使用U6773V開(kāi)關(guān)電源芯片的充電器 可降低手機(jī)電池?fù)p耗

手機(jī)電池的過(guò)度損耗大都是高溫原因?qū)е碌摹１３终_的充電姿勢(shì)固然重要，選擇一款優(yōu)質(zhì)的充電器也很關(guān)鍵。采用友恩半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)電源芯片的充電器、適配器口碑不錯(cuò)，深受客戶(hù)喜愛(ài)。今天推薦友恩U6773V開(kāi)關(guān)電源芯片!

U6773V開(kāi)關(guān)電源芯片具有節(jié)能環(huán)保特性，而且電磁兼容性較強(qiáng)，外圍電路也很簡(jiǎn)單。原邊反饋/內(nèi)置MOSFET內(nèi)置環(huán)路補(bǔ)償，省去額外的補(bǔ)償或?yàn)V波電容提高系統(tǒng)效率優(yōu)化降頻曲線(xiàn)和減小電磁干擾，可實(shí)現(xiàn)輕載無(wú)異音多模(Multi-Mode)控制的高精度原邊反饋控制(PSR)恒流恒壓(CC/CV)控制器。

U6773V開(kāi)關(guān)電源芯片內(nèi)置電壓降極低的功率MOSFET以提高電流輸出能力，提升轉(zhuǎn)換效率并降低芯片溫度。處于開(kāi)關(guān)工作模式，只適用于DCM和QR工作模式的開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)。當(dāng)芯片檢測(cè)VDET<-400mV，控制器驅(qū)動(dòng)功率MOSFET開(kāi)啟;當(dāng)芯片檢測(cè)到功率MOSFET流過(guò)的電流降低到閾值-10mV時(shí)，控制器驅(qū)動(dòng)功率MOSFET關(guān)閉。

U6773V開(kāi)關(guān)電源芯片內(nèi)置軟啟動(dòng)功能來(lái)減緩功率MOS開(kāi)啟時(shí)的電壓應(yīng)力，在輕載情況下，控制器通過(guò)降低開(kāi)關(guān)頻率來(lái)很好的調(diào)節(jié)和提高效率，在空載情況下，滿(mǎn)足待機(jī)功耗在70mW以?xún)?nèi)。當(dāng)輸出短路時(shí)，控制器可以使開(kāi)關(guān)頻率箝位在16KHz，能夠提高系統(tǒng)的可靠性。

U6773V開(kāi)關(guān)電源芯片提供上電軟啟動(dòng)功能與各種可自恢復(fù)的保護(hù)功能，包括逐周期限流保護(hù)(OCP)，VDD過(guò)壓保護(hù)(VDD OVP)，VDD過(guò)壓箝位，VDD欠壓保護(hù)(UVLO)，輸出過(guò)壓保護(hù)(Output OVP)，管腳懸空保護(hù)等。

U6773V開(kāi)關(guān)電源芯片采用內(nèi)置MOS SOP-7封裝，最大限度地減少了系統(tǒng)元件的數(shù)目，應(yīng)用靈活性?xún)r(jià)比高，非常適合低成本小功率充電器、適配器等應(yīng)用領(lǐng)域。

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審核編輯：湯梓紅