欧美性猛交xxxx免费看_牛牛在线视频国产免费_天堂草原电视剧在线观看免费_国产粉嫩高清在线观看_国产欧美日本亚洲精品一5区

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

比亞迪IGBT,IPM,F(xiàn)RD,SIC的參數(shù)及電路拓補圖

嵌入式集成電路IC ? 來源:視頻橋接方案 ? 作者:視頻橋接方案 ? 2022-07-18 09:48 ? 次閱讀

比亞迪IGBT,IPM,F(xiàn)RD,SIC,應(yīng)用領(lǐng)域,微型電動車,新能源汽車,

poYBAGLUu7GAPGM3AAVx5KsT8xE046.png



審核編輯 黃昊宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 比亞迪
    +關(guān)注

    關(guān)注

    19

    文章

    2335

    瀏覽量

    54369
  • IGBT
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1269

    文章

    3841

    瀏覽量

    250167
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    為什么BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管全面取代FRD快恢復(fù)二極管

    ?為什么BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管全面取代FRD快恢復(fù)二極管 在科技政策與法規(guī)的推動下,半導(dǎo)體行業(yè)正經(jīng)歷一場深刻的變革。隨著對高效能、低能耗電子設(shè)備需求的不斷增長,BASiC基本公司
    的頭像 發(fā)表于 02-06 11:51 ?102次閱讀
    為什么BASiC基本公司<b class='flag-5'>SiC</b>碳化硅肖特基二極管全面取代<b class='flag-5'>FRD</b>快恢復(fù)二極管

    SiC MOSFET的參數(shù)特性

    碳化硅(SiC)MOSFET作為寬禁帶半導(dǎo)體材料(WBG)的一種,具有許多優(yōu)異的參數(shù)特性,這些特性使其在高壓、高速、高溫等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。本文將詳細(xì)探討SiC MOSFET的主要參數(shù)
    的頭像 發(fā)表于 02-02 13:48 ?132次閱讀

    Si IGBTSiC MOSFET混合器件特性解析

    大電流 Si IGBT 和小電流 SiC MOSFET 兩者并聯(lián)形成的混合器件實現(xiàn)了功率器件性能和成本的折衷。 但是SIC MOS和Si IGBT的器件特性很大不同。為了盡可能在不同工
    的頭像 發(fā)表于 01-21 11:03 ?650次閱讀
    Si <b class='flag-5'>IGBT</b>和<b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET混合器件特性解析

    IPM原理及測試方法

    介紹了IPM智能功率模塊的相關(guān)驅(qū)動測試及極限參數(shù)等。
    發(fā)表于 12-30 16:22 ?0次下載

    儲能產(chǎn)品的“守護者”——IPM

    應(yīng)用中。IPM內(nèi)部集成了IGBT或其他類型的功率開關(guān),以及保護電路如過流、過熱等保護功能。 這種集成設(shè)計有助于簡化系統(tǒng)的整體設(shè)計,提高可靠性,并減少外部元件的數(shù)量。在工業(yè)驅(qū)動、白色家電、汽車電子等領(lǐng)域都有廣泛應(yīng)用。而在儲能系統(tǒng)中
    的頭像 發(fā)表于 11-07 18:01 ?3251次閱讀

    正激電路拓補結(jié)構(gòu)的分類及比較

    1. 引 言 在各種間接直流變流電路中,正激DC/DC變換器具有電路拓補結(jié)構(gòu)簡單,輸入輸出電氣隔離,電壓升、降范圍寬,易于多路輸出等優(yōu)點,因此被廣泛應(yīng)用于中小功率電源變換場合,尤其在供電電源要求
    的頭像 發(fā)表于 11-07 09:34 ?536次閱讀
    正激<b class='flag-5'>電路</b><b class='flag-5'>拓補</b>結(jié)構(gòu)的分類及比較

    華芯邦智能功率模塊IPM革新戴森平替高速吹風(fēng)機應(yīng)用消費家電領(lǐng)域應(yīng)用

    IPM模塊通常包括一個功率MOSFET、IGBT(絕緣柵雙極晶體管)或SiC(碳化硅)等開關(guān)器件,以及一個驅(qū)動電路,用于控制這些開關(guān)器件的導(dǎo)通和截止。此外,
    的頭像 發(fā)表于 09-18 18:09 ?544次閱讀
    華芯邦智能功率模塊<b class='flag-5'>IPM</b>革新戴森平替高速吹風(fēng)機應(yīng)用消費家電領(lǐng)域應(yīng)用

    逆變器IPM/IGBT模塊容量的選擇

    IGBT模塊應(yīng)用三相逆變電路為例。
    的頭像 發(fā)表于 07-15 16:28 ?877次閱讀
    逆變器<b class='flag-5'>IPM</b>/<b class='flag-5'>IGBT</b>模塊容量的選擇

    博微BW-4022A 半導(dǎo)體分立器件測試系統(tǒng)

    半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測試針對Si/SiC/GaN材料的IPM/IGBT/MOS/DIODE/BJT/SCR等高精度靜態(tài)參數(shù)包括導(dǎo)通、關(guān)斷、擊穿、漏
    的頭像 發(fā)表于 06-19 15:33 ?407次閱讀
    博微BW-4022A  半導(dǎo)體分立器件測試系統(tǒng)

    IGBT IPM的短路電流保護功能

    短路電流保護功能(SCP)是通過在IPM外部連接分流電阻并將電阻產(chǎn)生的電壓反饋至CIN引腳電路的功能。
    的頭像 發(fā)表于 06-17 11:38 ?1031次閱讀
    <b class='flag-5'>IGBT</b> <b class='flag-5'>IPM</b>的短路電流保護功能

    Littelfuse宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器

    Littelfuse宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器。這款創(chuàng)新的驅(qū)動器專門設(shè)計用于驅(qū)動工業(yè)應(yīng)用中的碳化硅(SiC)MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管(IG
    的頭像 發(fā)表于 05-23 11:26 ?892次閱讀

    為什么逆變器這個應(yīng)用領(lǐng)域?qū)?b class='flag-5'>IGBT IPM的需求很大?

    ROHM于2021年4月宣布推出600V耐壓IGBT IPM(Intelligent Power Module)新產(chǎn)品“BM6337x系列”,隨后又新增了“BM6357x系列”。
    的頭像 發(fā)表于 03-27 14:10 ?842次閱讀

    一文詳解雜散電感對SiCIGBT功率模塊開關(guān)特性的影響

    IGBT和碳化硅(SiC)模塊的開關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響,例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。
    的頭像 發(fā)表于 03-08 10:11 ?1974次閱讀
    一文詳解雜散電感對<b class='flag-5'>SiC</b>和<b class='flag-5'>IGBT</b>功率模塊開關(guān)特性的影響

    IGBT IPM的優(yōu)點有哪些

    IGBT IPM結(jié)合了IGBT的高效能和高電流承載能力以及IPM的智能化控制與保護特性,其優(yōu)點可以總結(jié)如下: 集成度高: IGBT
    的頭像 發(fā)表于 02-23 10:50 ?812次閱讀

    什么是IGBT IPM 有什么特點

    IPM代表“Intelligent Power Module”,它是一種集合了IGBT、MOSFET等分立的功率半導(dǎo)體器件,以及它們的驅(qū)動電路和保護電路于一體的模塊。這種設(shè)計使得
    的頭像 發(fā)表于 02-23 10:38 ?1401次閱讀
    什么是<b class='flag-5'>IGBT</b> <b class='flag-5'>IPM</b> 有什么特點