在2017年之前，全行業(yè)的資本支出總額不超過700億美元，2017年三星狂賭存儲器，其半導(dǎo)體支出飆升到242億美元，帶動存儲器廠商掀起又一輪投資狂潮，最終帶動全球半導(dǎo)體支出在2017年創(chuàng)出956億美元新高，比2016年多出278億美元，半導(dǎo)體設(shè)備廠商賺到盆滿缽滿。

1月4日，據(jù)中國臺灣媒體報道，臺積電將2021年資本支出上調(diào)至200億美元以上——可能會達(dá)到220億美元。而1月9日，據(jù)日經(jīng)亞洲評論報道，三星電子2021年將在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)投資300億美元以上。如果計劃最終實現(xiàn)，那將是臺積電資本支出首次超過200億美元，也是三星電子在半導(dǎo)體上首次投資超過300億美元，標(biāo)志著半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)先者的金元轟炸提升到一個新級別。

300億美元是什么概念？進(jìn)入二十一世紀(jì)以來，有兩年全行業(yè)資本支出不到300億美元，分別是2002年和2009年，2003年全行業(yè)支出也僅有313億美元。也許你會說這些數(shù)據(jù)都太久遠(yuǎn)，但實際上，在2017年之前，全行業(yè)的資本支出總額不超過700億美元，2017年三星狂賭存儲器，其半導(dǎo)體支出飆升到242億美元，帶動存儲器廠商掀起又一輪投資狂潮，最終帶動全球半導(dǎo)體支出在2017年創(chuàng)出956億美元新高，比2016年多出278億美元，半導(dǎo)體設(shè)備廠商賺到盆滿缽滿。

另一組數(shù)據(jù)也很有意思。2017年至2019年中國所有半導(dǎo)體廠商資本支出為308億美元，2019年中國境內(nèi)半導(dǎo)體公司（含外資公司）生產(chǎn)的芯片總值為227億美元。也就是說，三星一年投入頂中國廠商三年投入總和，中國一年所有產(chǎn)出的芯片銷售額加起來不夠三星一年的資本支出。而大基金二期總金額為290億美元，也不到300億美元。

三星和臺積電的瘋狂投入，還有可能讓他們拉開與英特爾在制造工藝上的差距。先看三家2019年的資本支出。三星最高，達(dá)到192億美元，英特爾次之，資本支出為162億美元，臺積電第三，也有149億美元。2020年三星在半導(dǎo)體上花了265億美元，臺積電也花了170億，英特爾的數(shù)據(jù)還沒有出來，但前三個季度都比2019年同比下降，三個季度總支出為103．92億美元，不出意外的話，2020年全年資本支出應(yīng)該在150億美元之內(nèi)。

2017年之前，這三家在半導(dǎo)體支出上大體接近，2017年三星開始沖刺，但三星投入中包含大量存儲器設(shè)備投入，單純邏輯工藝投入上，三星和臺積電并沒有領(lǐng)先英特爾多少。但這兩年來，英特爾工藝開發(fā)遇到難題，時不時傳出英特爾要加大生產(chǎn)外包的消息，如果真的加大外包比例，預(yù)示著至少2021年，英特爾資本支出可能會在150億美元以下，從而第一次被臺積電資本支出拉開50億美元以上。

這對英特爾而言是非常危險的信號，先進(jìn)工藝的競爭一直是淘汰賽，一旦投入跟不上就要被市場淘汰。130納米工藝節(jié)點全球有近30個玩家，到28納米時僅剩10個玩家，其余廠商因為跟不上如此高強(qiáng)度的投資節(jié)奏而放棄先進(jìn)工藝研究，伴隨格芯（GlobalFoundries）和聯(lián)電（UMC）宣布放棄先進(jìn)工藝研發(fā)，現(xiàn)在愿意在先進(jìn)工藝上做投入的只有四個廠商，即臺積電、三星、英特爾和中芯國際。

目前來看，主要以IDM模式為主的英特爾，在先進(jìn)工藝投入上已經(jīng)遇到困難。臺積電和中芯國際是純代工模式，成本可以向多家客戶攤銷，三星除了有龐大的存儲器產(chǎn)線，其代工規(guī)模也僅次于臺積電。英特爾目前只能自己承擔(dān)先進(jìn)工藝研發(fā)，如今量產(chǎn)遇阻，無米下鍋，前期投入不能收回，也不敢加大投入只去擴(kuò)充10納米產(chǎn)能，這就異常窘迫，不投入就可能被拉開差距，但這么高昂的投入始終見不到效果，就算英特爾也吃不消。

從英特爾2020年的資本支出來看，將來找臺積電或者三星進(jìn)行大規(guī)模外包并非不可能——當(dāng)然英特爾還會保留相當(dāng)程度的自產(chǎn)比例，比如超過50%，一旦自產(chǎn)比例過低，那么英特爾將難以維持在先進(jìn)工藝上的投入，最終在先進(jìn)工藝上只有走向無晶圓這條路。

先進(jìn)工藝，終將成為少數(shù)人的游戲。

責(zé)任編輯：xj