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詳解過流保護(hù)電路原理以及構(gòu)成

硬件那點(diǎn)事兒 ? 來源:硬件那點(diǎn)事兒 ? 作者:硬件那點(diǎn)事兒 ? 2022-04-14 07:40 ? 次閱讀

一.前言

一般我們用保險(xiǎn)來實(shí)現(xiàn)過流保護(hù)的功能,簡單,成本低,但是保險(xiǎn)屬于物理保護(hù),通過自爆的方式達(dá)到保護(hù)的目的,缺點(diǎn)就是只能保護(hù)一次,不可恢復(fù),想要恢復(fù)功能就只能更換保險(xiǎn),另一個(gè)缺點(diǎn)是只有當(dāng)負(fù)載電流明顯超過保險(xiǎn)欸的額定電流時(shí),保險(xiǎn)絲才會(huì)斷開,更重要的是保險(xiǎn)的規(guī)格是不連續(xù)的,不是想要多少額定電流的保險(xiǎn)都會(huì)有的,所以今天我們來講一下基于運(yùn)放的過流保護(hù)電路,保護(hù)電流可設(shè)置,并且附帶延時(shí)保護(hù)功能,不然一提到運(yùn)放大家就覺得成本高,你要明白的是我們的目標(biāo)是過流保護(hù),并不是采樣精確的電壓,所以選擇普通運(yùn)放就行,而普通運(yùn)放目前成本也不會(huì)太高。

詳解過流保護(hù)電路原理以及構(gòu)成

二.電路原理以及構(gòu)成

MOS管Q1用于在正?;蛘哌^流時(shí)開關(guān)負(fù)載,電阻R1用于采樣負(fù)載電流,其實(shí)就是典型的分流電阻低邊采樣法。MOS管導(dǎo)通后,負(fù)載電流會(huì)流經(jīng)R1流入GND,根據(jù)歐姆定律從而在R1上產(chǎn)生壓降,比如1A的負(fù)載電流,采樣電阻是1歐姆,那么壓降就是1A*1Ω=1V。1V電壓會(huì)加載在運(yùn)放IC1A的負(fù)輸入端,運(yùn)放的正輸入端的電壓可以通過滑動(dòng)變阻器VR1調(diào)整,LM358D在這起起到一個(gè)比較器的作用,比較電流采樣電壓值和預(yù)設(shè)的電壓值,如果采樣電壓小于預(yù)設(shè)電壓,運(yùn)放輸出高,MOS管保持導(dǎo)通狀態(tài),如果采樣電壓低于預(yù)設(shè)電壓,運(yùn)放輸出低電平,MOS管就會(huì)斷開,從而實(shí)現(xiàn)過流保護(hù)的目的。

詳解過流保護(hù)電路原理以及構(gòu)成

電路有一些注意點(diǎn),總結(jié)一下:

1.VR1可以改成兩個(gè)電阻串聯(lián)分壓,因?yàn)榭烧{(diào)電阻器一般體積較大。

2.100K的反饋電阻一般不能省,可以增強(qiáng)環(huán)路穩(wěn)定性。

3.電阻R2的阻值可以根據(jù)會(huì)影響MOS關(guān)閉時(shí)間,可以結(jié)合MOS柵極寄生電容容值來計(jì)算。

4.電阻R3對(duì)地下拉,可以提高M(jìn)OS管驅(qū)動(dòng)電路抗干擾性能,MOS管在受干擾失控導(dǎo)通。

三.總結(jié)

用運(yùn)放搭建過流保護(hù)電路,主要就是基于比較器電路,原理比較簡單,但是關(guān)于器件的設(shè)計(jì)選型需要注意,不然電路實(shí)際工作時(shí)可能不穩(wěn)定。

審核編輯:湯梓紅

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