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電弧打火機(jī)應(yīng)用100vMOS 打火猛低內(nèi)阻25N10貼片MOS管 溫升低HG021N10L

100V耐壓MOS管 ? 來源:惠海半導(dǎo)體 ? 作者:惠海半導(dǎo)體 ? 2021-02-23 13:53 ? 次閱讀

惠海半導(dǎo)體專業(yè)從事30-150V中低壓MOS管的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)與銷售,性價(jià)比高,量產(chǎn)穩(wěn)定成熟,提供方案及技術(shù)支持。

場效應(yīng)管廣泛使用在模擬電路中與數(shù)字電路中,和我們的生活密不可分。場效應(yīng)管的優(yōu)勢在于:首先驅(qū)動電路比較簡單。場效應(yīng)管需要的驅(qū)動電流比BJT則小得多,而且通??梢灾苯佑蒀MOS或者集電極開路TTL驅(qū)動電路;某次場效應(yīng)管的開關(guān)速度比較迅速,能夠以較高的速度工作,因?yàn)闆]有電荷存儲效應(yīng);另外場效應(yīng)管沒有二次擊穿失效機(jī)理,它在溫度越高時(shí)往往耐力越強(qiáng),而且發(fā)生熱擊穿的可能性越低,還可以在較寬的溫度范圍內(nèi)提供較好的性能。場效應(yīng)管已經(jīng)得到了大量應(yīng)用,在消費(fèi)電子工業(yè)產(chǎn)品、機(jī)電設(shè)備、智能手機(jī)以及其他便攜式數(shù)碼電子產(chǎn)品中隨處可見。

惠海半導(dǎo)體MOS管采用SGT工藝,性能優(yōu)越,品質(zhì)好,具有高頻率、大電流、低開啟電壓、低內(nèi)阻、結(jié)電容小、低消耗、低溫升、高轉(zhuǎn)換效率、過電流大、抗沖擊能力強(qiáng)、開關(guān)損耗小等的優(yōu)點(diǎn)。

【免費(fèi)提供方案及技術(shù)支持,免費(fèi)提供樣品測試~】

MOS管型號:HG021N10L-A

參數(shù):100V25A(25N10)

內(nèi)阻:25mR(VGS=10V)

結(jié)電容:839pF

類型:SGT工藝NMOS

開啟電壓:1.4V

封裝:TO-252

pIYBAGAzXWqAaXdUAAC1KVRaq4I942.jpg

【惠海MOS管常規(guī)封裝】SOT23-3、TO-252、SOP-8、TO-220、TO-263、DNF3*3等

【惠海MOS管常規(guī)型號】17N06 30N06 50N06 70N03 50N03 30N03 5N10 10N10 17N10 25N10 3400

【惠海半導(dǎo)體直銷】30V 60V 100V mos管 3A 5A 10A 15A 25A 30A 50A貼片mos管 SOT23封裝 TO-252 SOP-8 DFN3*3封裝mos管

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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