領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達(dá)克股票代號：ON)，在PCIM Europe展會(huì)發(fā)布全球首款To-Leadless(TOLL)封裝的碳化硅(SiC)MOSFET。該晶體管滿足了對適合高功率密度設(shè)計(jì)的高性能開關(guān)器件迅速增長的需求。直到最近，SiC器件一直采用明顯需要更大空間的D2PAK 7引腳封裝。

TOLL封裝的尺寸僅為9.90 mm x 11.68 mm，比D2PAK封裝的PCB面積節(jié)省30%。而且，它的外形只有2.30 mm，比D2PAK封裝的體積小60%。

除了更小尺寸之外，TOLL封裝還提供比D2PAK 7引腳更好的熱性能和更低的封裝電感(2 nH)。 其開爾文源極(Kelvin source)配置可確保更低的門極噪聲和開關(guān)損耗——包括與沒有Kelvin配置的器件相比，導(dǎo)通損耗(EON)減少60%，確保在具有挑戰(zhàn)性的電源設(shè)計(jì)中能顯著提高能效和功率密度，以及改善電磁干擾(EMI)和更容易進(jìn)行PCB設(shè)計(jì)。

安森美先進(jìn)電源分部高級副總裁兼總經(jīng)理Asif Jakwani說：

能在小空間內(nèi)提供高度可靠的電源設(shè)計(jì)正成為許多領(lǐng)域的競爭優(yōu)勢，包括工業(yè)、高性能電源和服務(wù)器應(yīng)用。將我們同類最佳的SiC MOSFET封裝在TOLL封裝中，不僅減小空間，還在諸多方面增強(qiáng)性能，如EMI和降低損耗等，為市場提供高度可靠和堅(jiān)固的高性能開關(guān)器件，將幫助電源設(shè)計(jì)人員解決對其嚴(yán)格的電源設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。

SiC器件比硅前輩具有明顯的優(yōu)勢，包括增強(qiáng)高頻能效、更低的EMI、能在更高溫度下工作和更可靠。安森美是唯一具有垂直集成能力的SiC方案供應(yīng)商，包括SiC晶球生長、襯底、外延、晶圓制造、同類最佳的集成模塊和分立封裝解決方案。

NTBL045N065SC1是首款采用TOLL封裝的SiC MOSFET，適用于要求嚴(yán)苛的應(yīng)用，包括開關(guān)電源(SMPS)、服務(wù)器和電信電源、太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)和儲(chǔ)能。該器件適用于需要滿足最具挑戰(zhàn)性的能效標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)計(jì)，包括ErP和80 PLUS Titanium能效標(biāo)準(zhǔn)。

NTBL045N065SC1的VDSS額定值為650 V，典型RDS(on)僅為33 mΩ，最大電耗(ID)為73 A?；趯捊麕?WBG)SiC技術(shù)，該器件的最高工作溫度為175°C，并擁有超低門極電荷(QG(tot) = 105 nC)，能顯著降低開關(guān)損耗。此外，該TOLL封裝是保證濕度敏感度等級1 (MSL1)，以確保減少批量生產(chǎn)中的故障率。

此外，安森美還提供車規(guī)級器件，包括TO-247 3引腳、4引腳和D2PAK 7引腳封裝。

原文標(biāo)題：新品發(fā)布 | 全球首款TOLL封裝650 V碳化硅MOSFET

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審核編輯：湯梓紅