電壓控制的場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET），主要用于放大弱信號(hào)，主要是無(wú)線信號(hào)，放大模擬和數(shù)字信號(hào)。 場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）是一種使用電場(chǎng)效應(yīng)改變器件電性能的晶體管。 它們被用于從RF技術(shù)到開(kāi)關(guān)，從功率控制到放大的電子電路中。 他們使用電場(chǎng)來(lái)控制通道的電導(dǎo)率。 FET分為JFET（結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。 兩者都主要用于集成電路，并且在工作原理上非常相似，但是它們的組成略有不同。 讓我們?cè)敿?xì)認(rèn)識(shí)下兩者。

什么是JFET？

JFET是最簡(jiǎn)單的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中電流可以從源極流到漏極或從漏極流到源極。 與雙極結(jié)型晶體管（BJT）不同，JFET使用施加到柵極端子的電壓來(lái)控制流過(guò)漏極端子和源極端子之間通道的電流，從而導(dǎo)致輸出電流與輸入電壓成比例。 柵極端子反向偏置。 這是一種用于電子開(kāi)關(guān)，電阻器和放大器的三端單極半導(dǎo)體器件。 它期望輸入和輸出之間具有高度隔離，這使其比雙極結(jié)型晶體管更穩(wěn)定。 與BJT不同，允許的電流量由JFET中的電壓信號(hào)確定。

JFET通常分為兩種基本結(jié)構(gòu)：

N溝道JFET –流過(guò)漏極和源極之間的溝道的電流以電子形式為負(fù)。 它具有比P溝道類(lèi)型更低的電阻。P溝道JFET –流過(guò)該通道的電流以空穴形式為正。 它具有比N溝道同類(lèi)產(chǎn)品更高的電阻值。

什么是MOSFET？

MOSFET是一種四端半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，由可控硅氧化制成，所施加的電壓決定了器件的電導(dǎo)率。 MOSFET代表金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。位于源極和漏極通道之間的柵極通過(guò)金屬氧化物薄層與該通道電絕緣。這個(gè)是控制源極和漏極通道之間的電壓和電流流動(dòng)。 MOSFET由于其高輸入阻抗而在集成電路中起著至關(guān)重要的作用。它們主要用于功率放大器和開(kāi)關(guān)，此外，它們作為功能元件在嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)中也起著至關(guān)重要的作用。

它們通常分為兩種配置：

耗盡模式MOSFET –柵極至源極電壓為零時(shí)，器件通常為“ ON”狀態(tài)。施加電壓低于漏極至源極電壓增強(qiáng)模式MOSFET –柵極至源極電壓為零時(shí)，器件通常為“ OFF”。

JFET和MOSFET之間的區(qū)別？

FET和MOSFET的基礎(chǔ)

JFET和MOSFET都是壓控晶體管，用于放大模擬和數(shù)字弱信號(hào)。兩者都是單極器件，但組成不同。 JFET代表結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，而MOSFET則代表金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。前者是三端子半導(dǎo)體器件，而后者是四端子半導(dǎo)體器件。

FET和MOSFET的工作模式

與雙極結(jié)型晶體管（BJT）相比，兩者的跨導(dǎo)值都較小。 JFET只能在耗盡模式下工作，而MOSFET可以在耗盡模式和增強(qiáng)模式下工作。

FET和MOSFET中的輸入阻抗

JFET的高輸入阻抗約為1010歐姆，這使其對(duì)輸入電壓信號(hào)敏感。 MOSFET提供比JFET更高的輸入阻抗，這得益于金屬氧化物絕緣體，使得它們?cè)跂艠O端的電阻更高。

柵極漏電流

它是指即使關(guān)閉了電子設(shè)備，由于電子設(shè)備而導(dǎo)致的逐漸損耗的電能。雖然JFET允許柵極泄漏電流為10 ^ -9 A數(shù)量級(jí)，但MOSFET的柵極泄漏電流將為10 ^ -12 A數(shù)量級(jí)。

FET和MOSFET中的損壞電阻

由于額外的金屬氧化物絕緣體會(huì)降低柵極的電容，從而使晶體管容易受到高壓損壞，因此MOSFET更容易受到靜電放電的損害。另一方面，JFET比MOSFET具有更高的輸入電容，因此不易受到ESD損壞。

FET和MOSFET的成本

JFET遵循簡(jiǎn)單，不太復(fù)雜的制造工藝，這使其比MOSFET便宜，而MOSFET由于制造工藝更加復(fù)雜而價(jià)格昂貴。附加的金屬氧化物層增加了總成本。

FET和MOSFET的應(yīng)用

JFET是電子開(kāi)關(guān)，緩沖放大器等低噪聲應(yīng)用。另一方面，MOSFET主要用于高噪聲應(yīng)用，例如開(kāi)關(guān)和放大模擬或數(shù)字信號(hào)，此外，它們還用于電機(jī)控制應(yīng)用和嵌入式系統(tǒng)。