華為公開“芯片及其制備方法”專利：提升芯片強(qiáng)度 解決裂紋
企查查APP顯示，近日，華為技術(shù)有限公司公開一種“芯片及其制備方法、電子設(shè)備”專利，用于解決裸芯片上出現(xiàn)裂紋，導(dǎo)致裸芯片失效的問題。
該專利公開號(hào)CN112309991A，申請日2019年7月26日，公開日2021年2月2日。
華為在專利說明書中表示，電子系統(tǒng)中的核心部件則為裸芯片，裸芯片結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性決定了電子系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
然而，在現(xiàn)有技術(shù)中，制備裸芯片，或?qū)β阈酒M(jìn)行封裝時(shí)，因受熱或受壓后容易出現(xiàn)裸芯片中膜層與膜層之間開裂，或者膜層斷裂，導(dǎo)致裸芯片失效的問題。
本申請實(shí)施例提供一種芯片及其制備方法、電子設(shè)備，用于解決裸芯片上出現(xiàn)裂紋，導(dǎo)致裸芯片失效的問題。
芯片，包括功能區(qū)和位于功能區(qū)外圍的非功能區(qū)，芯片包括：半導(dǎo)體基底；多層介電層，設(shè)置于半導(dǎo)體基底上，且介 電層的一部分位于非功能區(qū)；至少一個(gè)第一加強(qiáng)件，位于非功能區(qū)；第一加強(qiáng)件嵌入至少兩層介 電層，且第一加強(qiáng)件與其嵌入的介電層相連接。
責(zé)任編輯：PSY
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