直接半導體遠場輻射

電磁輻射可能或輻射或傳導，后者為噪聲電壓或電流噪聲。 一般來講，半導體器件是 EME 的來源，如微控制器。眾所周知，越接近噪聲源，電磁輻射的對策越廉價。由于大部分標準的 EME 輻射測量是用遠場(r>?)定義的，所以本應用筆記以半導體器件的直接輻射為開端介紹遠場。

流過電線的任何電流都會引起遠場輻射，為了得到可接受的半導體輻射的最差情況，具有極端參數(shù)的平直導線(赫茲偶極子)和電流環(huán)路應按下列公式計算:

2.1.1 平直導線(赫茲偶極子)

在自由空間(周圍無導電材料)里，據(jù)[1]最高電場‘情況下可以按下式計算:

例如:

根據(jù) IEC61967–4 標準，展示了典型的器件在 20dBμA(10μA )、100MHZ(?= 3m)條件下的地電流 。 假定此電流經(jīng)過 10mm 長的獨立導線，并且返回電流離(無賠償遠場)此電場在 10m 之外，計算如下:

上面是近似極端的假設，實際直接輻射裝置應遠低于-6 dBμV/m。 很明顯，和普通器件輻射的強度相比，片內(nèi)導線的直接器件輻射可以忽略不計。

2.1.2 電流環(huán)路

假定電流為 100μA(40 dBμA)、頻率為 100MHz(?=3m)、環(huán)路面積為 1mm2、測量距離為 10m，產(chǎn)生的電場是:

顯然來自片上環(huán)路電流的直接器件輻射可以忽略，如電源等。尤其是這是在基于極端的假定的情況下計算的。

2.2 近場輻射

一般來講，從近場到遠場的過度是與信號的波長相關的。在式[1]，如果為近場，中間有個過度區(qū)間。一般來說，由于結構而引起的射頻功率應保持足夠小以使它們遠場發(fā)射低。即使這樣，近場輻射可以在附近激勵天線結構，并且明顯地增強遠場輻射。這些系統(tǒng)效果不在這里贅述。

審核編輯：湯梓紅