是德科技開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室主題日（Application Focus Day）從2012年正式舉辦以來(lái)，是德科技北京/上海/深圳/成都四個(gè)實(shí)驗(yàn)室為各個(gè)地區(qū)的用戶(hù)每年都帶來(lái)10場(chǎng)以上的技術(shù)專(zhuān)題活動(dòng)。開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室主題日的目的是向用戶(hù)展示是德科技最高性能的測(cè)試設(shè)備，最先進(jìn)的測(cè)試手段，為產(chǎn)品驗(yàn)證最佳的測(cè)試方案。主題日一直受到廣大用戶(hù)的支持和好評(píng)，在業(yè)界得到了非常好的口碑，也創(chuàng)造了是德科技開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室的一個(gè)品牌形象。

電源模塊是電子產(chǎn)品心臟，70%以上的電子產(chǎn)品損壞都來(lái)自于電源部件，而功率開(kāi)關(guān)器件則是電源模塊中最容易損壞的元器件。

為了選擇更好的功率開(kāi)關(guān)器件，或者尋找器件損壞的原因，詳細(xì)的測(cè)試其靜態(tài)（B1505A/B1506A）和動(dòng)態(tài)參數(shù)極為重要。特別是寬禁帶器件（SiC，GaN）的發(fā)展和廣泛應(yīng)用，開(kāi)關(guān)速度越來(lái)越快，器件的開(kāi)關(guān)損耗超過(guò)靜態(tài)損耗成為主要功耗來(lái)源，器件的動(dòng)態(tài)參數(shù)也成為評(píng)估器件性能的重要參數(shù)，寬禁帶器件快速的開(kāi)關(guān)速度給動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試帶來(lái)了極大的挑戰(zhàn)。

動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)要求極低的回路電感、足夠的示波器/探頭和連接線(xiàn)帶寬、高精度和可重復(fù)的測(cè)試結(jié)果以及安全的測(cè)試環(huán)境。是德科技于2019年下半年在原先IGBT和SiC/SiMOSFET PD1500A雙脈沖測(cè)試平臺(tái)基礎(chǔ)上推出GaN MOSFET動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),目前已經(jīng)在諸多功率器件廠(chǎng)商、測(cè)試實(shí)驗(yàn)室、高校和研究所中廣泛使用。

該系統(tǒng)樣機(jī)于2021年5月17日下午到5月21日下午在成都開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室展示，以支持川渝地區(qū)功率器件產(chǎn)業(yè)的發(fā)展?？梢灾С挚蛻?hù)TO247和D2PAK 封裝IGBT，Si/SiC MOSFET，TO-220封裝 CASCODEGaN MOSFET的測(cè)試，演示GaN System GS66508B、英諾賽科INN650D02等GaN MOSFET的實(shí)際測(cè)試，交流動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試技術(shù)等。

PD1500A 測(cè)試項(xiàng)目：

開(kāi)關(guān)特性（開(kāi)關(guān)時(shí)間，延遲，能量，開(kāi)關(guān)曲線(xiàn)等）

反向恢復(fù)特性（時(shí)間，電流，能量等）

Qg

IV曲線(xiàn)

短路測(cè)試，雪崩測(cè)試（coming soon）

原文標(biāo)題：是德科技開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室主題日: PD1500A 動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)應(yīng)用及演示 (成都，5月17日~21日）

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