jié)節(jié)攀升,因此,AMD也加大了從臺積電的下單量,并有望成為后者7nm制程的第一大客戶。那么,在主要競爭對手AMD已經(jīng)全線采用臺積電7nm制程的情況下,英偉達(dá)為何不采用三星的7nm EUV工藝呢?
對此,英偉達(dá)和三星表示,雖然是8nm制程,但是在雙方的深度合作下,最大程度地挖掘出了該工藝的性能潛力,與過去的8nm制程相比,RTX 30系列使用的8nm LPP工藝性能提升了10%,從而拉近了與7nm制程的差距。
那么,三星的8nm與臺積電的7nm制程究竟有何不同呢?
7nm是10nm之后的“武林正宗”,8nm制程工藝本質(zhì)上是10nm++++。在這一點(diǎn)上,三星將英特爾10nm的演進(jìn)路線進(jìn)一步發(fā)揚(yáng)光大了。
8nm更像是三星研發(fā)7nm過程中的中間產(chǎn)物,其性能必然不如7nm。8nm制程工藝結(jié)構(gòu)面積要比10nm工藝結(jié)構(gòu)要小一圈,帶來的好處就是降低功耗,提高能效比。
晶體管密度方面,臺積電的7nm芯片每平方毫米有9600萬個(gè)晶體管,三星的8nm制程芯片的晶體管密度為6100萬,兩者相差40%。
另外,三星于2019年推出了7nm EUV工藝,當(dāng)時(shí),據(jù)稱其晶體管性能比該公司8nm制程的提高了20%~30%,能耗減少了30%~50%,而且,其價(jià)格也比臺積電的7nm便宜。不過,在實(shí)際應(yīng)用當(dāng)中,三星的7nm EUV在整體性能上與其8nm制程相比,提升幅度并不是很大。這或許也是英偉達(dá)采用了三星8nm制程,而非7nm的一個(gè)原因吧。
總體來看,英偉達(dá)RTX 30系列采用三星的8nm制程,成本是其主要考量因素。具體來看,如果采用臺積電7nm制程,那么一片12英寸的晶圓價(jià)格在8000-10000美元之間,而采用三星8nm制程,對于英偉達(dá)而言,成本可降低30%或更多。這可以幫助其壓低RTX 30系列GPU的市場價(jià),從而在與AMD等主要對手的競爭中拿到更多的砝碼。
另外,7nm,特別是臺積電的7nm制程工藝產(chǎn)能非常緊張,難以滿足英偉達(dá)大量訂單的需求,也是其選擇采用三星8nm制程的一個(gè)原因。
三星的8nm芯片
自從三星推出8nm制程之后,由于其性價(jià)比較高,訂單也在穩(wěn)步增加,在此次接單英偉達(dá)RTX 30系列GPU之前,還有其它一些芯片也采用了該制程工藝。
2018年11月,三星發(fā)布了采用8nm制程的Exynos 9820處理器,這是基于10nm制程的Exynos 9810的后繼產(chǎn)品,被用于韓版三星Galaxy智能手機(jī),如S10和S10 5G。
2019年9月,三星發(fā)布了首款集成5G能力的處理器Exynos 980,采用的也是8nm制程。Exynos 980是三星推出的首個(gè)5G集成SoC。
高通方面,其驍龍730和驍龍730G芯片,也采用了8nm LPP制程工藝,不過不支援5G。另外,驍龍765和驍龍765G移動(dòng)平臺,也采用了三星8nm工藝制造。
另外,在礦機(jī)領(lǐng)域,用到的先進(jìn)制程也很多,例如,螞蟻與神馬礦機(jī),就采用了臺積電7nm和三星的8nm。臺積電7nm性能占優(yōu),但因?yàn)榭蛻籼?,因此產(chǎn)能與價(jià)格上有劣勢。相比之下,三星的8nm雖然性能差一些,但成本低很多,除了供給三星手機(jī)外,礦機(jī)出貨量較大。據(jù)悉,嘉楠也由臺積電7nm轉(zhuǎn)向了三星的8nm。
臺積電7nm更勝一籌
與三星的8nm相比,臺積電的7nm制程,在市場影響力方面有明顯優(yōu)勢。不久前,該公司宣布截止到7月,其7nm良品芯片(good die)累計(jì)出貨量已超過10億顆。同時(shí),臺積電優(yōu)化7nm制程后推出的6nm已經(jīng)開始進(jìn)入生產(chǎn)階段,并采用EUV技術(shù)取代部份浸潤式光刻掩模。蘋果、高通、聯(lián)發(fā)科、AMD、賽靈思、博通等均是臺積電7nm客戶。
據(jù)悉,臺積電的大部分客戶已經(jīng)大幅追加了第四季度7nm訂單,使得臺積電7nm產(chǎn)能滿載。
在過去兩年里,因客戶需求非常強(qiáng)烈,其產(chǎn)能得到快速提升,預(yù)估2020年7nm產(chǎn)能將是2018年的3.5倍。
2020年第二季度的財(cái)報(bào)顯示,與去年同期相比,臺積電收入增長了28.9%,而凈收入和稀釋后的每股收益均增長了81.0%。與2020年第一季度相比,第二季度的收入結(jié)果基本持平,凈收入增長3.3%。其中,7nm的出貨量占晶圓總收入的36%,而16nm的出貨量占18%。在今年第二季度,7nm為臺積電帶來的利潤最多。
據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈消息人士透露,臺積電計(jì)劃將7nm制程工藝的月產(chǎn)能提升到13萬片晶圓,并努力在年底提升至14萬片。
如前文所述,英偉達(dá)將最新的RTX 30系列GPU交由三星采用8nm代工生產(chǎn),而前者的主要競爭對手AMD則在大力挖掘臺積電的7nm產(chǎn)能。
在過去的兩三個(gè)月內(nèi),同英偉達(dá)類似,AMD也出現(xiàn)了缺貨的情況,而Ryzen 4000型APU的情況尤為明顯。在被問及AMD的產(chǎn)能與供應(yīng)情況時(shí),該公司CEO Lisa Su(蘇媽)表示:“我們有一個(gè)強(qiáng)大的供應(yīng)鏈。我已經(jīng)在之前說過了,在此就再強(qiáng)調(diào)一遍,7nm供應(yīng)非常緊張,我們?nèi)匀辉诰o密地和臺積電合作,以確保我們能夠滿足客戶們的需求。但產(chǎn)能非常緊,我想表達(dá)的是,隨著我們繼續(xù)增加產(chǎn)能,我們能夠看到的機(jī)會(huì)就越多。”
從中我們可以看出,AMD在旗下7nm芯片批量上市一年多后,仍然受到產(chǎn)能問題的困擾,即便蘋果這種超級大客戶的訂單已全面轉(zhuǎn)為5nm,其騰出的7nm產(chǎn)能仍然無法滿足所有客戶。另外,臺積電在上個(gè)季度的環(huán)比收入增長只有0.8%,這也從側(cè)面證明其產(chǎn)能已經(jīng)接近極限。
為了在英特爾7nm芯片進(jìn)展延遲的情況下更快占領(lǐng)處理器市場,AMD加大了對臺積電7nm制程的下單量,預(yù)計(jì)2021全年7nm芯片的訂單將增加到20萬片,與今年相比增加一倍,有望在2021年成為臺積電7nm芯片的最大客戶。
結(jié)語
近幾年,三星欲趕超臺積電的愿望越來越強(qiáng)烈,其在先進(jìn)制程方面也在緊跟,且不斷加大投入,不過,從7nm和8nm這一組制程節(jié)點(diǎn)的市場影響力來看,臺積電依然處于優(yōu)勢地位,而最新量產(chǎn)的5nm,成為了新的爭奪焦點(diǎn),臺積電有蘋果這一大客戶保駕護(hù)航,而三星拿下了高通最新的驍龍888。在接下來的兩三年里,3nm、2nm將成為更具看點(diǎn)的制程,目前來看,三星很有希望在3nm節(jié)點(diǎn)處填平與臺積電之間的制程代溝。
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