存儲器類型有很多，常見的有ROM（Read-onlymemory只讀的），RAM（Random-accessmemory可讀可寫的），還有一類被大家忽略的CAM（可以自行百度）。

網(wǎng)上另一種方法把SRAM/DRAM/DDRAM歸為RAM類，ROM/EEPROM/HDD/FLASH歸到ROM類。其實，這種歸類方法大致是以掉電是否丟失信息的標(biāo)準(zhǔn)劃歸的，而不是簡單的readonly。 下文不采用上述方法分類

目前主流存儲器大部分都是RAM，在RAM中按原理還分為兩類——易失性的（Volatile）和非易失的（Non-Volatile），區(qū)別在于斷電后是否保存數(shù)據(jù)。易失性存儲器有SRAM、DRAM、SDRAM和DDR等，主要用途分別是高速緩存（cache）和內(nèi)存條。非易失性存儲器主要是包含硬盤（磁學(xué)，HardDisk Drive, HDD）、Flash、光盤（光學(xué)），用在我們的U盤，SD卡和SSD硬盤中。下文中不涉及光學(xué)的光盤和磁學(xué)的硬盤。

01 ROM

ROM 是英文Read-OnlyMemory的縮寫，翻譯成中文就是"只能讀取的記憶"，計算機術(shù)語叫"只讀存儲器"。這種存儲器里的內(nèi)容是人們在制作好它之后，用電子工藝預(yù)先寫進去的。在這之后一般就不能修改它里面的內(nèi)容了，而只能從中讀取內(nèi)容，不過也有可擦寫的ROM，里面的數(shù)據(jù)是不會掉的。

02 非易失性RAM

2.1原理

FlashMemory的標(biāo)準(zhǔn)物理結(jié)構(gòu)稱之為位（cell），其特色為一般MOS的閘極（Gate）和通道的間隔為氧化層之絕緣（gateoxide），而FlashMemory在控制閘（Controlgate）與通道間卻多了一層物質(zhì)，稱之為浮閘（floatinggate）。拜這層浮閘之賜，使得FlashMemory可以完成三種基本操作模式，亦即讀（byte或word）、寫（byte或word）、抹除（一個或多個內(nèi)存空間），就算在不提供電源給內(nèi)存的環(huán)境下，也能透過此浮閘，保存數(shù)據(jù)的完整性。

由于浮閘的物理特性與結(jié)構(gòu)，使得當(dāng)浮閘被注入負電子時，此一位就由數(shù)字"1"被寫成"0"；相對的當(dāng)負電子從浮閘中移走后，此一位就由數(shù)字"0"變成"1"，此過程稱之為抹除。目前產(chǎn)業(yè)界有許多將負電子注入浮閘或移除技術(shù)的探討，其中熱電子注入法（hot-electroninjection），是當(dāng)源極（source）接地，控制閘的電壓大于汲極（Drain）的電壓時，浮閘與通道間氧化層的能量帶會變得很狹隘，因此在通道中的負電子會被加速自通道上跳到浮閘中，進而完成寫的動作。同樣的原理可以運用在抹除的功能上，當(dāng)控制閘接地且源極接至一個高壓時，浮閘上的負電子將會自浮閘中拉至源極，進而完成抹除的動作。FlashMemory就是透過這種負電子存放或移除于浮閘的原理，使得本身具有重復(fù)讀寫的特性。

2.2發(fā)展

首先登場的EEPROM，在1970年代初期，各種公司和組織進行了電可重新編程非易失性存儲器的一些研究，發(fā)明和開發(fā)。1971年，最早的研究報告已提交第三次會議上的固態(tài)設(shè)備，東京的樽井康夫，豐林，和永井清子在日本電工實驗室;日本國家研究所。他們在1972年制造了EEPROM器件。

EEPROM組織為浮柵晶體管陣列。EEPROM可以通過施加特殊的編程信號進行在線編程和擦除。最初，EEPROM僅限于單字節(jié)操作，這使其運行速度較慢，但是現(xiàn)代EEPROM允許多字節(jié)頁面操作。EEPROM的擦除和重新編程壽命有限。

1980年在EEPROM基礎(chǔ)上發(fā)明了閃存，也就是Flash，可以對其進行電擦除和重新編程。閃存的兩種主要類型，即NOR閃存和NAND閃存，以NAND和NOR邏輯門命名。閃存的一個主要缺點是，它只能在特定塊中忍受相對較少的寫周期。東芝于1987年向市場推出了閃存。閃存具有非易失性之外，閃存還提供了快速的讀取訪問時間，盡管不如靜態(tài)RAM或ROM快。它的機械抗震性有助于解釋其在便攜式設(shè)備中優(yōu)于硬盤的原因。

由于閃存的成本遠低于字節(jié)可編程EEPROM，并且在系統(tǒng)需要大量非易失性固態(tài)存儲的任何地方，閃存已成為主導(dǎo)的存儲類型。但是，EEPROM仍用于僅需要少量存儲的應(yīng)用，例如在串行狀態(tài)檢測中。

NAND和NORflash的差別。從下圖來看，顯然，NANDflash的gate的source和drain都是連續(xù)的，呈casode鏈接，所以每個cell的面積要小得多，而NOR的所有source和drain都是分開的，占用更多面積。另外，NOR的每個cell都和bitline有連接，可以隨機任意讀取。而NANDcell只有最頭上的cell連上了bitline，因此只能順序塊狀讀取。因此NAND往往容量大，但是不能隨機讀取，而NOR雖然容量受限，但是讀取方便。

NorFlash

NORFlash需要很長的時間進行抹寫，但是它提供完整的尋址與數(shù)據(jù)總線，并允許隨機存取存儲器上的任何區(qū)域，這使的它非常適合取代老式的ROM芯片。NORFlash可以忍受一萬到一百萬次抹寫循環(huán)，它同時也是早期的可移除式快閃存儲媒體的基礎(chǔ)。

NandFlash

NAND Flash是東芝在1989年的國際固態(tài)電路研討會(ISSCC)上發(fā)表的，要在NandFlash上面讀寫數(shù)據(jù)，要外部加主控和電路設(shè)計。NANDFlash具有較快的抹寫時間,而且每個存儲單元的面積也較小，這讓NANDFlash相較于NORFlash具有較高的存儲密度與較低的每比特成本。同時它的可抹除次數(shù)也高出NORFlash十倍。然而NANDFlash 的I/O接口并沒有隨機存取外部地址總線，它必須以區(qū)塊性的方式進行讀取，NANDFlash典型的區(qū)塊大小是數(shù)百至數(shù)千比特。

物理結(jié)構(gòu)大概介紹完畢之后，剩下就各種協(xié)會的協(xié)議了。

MMC的全稱是”MultiMediaCard”，MMC是一種通信協(xié)議，支持兩種模式SPI和MMC。MMC模式是標(biāo)準(zhǔn)的默認模式，具有MMC的全部特性。而SPI模式則是MMC存貯卡可選的第二種模式，這個模式是MMC協(xié)議的一個子集。

下面介紹的SD卡，emmc，UFS是IC芯片，詳細點說，NANDFlash 是一種存儲介質(zhì)，要在上面讀寫數(shù)據(jù)，外部要加主控和電路設(shè)計，eMMC是NANDflash+主控IC，對外的接口協(xié)議與SD、TF卡類似；對廠家而言簡化了電路設(shè)計，降低了成本。

SD卡數(shù)據(jù)傳送和物理規(guī)范由MMC發(fā)展而來，大小和MMC差不多。長寬和MMC一樣，比MMC稍微厚了一點。兼容性方面SD卡向下兼容多媒體卡（MultiMedia Card）。所以SD卡也支持SPI接口訪問。

emmc存儲芯片簡化了存儲器的設(shè)計，將NANDFlash芯片和控制芯片以MCP技術(shù)封裝在一起，省去零組件耗用電路板的面積，同時也讓手機廠商或是計算機廠商在設(shè)計新產(chǎn)品時的便利性大大提高。eMMC則在其內(nèi)部集成了FlashController，包括了協(xié)議、擦寫均衡、壞塊管理、ECC校驗、電源管理、時鐘管理、數(shù)據(jù)存取等功能。相比于直接將NANDFlash接入到Host端，eMMC屏蔽了NAND Flash 的物理特性，可以減少Host 端軟件的復(fù)雜度，讓Host 端專注于上層業(yè)務(wù)，省去對NAND Flash 進行特殊的處理。同時，eMMC通過使用Cache、MemoryArray 等技術(shù)，在讀寫性能上也比NAND Flash要好很多。另一方面，emmc的讀寫速度也比NANDFlash的讀寫速度快，emmc的讀寫可高達每秒50MB到100MB以上。

關(guān)注手機圈的同學(xué)經(jīng)常聽到UFS這個詞，下面就講述下UFS和emmc的關(guān)系。

電腦上，從HDD到SSD，從SATASSD到PCIeSSD，硬盤是越來越快；

手機上，從SD卡，到eMMC卡，再到UFS卡，存儲卡的速度也是越來越快。

UFS（UniversalFlashStorage）通用閃存存儲。它有兩個意思，一是指手機存儲接口協(xié)議，類似SATA，PCIe/NVMe；二是使用該協(xié)議的存儲設(shè)備。UFS最新標(biāo)準(zhǔn)是UFS3.0，于2018年1月30日發(fā)布。它最大帶寬可以達到2163MB/s！4倍SATA3.0的速度（600MB/s），超過PCIe3.0x2的速度（2GB/s單向速度）。

不過，目前市面上的UFS產(chǎn)品還是UFS2.0/2.1，其最大帶寬1081MB/s，也是秒殺一般的SSD。

UFS解決了emmc的很多痛點，eMMC，使用的是并行數(shù)據(jù)傳輸。并行最大的問題是速度上不去，因為一旦時鐘上去，干擾就變大，信號完整性無法保證。UFS使用差分信號，并且是全雙工模式。UFS是手機存儲的未來，關(guān)于UFS有很多內(nèi)容，這里不再講述了。

2.3摩爾定律

上面講述非易失性RAM的發(fā)展，基本都是協(xié)議的更新，不同IC芯片的設(shè)計等等。

著名的摩爾定律：集成電路上可以容納的晶體管數(shù)目在大約每經(jīng)過24個月便會增加一倍。

由此可見，工藝的提升和不同廠家的技術(shù)，對于非易失性RAM的性能提升有很大的作用，特別是在容量上的提升。

早在十年前，NANDflash早已撞上了摩爾定律落幕的鐵墻。由于flash擦寫需要高壓，所以，在16nm以下工藝里，高壓很容易串?dāng)_到相近的gate導(dǎo)致錯誤地寫入。

從現(xiàn)在往回看，我們會突然發(fā)現(xiàn)，過去的10年，無論是DRAM還是NANDflash都在3D化的道路上越走越遠。在NANDflash領(lǐng)域，存儲器巨頭們分別提出了各種堆疊式的flash的夠做，如下圖

3D NANDflash并不是多個芯片的堆疊，而是直接把NAND的豎起來造。這樣，在單位面積上，存在的晶體管數(shù)量就是堆疊的數(shù)量。于是，摩爾定律指望晶體管面積下將，轉(zhuǎn)為了堆疊層數(shù)的增加。目前，據(jù)說64層甚至更高層數(shù)的NANDflash已經(jīng)投入量產(chǎn)。

03 易失性RAM

易失性隨機存取半導(dǎo)體存儲器的兩種主要類型是靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）和動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）。半導(dǎo)體RAM的商業(yè)用途可以追溯到1965年，當(dāng)時IBM為他們的System/ 360 Model 95計算機引入了SP95SRAM芯片，而東芝則為其ToscalBC-1411電子計算器使用了DRAM存儲單元，兩者均基于雙極晶體管?；贛OS晶體管的商用MOS存儲器是在1960年代后期開發(fā)的，此后一直是所有商用半導(dǎo)體存儲器的基礎(chǔ)。1970年10月推出了第一款商用DRAMIC芯片Intel1103。同步動態(tài)隨機存取存儲器（SDRAM）隨后于1992年與三星KM48SL2000芯片一起首次亮相。

3.1原理

存儲器單元是計算機存儲器的基本構(gòu)建塊。所述存儲器單元是一個電子電路，它存儲一個比特的二進制信息，它必須被設(shè)置為存儲邏輯1（高電壓電平）和復(fù)位以存儲邏輯0（低電壓電平）。它的值一直保持/存儲，直到通過設(shè)置/重置過程對其進行更改。可以通過讀取來訪問存儲單元中的值。

在SRAM中，存儲單元是一種觸發(fā)器電路，通常使用FET來實現(xiàn)。這意味著SRAM在不被訪問時需要非常低的功耗，但是它昂貴且存儲密度低。

第二種類型，DRAM，基于電容器。對該電容器進行充電和放電可以在電池中存儲“1”或“0”。但是，該電容器中的電荷會慢慢泄漏掉，必須定期刷新。由于此刷新過程，DRAM使用更多的功率，但與SRAM相比，它可以實現(xiàn)更大的存儲密度和更低的單位成本。

3.2發(fā)展

MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管），也被稱為MOS晶體管，由穆罕默德M.Atalla和達沃·卡在貝爾實驗室，1959年導(dǎo)致的發(fā)展金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）由John施密特存儲器在仙童半導(dǎo)體公司在1964年除了更高的性能，MOS半導(dǎo)體存儲器是便宜和消耗比磁芯存儲器更少的功率。費德里科·法金（FedericoFaggin）開發(fā)的硅柵MOS集成電路（MOSIC）技術(shù)1968年在仙童半導(dǎo)體公司（Fairchild）實現(xiàn)了MOS存儲芯片的生產(chǎn)。在1970年代初期，MOS存儲器已取代磁芯存儲器成為主導(dǎo)的存儲器技術(shù)。

1963年，F(xiàn)airchildSemiconductor的RobertH. Norman發(fā)明了集成的雙極靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）。1964年，F(xiàn)airchild的JohnSchmidt發(fā)明了MOSSRAM。SRAM成為了一種替代磁芯內(nèi)存，但需要6個MOS晶體管的每個比特的數(shù)據(jù)。SRAM的商業(yè)使用始于1965年，當(dāng)時IBM為System/ 360 Model 95推出了SP95存儲芯片。

動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）允許為每個存儲位用單個晶體管替換4或6晶體管鎖存電路，從而以易失性為代價大大提高了存儲密度。數(shù)據(jù)存儲在每個晶體管的微小電容中，必須每隔幾毫秒定期刷新一次，以免電荷泄漏。東芝于1965年推出的ToscalBC-1411電子計算器，使用了一種電容性雙極DRAM形式，將180位數(shù)據(jù)存儲在由鍺雙極晶體管和電容器組成的離散存儲單元中。。盡管雙極DRAM提供了比磁芯存儲器更高的性能，但它無法與當(dāng)時占主導(dǎo)地位的磁芯存儲器的較低價格競爭。

MOS技術(shù)是現(xiàn)代DRAM的基礎(chǔ)。1966年，博士羅伯特·丹納德在IBMThomas J.Watson研究中心正在對MOS內(nèi)存。在檢查MOS技術(shù)的特性時，他發(fā)現(xiàn)它可以構(gòu)建電容器，并且在MOS電容器上存儲電荷或不存儲電荷可以表示1和0，而MOS晶體管可以控制將電荷寫入到MOS。電容器。這導(dǎo)致他開發(fā)了單晶體管DRAM存儲單元。1967年，丹納德（Dennard）向IBM申請了一項基于MOS技術(shù)的單晶體管DRAM存儲單元的專利。第一個商用DRAMIC芯片是Intel1103，它是它是在8 μm MOS工藝上制造的，容量為1Kibit，并于1970年發(fā)布。

同步動態(tài)隨機存取存儲器（SDRAM）由SamsungElectronics開發(fā)。第一個商業(yè)SDRAM芯片是三星KM48SL2000，其容量為16Mibit。它由三星于1992年推出，并于1993年批量生產(chǎn)。第一個商用DDRSDRAM（雙倍數(shù)據(jù)速率SDRAM）存儲芯片是1998年6月發(fā)布的三星64Mibit DDR SDRAM芯片。GDDR（圖形DDR）是DDRSGRAM（同步圖形RAM）的一種形式，它于1998年由三星作為16Mibit存儲芯片首次發(fā)布。

3.3總結(jié)

SRAM（StaticRandom AccessMemory，靜態(tài)隨機存儲器），它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。優(yōu)點是速度快，不必配合內(nèi)存刷新電路，可提高整體的工作效率。缺點是集成度低，功耗較大，相同的容量體積較大，而且價格較高，少量用于關(guān)鍵性系統(tǒng)以提高效率。

DRAM（DynamicRandom AccessMemory，動態(tài)隨機存儲器）是最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。

SDRAM：（SynchronousDynamic Random AccessMemory，同步動態(tài)隨機存取存儲器），是在DRAM的基礎(chǔ)上發(fā)展而來，為DRAM的一種，同步是指Memory工作需要同步時鐘，內(nèi)部命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以時鐘為基準(zhǔn)；動態(tài)是指存儲陣列需要不斷的刷新來保證數(shù)據(jù)不丟失；隨機是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲，而是由指定地址進行數(shù)據(jù)讀寫。

DDRSDRAM又是在SDRAM的基礎(chǔ)上發(fā)展而來，這種改進型的DRAM和SDRAM是基本一樣的，不同之處在于它可以在一個時鐘讀寫兩次數(shù)據(jù)，這樣就使得數(shù)據(jù)傳輸速度加倍了。這是目前電腦中用得最多的內(nèi)存，而且它有著成本優(yōu)勢。

后面的就是電腦里熟悉的DDR2SDRAM、DDR3SDRAM和DDR4SDRAM了。

04 總結(jié)

一個圖總結(jié)下

原文標(biāo)題：存儲器RAM原理與分類

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