seaward介電耐壓VS介電擊穿測(cè)試——Hal系列綜合電器安規(guī)測(cè)試儀

高壓測(cè)試(Hipot)測(cè)試是?個(gè)?常通?的測(cè)試，可?于許多應(yīng)?，從研發(fā)和形式檢測(cè)，再到產(chǎn)品下線檢測(cè)，甚?在維修后都會(huì)應(yīng)用。

在本?中，我們研究了兩種最常?的Hipot測(cè)試類型，介電耐壓測(cè)試和介電擊穿測(cè)試之間的區(qū)別。原則上，這兩種測(cè)試在應(yīng)?于待測(cè)設(shè)備(DUT)時(shí)?乎相同，但測(cè)試結(jié)果往往不同。?壓測(cè)試通常涉及兩個(gè)測(cè)試端?，?個(gè)電壓源輸出和?個(gè)泄漏電流流?的返回端?，并由測(cè)試設(shè)備測(cè)量。

耐壓測(cè)試

耐壓測(cè)試是最常?的Hipot測(cè)試類型。它主要是對(duì)被測(cè)物施加規(guī)定的電壓，通常在1000V或更?的范圍。

測(cè)試(輸出)電壓按照規(guī)定保持一段時(shí)間，按照不同的測(cè)試目的，時(shí)間要求也有所區(qū)別，形式檢測(cè)可能需要幾分鐘，而常規(guī)的生產(chǎn)檢測(cè)可能低至幾秒鐘。

通常，測(cè)試的成功結(jié)果將根據(jù)返回終端檢測(cè)到的電流流量來(lái)確定。如果電流流量過(guò)多(泄漏電流)，測(cè)試將作為失敗中?。

電流流量的??通常以毫安為單位測(cè)量，并設(shè)置電流閾值，以確定測(cè)試是否已通過(guò)。同樣，取決于應(yīng)?程序，此值可能會(huì)有所不同。對(duì)于類型測(cè)試場(chǎng)景，在100mA區(qū)域內(nèi)的限制是相當(dāng)常?的，在這些場(chǎng)景中，測(cè)試是在更受控的實(shí)驗(yàn)室類型環(huán)境中進(jìn)?的。在?產(chǎn)線上進(jìn)?測(cè)試時(shí)，這些限制通常要低得多，以確保測(cè)試操作員的安全，通常5mA以內(nèi)是可以接受的。這種類型的測(cè)試通常不是破壞性的，除?設(shè)備中已經(jīng)存在故障，因此它是?產(chǎn)環(huán)節(jié)中是非常常?的測(cè)試。但是作為測(cè)試時(shí)間更長(zhǎng)的形式測(cè)試，可能會(huì)削弱絕緣材料的完整性。因此，形式測(cè)試的產(chǎn)品通常被認(rèn)為不適合銷售。

介電擊穿測(cè)試

介質(zhì)故障測(cè)試以與上述相同的?式進(jìn)?，唯一的區(qū)別在于，它沒(méi)有規(guī)定最?電壓，通常也沒(méi)有規(guī)定測(cè)試時(shí)間。

而是電壓逐漸增加，直到被測(cè)試產(chǎn)品的絕緣體?法再承受電壓并發(fā)生擊穿擊穿。這種電壓是絕緣體變得導(dǎo)電的點(diǎn)。

在這種情況下，關(guān)鍵參數(shù)是擊穿點(diǎn)的電壓。

如上所述，該測(cè)試的性質(zhì)可以被視為具有破壞性，?的是迫使DUT達(dá)到擊穿點(diǎn)。因此，這種類型的測(cè)試僅在研發(fā)環(huán)境中進(jìn)?，不適?于常規(guī)測(cè)試，因?yàn)樗鼤?huì)使設(shè)備處于不安全狀態(tài)。

結(jié)論

可以看出，這兩種測(cè)試?法在確定產(chǎn)品的整體安全性??都有一席之地，它們的區(qū)別主要是在于測(cè)試的目的。明白這一點(diǎn)后，我們就能知道，為什么介電擊穿測(cè)試僅用于研發(fā)階段，而介電耐壓測(cè)試廣泛的應(yīng)用于生產(chǎn)階段。