在多節(jié)電池供電的應(yīng)用中,大多會選擇中高壓低功耗LDO來給低壓器件(如MCU等)供電。這些產(chǎn)品除了需要LDO具有極低的靜態(tài)功耗外,其中一些應(yīng)用場景對LDO輸出電壓精度、輸出過沖、紋波、動態(tài)響應(yīng)等性能指標也提出了較高的要求。BL9157輸出電壓精度±1%,上電時輸出無過沖,并且具有良好的電源紋波抑制比、動態(tài)響應(yīng)、全電壓范圍內(nèi)極低的靜態(tài)功耗等性能指標,可以完美地滿足這類應(yīng)用,典型應(yīng)用見圖1。
圖1 BL9157 典型應(yīng)用原理圖
以下列舉了一些典型的應(yīng)用場景:
01場景一
給MCU供電的LDO
需要輸出電壓精度高且上電時無明顯過沖
在給MCU供電的應(yīng)用中,對LDO的輸出精確要求很高,并且要求上電時LDO輸出不能有明顯的過沖。比如,正常3.3V工作的MCU一般能承受的最高電壓為3.6V,如果LDO的輸出上沖超過3.6V則很可能會導致MCU損壞。BL9157輸出電壓精度±1%,針對輸出過沖進行了專門的設(shè)計,在上電時輸出非常穩(wěn)定,無明顯上沖。(見圖2-1、圖2-2)
圖2-2電源開關(guān)機輸出無過沖測試結(jié)果
02場景二
在電池供電的應(yīng)用中需要LDO在寬輸入電壓范圍內(nèi)(VIN=VOUT~VMAX)具有低功耗性能
在電池供電的產(chǎn)品中,當電池電量降低時電池的電壓也會隨之降低,此時相比LDO的輸出電壓壓差減小,有的LDO在壓差減小時靜態(tài)功耗會明顯增大,無法滿足全電壓范圍內(nèi)低功耗的要求。BL9157在全電壓范圍內(nèi)都具有極低的靜態(tài)功耗。典型測試應(yīng)用圖和測試數(shù)據(jù)如下圖3和表1。
圖3 BL9157 VIN=VOUT~VMAX的IQ測試原理圖
表1 BL9157不同輸入電壓(VIN)下的IQ表(VOUT=3.3V)
03場景三
在負載電流劇烈變化的應(yīng)用中
需要LDO具有良好的動態(tài)響應(yīng)性能
負載電流劇烈變化的應(yīng)用對LDO的動態(tài)響應(yīng)性能提出了更高的要求。在系統(tǒng)應(yīng)用中,當負載電流變化時LDO的輸出電壓不能有明顯的波動,如果輸出電壓波動過大可能會導致負載進入欠壓保護狀態(tài),更嚴重的甚至可能會引起負載的損壞。BL9157具有優(yōu)異的動態(tài)響應(yīng)性能。(見圖4-1、圖4-2)
圖4-1 BL9157動態(tài)響應(yīng)測試圖
圖4-2動態(tài)響應(yīng)(VOUT=5V IOUT=15mA~135mA動態(tài)切換)測試結(jié)果
04場景四
特殊應(yīng)用需要LDO在全溫度范圍內(nèi)
輸出電壓和靜態(tài)功耗保持穩(wěn)定
對于一些特殊的應(yīng)用領(lǐng)域場合如基站電源等,應(yīng)用環(huán)境惡劣,這樣就對于芯片的全溫度范圍內(nèi)的指標提出了更高的要求。BL9157在全溫度范圍內(nèi)輸出電壓以及靜態(tài)電流無明顯變化,可以很好地滿足該類應(yīng)用的設(shè)計要求。(見圖5-1、圖5-2、圖5-3)
圖5-1 全溫范圍VOUT、IQ測試圖
圖5-2 BL9157在不同環(huán)境溫度下的IQ變化
圖5-3 BL9157在不同環(huán)境溫度下的VOUT變化
05場景五
高集成度的電子產(chǎn)品需要LDO具有輸出低紋波的特性
隨著電子產(chǎn)品的復(fù)雜度和集成度不斷提高,對于系統(tǒng)電源的紋波要求也越來越高。相比于傳統(tǒng)的DC/DC方案,LDO可以更好地降低輸出紋波。BL9157具有良好PSRR(電源抑制比)性能,在電源電壓波動時可以確保輸出電壓保持穩(wěn)定。(見圖6-1、圖6-2)
圖6-1 BL9157 PSRR測試圖
圖6-2 BL9157 PSRR vs Frequency (VOUT=5V, IOUT=10mA)測試結(jié)果
BL9157產(chǎn)品介紹
BL9157是一款高精度、低壓差、低功耗的線性穩(wěn)壓電路,最高工作電壓30V,最大電流可達150mA。該產(chǎn)品具有出色的動態(tài)響應(yīng)和PSRR性能,上電時輸出無過沖,全電壓范圍內(nèi)具有極低的靜態(tài)功耗,特別適合節(jié)能和低功耗的應(yīng)用場景。在一些對輸出過沖、動態(tài)響應(yīng)或者全溫度范圍內(nèi)靜態(tài)功耗有嚴格要求應(yīng)用場合,BL9157是十分理想的選擇。
主要特性
低功耗:2uA(Typ)
最大輸出電流:150mA
低壓差:650mV@100mA VOUT=5V
高耐壓:30V(Max)
PSRR:-60dB@217Hz
高精度:±1%
內(nèi)部集成OTP功能
ESD(HBM)高達8kV
封裝形式:SOT89-3(兩種腳位)
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原文標題:適用于多種應(yīng)用場景的高壓低功耗LDO
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