推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體 （ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ON），發(fā)布一系列新的碳化硅 （SiC） MOSFET器件，適用于功率密度、能效和可靠性攸關(guān)的高要求應(yīng)用。設(shè)計(jì)人員用新的SiC器件取代現(xiàn)有的硅開關(guān)技術(shù)，將在電動(dòng)汽車（EV）車載充電器（OBC）、太陽能逆變器、服務(wù)器電源（PSU）、電信和不間斷電源（UPS）等應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)顯著更好的性能。

安森美半導(dǎo)體新的車規(guī)AECQ101和工業(yè)級合格的650伏（V）SiC MOSFET基于一種新的寬禁帶材料，提供比硅更勝一籌的開關(guān)性能和更好的熱性能，因而提高系統(tǒng)級能效、功率密度，及減小電磁干擾（EMI）、系統(tǒng)尺寸和重量。

新一代SiC MOSFET采用新穎的有源單元設(shè)計(jì)，結(jié)合先進(jìn)的薄晶圓技術(shù)，可在650V擊穿電壓實(shí)現(xiàn)同類最佳的品質(zhì)因數(shù)Rsp（Rdson*area）。NVBG015N065SC1、NTBG015N065SC1、NVH4L015N065SC1和NTH4L015N065SC1采用D2PAK7L和To247封裝，具有市場最低的Rdson （12 mOhm）。這技術(shù)還優(yōu)化能量損失品質(zhì)因數(shù)，從而優(yōu)化了汽車和工業(yè)應(yīng)用中的性能。內(nèi)置門極電阻 （Rg）為設(shè)計(jì)人員提供更大的靈活性，而無需使用外部門極電阻人為地降低器件的速度。更高的浪涌、雪崩能力和短路魯棒性都有助于增強(qiáng)耐用性，從而提供更高的可靠性和更長的器件使用壽命。

安森美半導(dǎo)體先進(jìn)電源分部高級副總裁Asif Jakwani在發(fā)布新品時(shí)說：

“在現(xiàn)代電源應(yīng)用中，如電動(dòng)汽車（EV）車載充電器（OBC）和可再生能源、企業(yè)計(jì)算及電信等其他應(yīng)用，高能效、可靠性和功率密度是設(shè)計(jì)人員一直面臨的挑戰(zhàn)。這些新的SiC MOSFET比同等的硅開關(guān)技術(shù)顯著提高性能，使工程師能夠滿足這些具有挑戰(zhàn)性的設(shè)計(jì)目標(biāo)。增強(qiáng)的性能降低損耗，從而提高能效，減少熱管理需求，并降低電磁干擾（EMI）。使用這些新的SiC MOSFET的最終結(jié)果是更小、更輕、更高效和更可靠的電源方案。”

新器件均為表面貼裝，并提供行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝類型，包括TO247和D2PAK。

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