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華為哈勃接連投資鑫耀半導(dǎo)體、錦藝新材料 支撐5G的進(jìn)一步落地

ss ? 來(lái)源:愛集微APP ? 作者:愛集微APP ? 2021-01-25 09:58 ? 次閱讀

企查查顯示,近日,哈勃科技投資有限公司(以下簡(jiǎn)稱“華為哈勃”)新增兩家對(duì)外投資企業(yè)——云南鑫耀半導(dǎo)體材料有限公司(以下簡(jiǎn)稱“鑫耀半導(dǎo)體”)和蘇州錦藝新材料科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱“錦藝新材料”)。

其中,鑫耀半導(dǎo)體成立于2013年,此次華為哈勃投資數(shù)額達(dá)3000萬(wàn)元,投資比例為23.9101%。

企查查顯示,鑫耀半導(dǎo)體是云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“云南鍺業(yè)”)控股子公司,經(jīng)營(yíng)范圍涉及半導(dǎo)體材料銷售、貨物及技術(shù)進(jìn)出口業(yè)務(wù)、半導(dǎo)體生產(chǎn)等。

2020年12月10日,云南鍺業(yè)曾發(fā)布公告顯示,云南鍺業(yè)第七屆董事會(huì)第九次會(huì)議審議通過(guò)《關(guān)于控股子公司增資擴(kuò)股暨公司放棄優(yōu)先認(rèn)繳出資權(quán)的議案》,同意控股子公司云南鑫耀半導(dǎo)體材料有限公司(以下簡(jiǎn)稱“鑫耀公司”)接受哈勃科技投資有限公司(以下簡(jiǎn)稱“哈勃投資”)以貨幣方式向其增資人民幣3000萬(wàn)元,出資額折合注冊(cè)資本3000萬(wàn)元,云南鍺業(yè)放棄對(duì)此次新增注冊(cè)資本的優(yōu)先認(rèn)繳出資權(quán)。

此前,云南鍺業(yè)在互動(dòng)平臺(tái)上表示,公司控股子公司鑫耀半導(dǎo)體生產(chǎn)的砷化鎵單晶片可用于LED領(lǐng)域。

此外,錦藝新材料官方消息顯示,錦藝新材料于2017年1月在常熟經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)設(shè)立,一直致力于材料創(chuàng)新、技術(shù)創(chuàng)新、以及產(chǎn)業(yè)化推廣。公司在裝備能力和工藝流程上處于國(guó)際先進(jìn)水平,并取得多項(xiàng)專利填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白,打破了國(guó)外對(duì)高端非金屬材料的壟斷,新材料產(chǎn)業(yè)基地規(guī)模已經(jīng)初步成型。

據(jù)悉,新材料產(chǎn)業(yè)基地將著力于材料創(chuàng)新、技術(shù)創(chuàng)新的落地實(shí)現(xiàn),推進(jìn)材料創(chuàng)新的轉(zhuǎn)量產(chǎn),借力“新基建”,支撐5G的進(jìn)一步落地。

圖片來(lái)源:企查查

責(zé)任編輯:xj

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