MOS管和IGBT管都可以作為開關元件使用，它們在外形、特性參數(shù)上也比較相似，那它們到底有什么區(qū)別呢？

什么是MOS管？

MOS管是MOSFET管的簡稱，是金屬-氧化物半導體場效應晶體管，可以簡化稱為「場效應管」，MOS管主要分兩種類型：結型場效應管（JFET）和絕緣柵場效應管（MOS管）。

由于場效應管的柵極被絕緣層隔離，所以又叫絕緣柵場效應管。

MOSFET又可分為四大類：N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型。

有的MOSFET內(nèi)部會有個二極管，這是體二極管，或叫寄生二極管、續(xù)流二極管。

寄生二極管的作用，有兩種解釋：

1、MOSFET的寄生二極管，作用在于防止VDD過壓的情況下，燒壞MOS管。

2、防止MOS管的源極和漏極反接時燒壞MOS管，也可以在電路有反向感生電壓時，為反向感生電壓提供通路，避免反向感生電壓擊穿MOS管。

MOSFET有輸入阻抗高、開關速度快、熱穩(wěn)定性好、電壓控制電流等特性，可用作電路中的放大器、電子開關等。

什么是IGBT管？

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），即絕緣柵雙極型晶體管，它是由晶體三極管和MOS管組成的復合型半導體器件。

IGBT管有輸入阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡單，耐高壓，承受電流大等特性，在各種電子電路中獲得極廣泛的應用。

IGBT管內(nèi)部的體二極管并非寄生的，而是為了保護IGBT脆弱的反向耐壓而特別設置的，又稱為FWD（續(xù)流二極管）。

IGBT管非常適合應用于如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

MOS管和IGBT的結構特點

IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構成的。

相似功率容量的IGBT和MOSFET，IGBT的速度可能會慢于MOSFET，因為IGBT存在關斷拖尾時間，由于IGBT關斷拖尾時間長，死區(qū)時間也要加長，從而會影響開關頻率。

如何選擇？

在電路中，選用MOS管還是選擇IGBT管作為功率開關管，這是工程師常遇到的問題，從系統(tǒng)的電壓、電流、切換功率等因素作為考慮，可以總結出以下幾點：

總的來說，MOSFET管的優(yōu)點是高頻特性好，可工作的頻率可以達到幾百kHz、上MHz，但它的缺點在于導通電阻大在高壓大電流場合功耗較大；而IGBT在低頻及較大功率場合下表現(xiàn)卓越，其導通電阻小，耐壓高。

MOSFET管應用于開關電源、高頻感應加熱、高頻逆變焊機、鎮(zhèn)流器、通信電源等高頻電源領域；IGBT管則集中應用于焊機、電鍍電解電源、逆變器、變頻器、超音頻感應加熱等領域。

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