終于突破了，中國芯傳來好消息，制造高端芯片的兩大難點被解決！

截至2019年，我國芯片自給率僅有30%。

這意味著，國內(nèi)超過70%的芯片，都是通過進口渠道獲得，這是一個相當可怕的數(shù)據(jù)。70%的芯片都需要進口，這揭示出兩個讓人無奈的事實。第一，我國每年需要拿出一大筆錢對外購買芯片；第二，我們隨時都面臨著被斷供芯片的危機。

而更糟糕的是，現(xiàn)在第二個事實已經(jīng)在部分中企身上應(yīng)驗了。美國之所以對華為實行芯片斷供，就是因為其看到了我國在芯片制造領(lǐng)域的巨大短板。

必須要解決國內(nèi)芯片領(lǐng)域的短板！

不然，華為今天的遭遇，將會原封不動地降臨到其他中國企業(yè)身上。

值得慶幸的是，華為今天的遭遇，已經(jīng)引起我們國家重視。在今年8月，國家出臺了多項扶持國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的政策，同時，國家還定下計劃，在2025年，中國芯片自給率必須要達到70%。

五年時間，讓國內(nèi)芯片的自給率從30%飆升至70%，這是一個相當大的目標，也很不好實現(xiàn)。當然，不好實現(xiàn)，并不意味著不可能實現(xiàn)。特別是，近段時間國內(nèi)半導(dǎo)體公司頻頻傳來捷報，更是助長了全體國人的信心。

就在本月，中國芯傳來好消息！終于突破了，制造高端芯片的兩大難點被中國成功解決！

先說高端芯片制造的第一大難點：在芯片制造過程中，光刻膠是不可或缺的材料。而以往，國內(nèi)只能制造生產(chǎn)低端芯片的光刻膠，而生產(chǎn)高端芯片所需的光刻膠，則幾乎都被日韓半導(dǎo)體企業(yè)所壟斷。

這就導(dǎo)致，如果我國想制造高端芯片，那就必須向日韓光刻膠制造商購買，而只能對外采購，無疑會極大地降低中國芯的抗風(fēng)險能力。值得欣慰的是，現(xiàn)在高端光刻膠的問題終于突破了！

就在幾天前，寧波南大光電發(fā)布重要公告，內(nèi)容大意是：該司生產(chǎn)的高端ArF光刻膠已經(jīng)通過各項測試，良品率達標。據(jù)介紹，南大光電此次通過測試的ArF光刻膠，可以用于90nm-7nm技術(shù)節(jié)點的集成電路制造工藝。

可用于90nm-7nm工藝，這意外著，后續(xù)我國在生產(chǎn)高端芯片時，無需再擔心沒有自主可控的高端光刻膠可用的問題。

而除了實現(xiàn)高端光刻膠國產(chǎn)化的目標外，在高端芯片封測的這一大難題上，我們也終于取得突破！可能有人還不了解，芯片制造的最后環(huán)節(jié)，就是封測。而封測技術(shù)的強弱，則將決定一顆芯片是否好用。

特別是高端芯片，封測步驟更是至關(guān)重要，也是一大難點！而在此之前，國內(nèi)企業(yè)掌握的封測技術(shù)，都較為低端，無法用于高端芯片。

但如今，國內(nèi)的歐菲光集團正式傳來好消息，該司已成功研發(fā)半導(dǎo)體封裝用高端引線框架。據(jù)悉，這一次歐菲光集團研發(fā)的“引線框架”，就是一種較為先進的封測技術(shù)，可用于高端芯片的封測！

一個月之內(nèi)傳來兩個有關(guān)高端芯片制造的捷報，不少國內(nèi)網(wǎng)友也是感慨道：越來越有信心了，照這個速度，等到了2025年，我們還真的有可能實現(xiàn)芯片自給率達到70%的目標。

事實上，這并非網(wǎng)友盲目樂觀，因為在上述兩家國內(nèi)半導(dǎo)體公司傳來突破的消息之前，中芯國際還傳來一個重磅消息，其研發(fā)的N＋1芯片制程工藝已經(jīng)成功流片。

而根據(jù)測試，用中芯國際N＋1工藝制造的芯片，整體水準與臺積電生產(chǎn)的7nm芯片相當接近。

解決了高端光刻膠、高端芯片封測技術(shù)這兩個大難題，再加上中芯國際也已經(jīng)可以制造水平接近臺積電7nm的芯片。

這意味著，我國已經(jīng)初步具備生產(chǎn)高端芯片的基礎(chǔ)。后續(xù)隨著這三家的技術(shù)進一步完善，五年后，我國確實有望實現(xiàn)芯片自給率達到70%的目標。

而美國的封鎖，也將不攻自破！
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