據(jù)日經(jīng)亞洲評論報(bào)道，長江存儲計(jì)劃今年將產(chǎn)量提高一倍，并開始率先生產(chǎn)192層3D NAND閃存。

兩名知情人士表示，長江存儲計(jì)劃到2021年下半年將存儲芯片的月產(chǎn)量提高一倍，至10萬片晶圓，約占全球總產(chǎn)量的7%。這將有助于該公司縮小與全球先進(jìn)制造商之間的差距。據(jù)悉，三星電子目前每月約生產(chǎn)48萬片晶圓，而美光的月產(chǎn)能約為18萬片。

此前4月13日，長江存儲宣布其128層QLC 3D NAND閃存研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。這標(biāo)志著國內(nèi)3D NAND領(lǐng)域正式進(jìn)入國際先進(jìn)水平。

作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，長江存儲X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。據(jù)長江存儲介紹，128層QLC版本將率先應(yīng)用于消費(fèi)級SSD，并逐步進(jìn)入企業(yè)級服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。

2020年三季度以來，長江存儲一直忙于引進(jìn)與安裝必要的生產(chǎn)設(shè)備與擴(kuò)大生產(chǎn)線。目前長江存儲同時(shí)生產(chǎn)64層與128層3D快閃記憶體晶片，但將逐步將更多產(chǎn)能轉(zhuǎn)向后者。

據(jù)透露，長江存儲最快將于2021年中展開192層3D NAND快閃晶片試產(chǎn)，將是中國半導(dǎo)體業(yè)者首次試產(chǎn)這類晶片。如三星、美光等市場一流供應(yīng)商，目前仍在開發(fā)176層3D NAND晶片，而當(dāng)前可量產(chǎn)的最先進(jìn)版本為128層NAND晶片。

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