欧美性猛交xxxx免费看_牛牛在线视频国产免费_天堂草原电视剧在线观看免费_国产粉嫩高清在线观看_国产欧美日本亚洲精品一5区

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

雙極晶體管選型時(shí)需要考慮的基本參數(shù)

得捷電子DigiKey ? 來源:得捷電子DigiKey ? 作者:得捷電子DigiKey ? 2022-05-05 14:41 ? 次閱讀

QA&

問:尋找雙極晶體管的替代品,你必須了解的參數(shù)

在設(shè)計(jì)或修理電子設(shè)備時(shí),有時(shí)真的需要尋找雙極晶體管(BJT)的替代品。在查閱這些BJT數(shù)據(jù)手冊(cè)里的諸多參數(shù)時(shí),你或許會(huì)感到不知從何下手。在尋找合適的BJT替代品時(shí),有必要理解并考慮一些相關(guān)重要參數(shù)。在BJT選型時(shí),除了工作溫度和典型應(yīng)用之外,還需要考慮以下一些基本參數(shù)。

ba875aa6-cba3-11ec-bce3-dac502259ad0.png

1.極性

有必要確定晶體管是NPN型還是PNP型。不正確的類型會(huì)讓電壓反轉(zhuǎn),并可能導(dǎo)致晶體管損壞或應(yīng)用設(shè)備損壞。

ba9f21f4-cba3-11ec-bce3-dac502259ad0.png

2.封裝和引腳配置

BJT有許多封裝類型。通常替代品需要與應(yīng)用的封裝尺寸匹配,這樣它才可以接合在電路板的焊盤/孔上。更重要的是,您需要了解引腳配置,因?yàn)椴煌纳a(chǎn)商可能有不同的引腳設(shè)計(jì)配置。

bab92680-cba3-11ec-bce3-dac502259ad0.png

3.擊穿電壓

選擇此參數(shù)(如Vceo)時(shí),必須要符合設(shè)計(jì)規(guī)范要求。它代表了BJT可以承受多少電壓的能力。超過擊穿電壓是可以的,但是不應(yīng)該低于你要更換的晶體管的額定擊穿電壓。

bad92c82-cba3-11ec-bce3-dac502259ad0.png

4.電流增益

電流增益通常表示為B或hFE。選擇近似電流增益的BJT替代品是必要的。

bb1e849e-cba3-11ec-bce3-dac502259ad0.png

5.頻率

通常要確保BJT替代品能夠滿足設(shè)備中的相關(guān)頻率限制或要求,不會(huì)因此而影響原來應(yīng)用的功能。

bb5f13a6-cba3-11ec-bce3-dac502259ad0.png

6.功率

要確保BJT替代品有足夠的耗散功率。其中,封裝類型是影響功耗的一個(gè)重要因素。

bba265b6-cba3-11ec-bce3-dac502259ad0.png

原文標(biāo)題:雙極晶體管替代選型:這 6個(gè)關(guān)鍵參數(shù),你讀懂了嗎?

文章出處:【微信公眾號(hào):得捷電子DigiKey】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 參數(shù)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    11

    文章

    1860

    瀏覽量

    32446
  • BJT
    BJT
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    237

    瀏覽量

    18244
  • 雙極晶體管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    76

    瀏覽量

    13429

原文標(biāo)題:雙極晶體管替代選型:這 6個(gè)關(guān)鍵參數(shù),你讀懂了嗎?

文章出處:【微信號(hào):得捷電子DigiKey,微信公眾號(hào):得捷電子DigiKey】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    晶體管與場效應(yīng)的區(qū)別 晶體管的封裝類型及其特點(diǎn)

    通過改變溝道中的電場來控制源極和漏極之間的電流。 輸入阻抗 : 晶體管 :輸入阻抗相對(duì)較低,因?yàn)榛鶚O需要電流來控制。 場效應(yīng) :輸入阻抗非常高,因?yàn)闁艠O控制是通過電壓實(shí)現(xiàn)的,不需要
    的頭像 發(fā)表于 12-03 09:42 ?410次閱讀

    步進(jìn)電機(jī)是什么?基本參數(shù)有哪些?

    電機(jī)的轉(zhuǎn)子按照特定的步進(jìn)角度進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。 步進(jìn)電機(jī)的基本參數(shù)包括: 步距角(Step Angle):步距角是指電機(jī)接收到一個(gè)電脈沖信號(hào)時(shí),轉(zhuǎn)子所轉(zhuǎn)動(dòng)的角度。步距角越小,電機(jī)的分辨率越高,能夠?qū)崿F(xiàn)更精細(xì)的控制。步距角通常以度
    的頭像 發(fā)表于 10-23 09:56 ?791次閱讀

    電容的基本參數(shù)

    電容器作為電子元件中不可或缺的一部分,其基本參數(shù)對(duì)于工程師在實(shí)際應(yīng)用中的選型和設(shè)計(jì)至關(guān)重要。本文將圍繞多層陶瓷電容器(MLCC,Multi-layer Ceramic Capacitor)的基本參數(shù)
    的頭像 發(fā)表于 10-20 11:52 ?2001次閱讀

    晶體管的輸出特性是什么

    晶體管的輸出特性是描述晶體管在輸出端對(duì)外部負(fù)載的特性表現(xiàn),這些特性直接關(guān)系到晶體管在各種電路中的應(yīng)用效果和性能。晶體管的輸出特性受到多種因素的影響,包括輸入信號(hào)、電源電壓、溫度以及
    的頭像 發(fā)表于 09-24 17:59 ?852次閱讀

    如何選擇場效應(yīng)晶體管

    在選擇場效應(yīng)晶體管(FET)時(shí),需要考慮多個(gè)因素以確保所選器件能夠滿足特定的應(yīng)用需求,同時(shí)保證電路的性能和可靠性。以下是一個(gè)詳細(xì)的選擇場效應(yīng)晶體管的指南,包括關(guān)鍵步驟、
    的頭像 發(fā)表于 09-23 18:18 ?679次閱讀

    NMOS晶體管和PMOS晶體管的區(qū)別

    NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)類型,它們?cè)诙鄠€(gè)方面存在顯著的差異。以下將從結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點(diǎn)、應(yīng)用場景等方面詳細(xì)闡述NMOS晶體管
    的頭像 發(fā)表于 09-13 14:10 ?4990次閱讀

    c類放大器晶體管耐壓多少

    C類放大器晶體管耐壓多少,這個(gè)問題涉及到晶體管的工作原理、C類放大器的工作原理、晶體管參數(shù)以及C類放大器晶體管
    的頭像 發(fā)表于 08-01 14:45 ?467次閱讀

    晶體管處于放大狀態(tài)的條件是什么

    的放大作用是其最重要的特性之一。本文將介紹晶體管處于放大狀態(tài)的條件。 一、晶體管的基本類型 在討論晶體管的放大條件之前,我們首先需要了解晶體管
    的頭像 發(fā)表于 07-18 18:15 ?1834次閱讀

    三星貼片電容的基本參數(shù)

    三星貼片電容作為一種常見的電子元器件,其基本參數(shù)涵蓋了多個(gè)方面,以下是對(duì)這些參數(shù)的詳細(xì)歸納: 一、基本參數(shù)概述 三星貼片電容的基本參數(shù)主要包括容量、誤差、材料、額定電壓、體積(封裝尺寸
    的頭像 發(fā)表于 07-18 14:34 ?817次閱讀

    mos選型主要考慮哪些因素

    MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的功率開關(guān)器件。選型時(shí)需要考慮多種因素,以確保MOSFET的性能滿足特定應(yīng)用的需求。 MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 07-11 15:16 ?1097次閱讀

    Lierda NB81系列模塊的基本參數(shù)是什么?

    Lierda NB81系列模塊的基本參數(shù)
    發(fā)表于 06-04 06:59

    IGBT選型需要考慮哪些參數(shù)

    型號(hào)和規(guī)格,以確保其穩(wěn)定、高效地工作。IGBT的選型涉及到多個(gè)參數(shù)考慮,下面將詳細(xì)介紹這些參數(shù)。 額定電壓(Vce):這是指IGBT能夠承受的最大電壓。根據(jù)應(yīng)用需求,選擇的IGBT型
    的頭像 發(fā)表于 03-12 15:31 ?4558次閱讀

    絕緣柵雙極晶體管的工作原理和結(jié)構(gòu)

    絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)是一種功率半導(dǎo)體,具有MOSFET 的高速、電壓相關(guān)柵極開關(guān)特性以及 BJT 的最小導(dǎo)通電阻(低飽和電壓)特性。
    的頭像 發(fā)表于 02-27 16:08 ?2718次閱讀
    絕緣柵<b class='flag-5'>雙極晶體管</b>的工作原理和結(jié)構(gòu)

    什么是達(dá)林頓晶體管?達(dá)林頓晶體管的基本電路

    達(dá)林頓晶體管(Darlington Transistor)也稱為達(dá)林頓對(duì)(Darlington Pair),是由兩個(gè)或更多個(gè)雙極性晶體管(或其他類似的集成電路或分立元件)組成的復(fù)合結(jié)構(gòu)。通過這種結(jié)構(gòu),第一個(gè)雙極性晶體管放大的電流
    的頭像 發(fā)表于 02-27 15:50 ?6074次閱讀
    什么是達(dá)林頓<b class='flag-5'>晶體管</b>?達(dá)林頓<b class='flag-5'>晶體管</b>的基本電路

    晶體管的主要參數(shù)

    晶體管是現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的元件,它的性能參數(shù)直接影響著設(shè)備的工作效率和穩(wěn)定性。晶體管的主要參數(shù)有最大漏極電壓、最大集電極電流、最大功耗、最大封裝溫度、最大峰值電流等。
    的頭像 發(fā)表于 02-23 10:04 ?2037次閱讀