基礎(chǔ)半導(dǎo)體元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia(安世半導(dǎo)體)今日宣布MOSFET器件推出全新增強型電熱模型。半導(dǎo)體制造商通常會為MOSFET提供仿真模型，但一般僅限于在典型工作溫度下建模的少量器件參數(shù)。Nexperia的全新先進(jìn)模型可捕獲-55℃至175℃的整個工作溫度范圍的一系列完整器件參數(shù)。

這些先進(jìn)模型中加入了反向二極管恢復(fù)時間和電磁兼容性(EMC)，大大提升了器件整體精度。參數(shù)可幫助工程師建立精確的電路和系統(tǒng)級仿真，并在原型設(shè)計前對電熱及EMC性能進(jìn)行評估。模型還有助于節(jié)省時間和資源，工程師此前需要確保他們的設(shè)計可以在(不太可能的)最壞情況下工作，而現(xiàn)在能夠在特定溫度范圍內(nèi)對設(shè)計進(jìn)行仿真。

Nexperia與一家一級OEM合作開發(fā)了這些模型，目前僅有Nexperia能夠滿足其要求。Nexperia應(yīng)用工程師Andy Berry表示：“這些全新的先進(jìn)電熱模型旨在為設(shè)計人員提供最高可信度的電路仿真結(jié)果?！薄霸陔p脈沖測試中，模型對真實器件行為做出了精確預(yù)測，證明其具有出色的高精度。我們的合作伙伴在初步反饋中表示，這些模型是他們所見過最為精確的模型。”

繼Nexperia廣受歡迎的交互式應(yīng)用筆記發(fā)布之后，這些先進(jìn)的電熱模型是由我們的工程師團(tuán)隊專為廣大工程師朋友設(shè)計的一系列支持工具中的最新一款，計劃在未來幾個月內(nèi)發(fā)布。此種可支持外部活動的新工具旨在盡可能為Nexperia的客戶提供無縫的器件設(shè)計。

審核編輯：湯梓紅