Intel在CES 2021展會(huì)對(duì)第12代酷睿Alder Lake做了官方預(yù)熱，除了引入全新內(nèi)核微架構(gòu)和大小核設(shè)計(jì)外，最為重要的是支持下一代DDR5內(nèi)存。目前各大主板廠(chǎng)也已開(kāi)始設(shè)計(jì)下一代Intel 600系列主板，經(jīng)歷過(guò)DDR4產(chǎn)品的200~400系列主板，廠(chǎng)商已深知對(duì)內(nèi)存投入研發(fā)可以間接提升主板品牌高度，因此全新的DDR5內(nèi)存也將成為主板廠(chǎng)商研發(fā)競(jìng)速的因素。

人類(lèi)對(duì)速度的追求是永無(wú)止境的，在電競(jìng)電腦領(lǐng)域里，影響電腦游戲性能指標(biāo)的配件有CPU/內(nèi)存/顯卡，而直接影響游戲性能的除了架構(gòu)設(shè)計(jì)之外最為重要的參數(shù)便是產(chǎn)品的工作頻率。CPU配件里Intel與AMD品牌產(chǎn)品，在近10年CPU的主頻發(fā)展緩慢，始終停留在4500~5300MHz左右；顯卡配件里NVIDIA和AMD的產(chǎn)品GPU頻率發(fā)展則更為緩慢，目前最高GPU核心頻率為2581MHz（RX 6700 XT）；內(nèi)存則發(fā)展較為迅速，它經(jīng)歷了DDR3到DDR4轉(zhuǎn)變，工作頻率一路逼近并超越CPU主頻，目前DDR4內(nèi)存最高的工作頻率為5600MHz。

雖然JEDEC制定了不同種類(lèi)內(nèi)存的規(guī)范，但在電競(jìng)市場(chǎng)中各內(nèi)存品牌廠(chǎng)商都會(huì)進(jìn)行研發(fā)推出更高性能的內(nèi)存產(chǎn)品，如DDR3內(nèi)存JEDEC規(guī)范中內(nèi)存頻率最高為1600MHz，但在DDR3后期有2800~3200MHz頻率的內(nèi)存產(chǎn)品；DDR4內(nèi)存JEDEC規(guī)范主流從2133~3200MHz，但當(dāng)下DDR4高性能內(nèi)存已發(fā)展到4800~5600MHz；DDR5作為下一代高性能內(nèi)存規(guī)格，JEDEC規(guī)范了DDR5內(nèi)存工作頻率范圍為3200~8400MHz，相比DDR4提高了1.6倍以上的工作頻率，朗科內(nèi)存產(chǎn)品總監(jiān)表示，在結(jié)合內(nèi)存性能的過(guò)往發(fā)展/研發(fā)路程以及對(duì)玩家速度的追求，將投入研發(fā)可達(dá)10000MHz以上的DDR5內(nèi)存產(chǎn)品。

作為本土存儲(chǔ)品牌朗科早在2018年便進(jìn)入內(nèi)存行業(yè)，并在近期推出新款電競(jìng)/國(guó)產(chǎn)化內(nèi)存產(chǎn)品，目前朗科DDR5內(nèi)存也已進(jìn)入研發(fā)階段，首批DDR5 DRAM內(nèi)存顆粒已抵達(dá)研發(fā)總部。

首批到的是Micron DDR5 ES顆粒，IC編號(hào)為Z9ZSB，根據(jù)Micron官網(wǎng)查詢(xún)?yōu)镋S樣品，顆粒容量為2Gx8，工作時(shí)序?yàn)?0-40-40。

基于1znm工藝制造，尺寸為11x9mm，以下為顆粒高清圖賞。