5月31日，上海證券交易所網(wǎng)站顯示，碳化硅襯底材料企業(yè)山東天岳科創(chuàng)板IPO申請獲得受理，山東天岳成立于2010年，主營業(yè)務(wù)是寬禁帶半導(dǎo)體（第三代半導(dǎo)體）碳化硅襯底材料的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，產(chǎn)品可應(yīng)用于微波電子、電力電子等領(lǐng)域。

招股書顯示，目前公司主要產(chǎn)品包括半絕緣型和導(dǎo)電型碳化硅襯底。經(jīng)過十余年的技術(shù)發(fā)展，已掌握涵蓋了設(shè)備設(shè)計、熱場設(shè)計、粉料合成、晶體生長、襯底加工等環(huán)節(jié)的核 心技術(shù)，自主研發(fā)了不同尺寸半絕緣型及導(dǎo)電型碳化硅襯底制備技術(shù)。本次向社會公眾公開發(fā)行新股的募集資金扣除發(fā)行費用后將主要用于碳化硅半導(dǎo)體材料項目。

值得關(guān)注的是，華為旗下的哈勃科技是山東天岳的第三大股東，持股比例8.37%，據(jù)企查查資料，山東天岳還曾獲得中微半導(dǎo)體、深創(chuàng)投、先進制造產(chǎn)業(yè)投資基金二期等企業(yè)、機構(gòu)的投資。

市場地位：半絕緣型碳化硅襯底市場世界前三

碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領(lǐng)域，處于寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈 的前端，是前沿、基礎(chǔ)的核心關(guān)鍵材料。因其重大的戰(zhàn)略意義，2008 年《瓦森納協(xié)定》就對半絕緣型碳化硅襯底材料進行明確的限制，部分西方發(fā)達國家作為協(xié)定成員國對我國實施嚴(yán)格禁運，制約了我國國防和新一代信息通信的發(fā)展，對國家發(fā)展、產(chǎn)業(yè)鏈安全造成嚴(yán)重威脅。

在此背景下，山東天岳作為我國碳化硅襯底領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，在國家亟需的時候，擔(dān)當(dāng)起國家核心戰(zhàn)略物資的保障供應(yīng)重任，批量供應(yīng)了半絕緣型碳化硅襯底材料，成功實現(xiàn)該產(chǎn)品的自主可控。根據(jù)國際知名行業(yè)咨詢機構(gòu)Yole的統(tǒng)計，2019 年及2020年公司已躋身半絕緣型碳化硅襯底市場的世界前三。

同時，公司分別作為 863 計劃新材料技術(shù)領(lǐng)域中導(dǎo)電型碳化硅襯底相關(guān)研究 課題和《2013 年新材料研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化專項項目》中導(dǎo)電型碳化硅襯底相關(guān)項目 的牽頭單位之一，已成功掌握了導(dǎo)電型碳化硅襯底材料制備的技術(shù)和產(chǎn)業(yè)化能力。在優(yōu)先保障半絕緣型碳化硅襯底材料戰(zhàn)略供應(yīng)之余，公司同時進行導(dǎo)電型碳化硅襯底材料的研發(fā)和小批量銷售，所制備的襯底正在電力電子領(lǐng)域客戶中進行驗證。

未來戰(zhàn)略：做好技術(shù)提升、管理提升、穩(wěn)步擴擴大產(chǎn)能

山東天岳是一家國內(nèi)領(lǐng)先的寬禁帶半導(dǎo)體襯底材料制造商，致力于碳化硅襯底的研發(fā)和生產(chǎn)，截至2020年末，公司擁有授權(quán)專利286項，其中境內(nèi)發(fā)明專利66項，境外發(fā)明專利1項。通過數(shù)千次的研發(fā)及工程化試驗，公司核心技術(shù)不斷創(chuàng)新，所制產(chǎn)品已達到國內(nèi)領(lǐng)先、國際先進水平。

公司已同時具備半絕緣型碳化硅襯底材料和導(dǎo)電型碳化硅襯底材料的研發(fā)技術(shù)產(chǎn)業(yè)化能力，報告期內(nèi)，公司碳化硅襯底產(chǎn)量（各尺寸產(chǎn)量簡單相加數(shù)）合計分別為11,463 片、20,159片和47,538片。為滿足國家戰(zhàn)略需要，公司將報告期內(nèi)的產(chǎn)能主要用于半絕緣型碳化硅襯底的生產(chǎn)。

未來，為實現(xiàn)公司的愿景目標(biāo)，滿足不斷擴大的市場需求和國家經(jīng)濟建設(shè)的需要，并積極參與國際競爭，公司制定了清晰的發(fā)展戰(zhàn)略：一是做好技術(shù)提升，公司將持續(xù)加大科研投入及人才培養(yǎng)力度，加快推動核心關(guān)鍵技術(shù)創(chuàng)新升級；二是做好管理提升，公司將不斷完善和優(yōu)化公司的組織管理體系，為公司科學(xué)高效的運營管理提供有力保障；三是要通過增加投資、建設(shè)智慧工廠的方式穩(wěn)步擴大產(chǎn)能，滿足下游市場需要。

碳化硅半導(dǎo)體行業(yè)的戰(zhàn)略意義

碳化硅襯底是新近發(fā)展的寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料，以其制作的器件具有耐高溫、耐高壓、高頻、大功率、抗輻射等特點，具有開關(guān)速度快、效率高的優(yōu)勢，可大幅降低產(chǎn)品功耗、提高能量轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品體積。目前，碳化硅半導(dǎo)體主要應(yīng)用于以5G通信、國防軍工、航空航天為代表的射頻領(lǐng)域和以新能源汽車、“新基建”為代表的電力電子領(lǐng)域，在民用、軍用領(lǐng)域均具有明確且可觀的市場前景。

同時，我國“十二五”、“十三五”及“十四五”規(guī)劃均已將碳化硅半導(dǎo)體納入重點支持領(lǐng)域，隨著國家“新基建”戰(zhàn)略的實施，碳化硅半導(dǎo)體將在 5G 基站建設(shè)、特高壓、城際高速鐵路和城市軌道交通、新能源汽車充電樁、大數(shù)據(jù)中心等新基 建領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。因此，以碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體是面向經(jīng)濟主戰(zhàn)場、面向國家重大需求的戰(zhàn)略性行業(yè)。

全球?qū)捊麕О雽?dǎo)體行業(yè)目前總體處于發(fā)展初期階段，相比硅和砷化鎵等半導(dǎo)體而言，在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域我國和國際巨頭公司之間的整體技術(shù)差距相對較小。另外，由于寬禁帶半導(dǎo)體的下游工藝制程具有更高的包容性和寬容度，下游制造環(huán)節(jié)對設(shè)備的要求相對較低，投資額相對較小，制約寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)快速發(fā)展的關(guān)鍵之一在上游材料端。因此，我國若能在寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)上游襯底材料行業(yè)實現(xiàn)突破，將有望在半導(dǎo)體行業(yè)實現(xiàn)換道超車。