欧美性猛交xxxx免费看_牛牛在线视频国产免费_天堂草原电视剧在线观看免费_国产粉嫩高清在线观看_国产欧美日本亚洲精品一5区

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

功率半導體是電機逆變器的關鍵部件

張鑫 ? 來源:dgfdf ? 作者:dgfdf ? 2022-08-05 09:52 ? 次閱讀

電動機塑造了世界,并在各個層面繼續(xù)如此。它們的范圍從實現(xiàn)簡單家庭功能自動化的小型電機到可以移動山脈的重型電機?,F(xiàn)在使用的電動機的數(shù)量和種類是驚人的,因此了解電動機及其控制系統(tǒng)幾乎占全球消耗的全部電力的一半也就不足為奇了。

進一步細分,全球約 30% 的電力用于驅動工業(yè)應用中的電機[1]。從絕對數(shù)字來看,能源的消耗量在世界工業(yè)部門預計,到2040年將翻一番隨著增加資源有限的能源和成本,無論是在環(huán)境和融資條件,需要在更大的使用效率意識驅動電機的電力變得更加突出。

低壓驅動器——要求和要求

在市場的低壓部分(標準和緊湊型),應用可分為輕型或重型。從驅動器的角度來看,主要區(qū)別在于輕型電機和控制器通常必須在加速期間(例如在泵和風扇應用中)在短時間內(nèi)維持 110% 的逆變器輸出電流的超速驅動(圖 1)。重型電機和控制裝置通常需要設計成能夠承受高達標稱逆變器電流 150% 的過載。這種較高的過載電流歸因于傳送帶的加速階段等。

poYBAGHFTEOAbYBkAABFU3_FGMo456.jpg

圖 1:過載能力定義了在 110%(輕負載/正常負載)和 150%(重負載)之間的加速操作期間高于額定電流的時間段。

驅動器用IGBT7

電機驅動系統(tǒng)的獨特和特定要求需要一種新的 IGBT 設計方法。使用正確的 IGBT 技術,可以創(chuàng)建更適合滿足這些需求的模塊。這是英飛凌采用其最新一代 IGBT 技術 IGBT7 所采用的方法。在芯片級,IGBT7 使用微圖案溝槽 (MPT),其結構有助于降低正向電壓并增加漂移區(qū)的導電性。對于具有中等開關頻率的應用,例如電機驅動器,IGBT7 比前幾代產(chǎn)品顯著降低了損耗 。

與上一代 (IGBT4) 相比,IGBT7 提供的另一項改進是續(xù)流二極管,該二極管也針對驅動應用進行了優(yōu)化。此外,發(fā)射極控制二極管 EC7 的正向壓降現(xiàn)在比 EC4 二極管的正向壓降低 100 mV,并具有改進的反向恢復軟度。

用于伺服驅動器的 SiC MOSFET

隨著跨行業(yè)使用更多自動化,對伺服電機的需求相應增加。它們將精確運動控制與高扭矩水平相結合的能力使它們非常適合自動化和機器人技術。

憑借其制造專業(yè)知識和長期經(jīng)驗,英飛凌開發(fā)了一種 SiC 溝槽技術,該技術提供比 IGBT 更高的性能,但具有相當?shù)姆€(wěn)健性,例如 2 μs 甚至 3 μs 的短路時間。英飛凌的 CoolSiC? MOSFET 還解決了 SiC 器件固有的一些潛在問題,例如不需要的電容導通。此外,碳化硅 MOSFET 采用符合行業(yè)標準的 TO247-3 封裝,現(xiàn)在采用 TO247-4 封裝,具有更好的開關性能。除了這些 TO 封裝外,SiC MOSFET 還提供 Easy 1B 和 Easy 2B 封裝。

1200 V CoolSiC? MOSFET 的開關損耗比相應的 IGBT 替代品低 80%,另外還有損耗與溫度無關的優(yōu)勢。然而,與 IGBT7 一樣,開關行為 (dv/dt) 也可以通過柵極電阻進行控制,從而提供更大的設計靈活性。

pYYBAGHFTE-ANRpUAABo2DFNApg304.jpg

圖 2:碳化硅 MOSFET 簡化了電機中的逆變器集成

因此,基于較低的恢復、導通、關斷和導通狀態(tài)損耗,使用 CoolSiC? MOSFET 技術的驅動解決方案可以將損耗降低多達 50%(假設類似的 dv/dt)。CoolSiC? MOSFET 還具有比 IGBT 更低的傳導損耗,尤其是在輕負載條件下。

除了整體更高的效率和更低的損耗外,碳化硅技術實現(xiàn)的更高開關頻率在更動態(tài)的控制環(huán)境中對外部和集成伺服驅動器有直接的好處。這是可能的,因為在不斷變化的電機負載條件下電機電流的響應速度更快。

把這一切放在一起

雖然將整流器、斬波器和逆變器集成到單個模塊中可在功率密度和開關效率方面帶來好處,但電機驅動器還需要閉環(huán)系統(tǒng)才能正確高效地運行。

更具體地說,無論使用何種開關技術,都必須配備正確的柵極驅動器解決方案。需要柵極驅動器將用于打開和關閉開關器件的低壓控制信號轉換為開關本身所需的高壓驅動信號。通常,控制信號將來自主機處理器。由于每種開關技術在輸入電容和驅動電平方面都有其獨特的特性,因此將其與正確的柵極驅動器相匹配至關重要。作為目前使用的所有電源技術的開發(fā)商和供應商,英飛凌為其 Si MOSFET、Si IGBT、SiC MOSFET 和 GaN-HEMT 提供優(yōu)化的柵極驅??動器。

控制回路的最后但同樣重要的部分是傳感器,它在電機和控制器之間提供部分反饋。為此目的,通常使用電流傳感器。英飛凌開發(fā)了一種霍爾效應解決方案,無需鐵磁集中器,使其更簡單,干擾更少。這使其成為完全集成的伺服電機的理想選擇。

XENSIV? 系列電流傳感器(例如 TLI4971)是差分霍爾電流傳感器,可提供高磁場范圍和低偏移值。此外,它們沒有磁滯,并具有良好的雜散場抗擾度。由于采用了無芯概念,它們的緊湊尺寸支持高度集成,而它們的超低功耗和功能隔離使它們非常靈活和可靠。



審核編輯:劉清

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 整流器
    +關注

    關注

    28

    文章

    1544

    瀏覽量

    92638
  • 逆變器
    +關注

    關注

    288

    文章

    4762

    瀏覽量

    207866
  • 電機
    +關注

    關注

    142

    文章

    9098

    瀏覽量

    146509
  • 功率半導體
    +關注

    關注

    22

    文章

    1190

    瀏覽量

    43207
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦

    功率器件熱設計基礎(十二)——功率半導體器件的PCB設計

    /前言/功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高
    的頭像 發(fā)表于 01-13 17:36 ?359次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b>器件熱設計基礎(十二)——<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導體</b>器件的PCB設計

    揭秘功率半導體背后的封裝材料關鍵技術

    功率半導體器件在現(xiàn)代電子設備和系統(tǒng)中扮演著至關重要的角色。它們具有高效能、快速開關、耐高溫等優(yōu)勢,被廣泛應用于各種領域,如電力電子、電動汽車、可再生能源等。功率半導體器件的封裝材料作為
    的頭像 發(fā)表于 12-24 12:58 ?422次閱讀
    揭秘<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導體</b>背后的封裝材料<b class='flag-5'>關鍵</b>技術

    功率半導體性能表征的關鍵技術研究與應用分析

    引言全球能源結構的變革深刻影響著電力電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,以IGBT為代表的功率半導體器件是電力電子設備能源轉換與傳輸?shù)?b class='flag-5'>關鍵,在新能源汽車、光伏儲能、軌道交通等多個關鍵產(chǎn)業(yè)廣泛應用。隨著電力
    的頭像 發(fā)表于 12-10 14:58 ?308次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導體</b>性能表征的<b class='flag-5'>關鍵</b>技術研究與應用分析

    功率半導體模塊的可靠性評估:功率循環(huán)測試研究

    能力使得功率半導體在各種電力應用中不可或缺,例如電力變換器、電機驅動器和電力調(diào)節(jié)器等。功率半導體的應用領域
    的頭像 發(fā)表于 12-06 17:24 ?514次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導體</b>模塊的可靠性評估:<b class='flag-5'>功率</b>循環(huán)測試研究

    三菱電機供應12英寸功率半導體芯片

    三菱電機集團近日宣布,其功率器件制作所(Power Device Works)福山工廠即日起開始大規(guī)模供應采用12英寸硅(Si)晶圓制造的功率半導體芯片,用于
    的頭像 發(fā)表于 11-14 15:03 ?417次閱讀

    功率半導體性能表征的關鍵技術研究與應用分析

    引言 全球能源結構的變革深刻影響著電力電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,以IGBT為代表的功率半導體器件是電力電子設備能源轉換與傳輸?shù)?b class='flag-5'>關鍵,在新能源汽車、光伏儲能、軌道交通等多個關鍵產(chǎn)業(yè)廣泛應用。隨著電
    發(fā)表于 11-12 15:43 ?295次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導體</b>性能表征的<b class='flag-5'>關鍵</b>技術研究與應用分析

    AMEYA360:芯動半導體與羅姆簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議

    作為解決這些問題的關鍵器件被寄予厚望,并在核心驅動部件——牽引逆變器中逐漸得到廣泛應用。 通過此次的合作,芯動半導體
    的頭像 發(fā)表于 10-15 14:43 ?287次閱讀
    AMEYA360:芯動<b class='flag-5'>半導體</b>與羅姆簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議

    意法半導體第四代碳化硅功率技術問世

    意法半導體(簡稱ST)推出第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技術。第四代技術有望在能效、功率密度和穩(wěn)健性三個方面成為新的市場標桿。在滿足汽車和工業(yè)市場需求的同時,意法半導體還針對
    的頭像 發(fā)表于 10-12 11:30 ?645次閱讀

    功率半導體讓生活更美好

    功率半導體讓生活更美好
    的頭像 發(fā)表于 09-20 08:06 ?407次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導體</b>讓生活更美好

    逆變器是如何控制電機

    關鍵控制變量 頻率:逆變器通過改變施加于電機的電壓頻率,可以調(diào)整旋轉磁場的頻率,從而控制電機的轉速。轉速與頻率的關系(n=f/p)表明,頻率越高,
    的頭像 發(fā)表于 09-17 16:24 ?834次閱讀
    <b class='flag-5'>逆變器</b>是如何控制<b class='flag-5'>電機</b>的

    逆變器的電容越大功率越大嗎

    。高效的電路設計能夠更有效地將直流電能轉換為交流電能,并在轉換過程中減少能量損失。 半導體器件 :逆變器中使用的半導體器件(如IGBT、MOSFET等)的規(guī)格和性能直接影響其功率輸出能
    的頭像 發(fā)表于 08-28 15:55 ?2147次閱讀

    功率半導體和寬禁半導體的區(qū)別

    功率半導體和寬禁半導體是兩種不同類型的半導體材料,它們在電子器件中的應用有著很大的不同。以下是它們之間的一些主要區(qū)別: 材料類型:功率
    的頭像 發(fā)表于 07-31 09:07 ?606次閱讀

    功率半導體的封裝方式有哪些

    功率半導體的封裝方式多種多樣,這些封裝方式不僅保護了功率半導體芯片,還提供了電氣和機械連接,確保了器件的穩(wěn)定性和可靠性。以下是對功率
    的頭像 發(fā)表于 07-24 11:17 ?1476次閱讀

    英飛凌為麥田能源提供功率半導體,助力提升儲能應用效率

    英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)為快速成長的綠色能源行業(yè)領導者、逆變器及儲能系統(tǒng)制造商——麥田能源提供功率半導體器件,共同推動綠色能源發(fā)展。英飛凌將為麥田能源提供
    的頭像 發(fā)表于 04-18 08:14 ?512次閱讀
    英飛凌為麥田能源提供<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導體</b>,助力提升儲能應用效率

    全球功率半導體市場預計2030年達550億美元

    半導體材料運用層面,能夠承載較大電流或者功率需求的部件即被視為功率半導體。盡管并未形成嚴格界定,但通常將額定電流大于1A的定義為
    的頭像 發(fā)表于 03-06 15:46 ?677次閱讀