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內(nèi)存廠商篤定DDR內(nèi)存2021年反彈,價格有望上漲30%

電子工程師 ? 來源:FPGA設(shè)計論壇 ? 作者:FPGA設(shè)計論壇 ? 2021-01-08 10:18 ? 次閱讀

2020年內(nèi)存價格總體還是在下跌,DDR4內(nèi)存也到了尾聲階段,2021年服務(wù)器市場就會率先引入DDR5內(nèi)存,新時代要開始了。然而2021年的價格走勢不一樣了,內(nèi)存廠商現(xiàn)在篤定2021年價格反彈,甚至大漲30%。

對于2021年的內(nèi)存市場,此前三星等大廠給出的預(yù)期是明年Q1季度繼續(xù)跌,Q2季度持平,下半年才會開始反彈。 不過這段時間內(nèi)存市場變數(shù)頗多,三星、SK海力士、美光三大廠商繼續(xù)削減2021年的內(nèi)存投資,供應(yīng)量會比預(yù)期減少,再加上DDR3等低端內(nèi)存產(chǎn)能逐漸退出,還有美光工廠本月初意外的跳電,內(nèi)存漲價的走勢提前了。


除了美光這樣的內(nèi)存芯片巨頭之外,華邦電、威剛等內(nèi)存行業(yè)的廠商也對2021年的走勢表示了樂觀看法,認(rèn)為2021年Q1季度提前見底。至于價格漲幅,內(nèi)存行業(yè)廠商預(yù)計2021年至少上漲25%-30%,相比2020年要大幅反彈了。

責(zé)任編輯:xj

原文標(biāo)題:DDR內(nèi)存2021年反彈,價格有望上漲30%

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原文標(biāo)題:DDR內(nèi)存2021年反彈,價格有望上漲30%

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