去年傳出了中科院、IBM研發(fā)2nm芯片及技術(shù)的消息,而今年臺(tái)積電和三星又相繼宣布將在2025年實(shí)現(xiàn)2nm制程芯片的量產(chǎn),并且美國和日本也開始聯(lián)手攻克2nm芯片相關(guān)技術(shù),從這些消息能看出2nm芯片的重要性,我國目前最先進(jìn)的制程7nm還正在研發(fā)當(dāng)中,那么2nm芯片與7nm芯片的差距有多大呢?
拿臺(tái)積電的7nm舉例子,臺(tái)積電最初用DUV光刻機(jī)來完成7nm工藝,當(dāng)時(shí)臺(tái)積電7nm工藝要比上一代16nm工藝密度高3.3倍,性能提升達(dá)到了35%以上,同樣性能下功耗減少了65%,在當(dāng)時(shí)是質(zhì)的突破,拉開了與其他公司的差距。
臺(tái)積電后續(xù)獲取到EUV光刻機(jī)后,開發(fā)出了名為N7 plus的7nm工藝,這種工藝要比之前DUV光刻機(jī)的7nm工藝密度高1.2倍,性能提升10%,功耗降低15%,每平方毫米的晶體管密度達(dá)到了0.9億個(gè)。
而去年IBM宣布研制出的2nm芯片,其宣稱功耗要比7nm工藝的芯片低75%,相同功耗下性能要比7nm芯片高45%,沒平方毫米的晶體管密度為3.3億個(gè)。
這樣對(duì)比下來,很明顯2nm芯片要比7nm芯片各方面強(qiáng)上很多,畢竟之間隔了好幾代工藝,差距拉這么大也不足為奇。
審核編輯 黃昊宇
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