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“雙模”壓電門控薄膜晶體管的工作機制

MEMS ? 來源:MEMS ? 作者:MEMS ? 2022-09-28 10:27 ? 次閱讀

隨著物聯(lián)網(wǎng)IoT)和“工業(yè)4.0”的興起,利用壓電材料制作緊湊、節(jié)能的力度傳感器吸引了廣泛關注。壓電電子學已成為一項新的技術前沿,在土木工程結構健康監(jiān)測以及人機交互界面等領域得到了應用。

壓電式力度傳感器,通常由應變誘導的“肖特基勢壘高度(SBH)調(diào)制”,或由在誘導壓電場中重新分配電荷載流子的“壓電門控效應”控制。然而,雖然基于SBH的器件已經(jīng)得到了很好的探索,但基于壓電門控的器件仍然相對較少被了解。這限制了壓電門控晶體管的制造。

據(jù)麥姆斯咨詢報道,近期在Nano Energy期刊上發(fā)表的一項新研究中,臺灣國立成功大學(National Cheng Kung University, NCKU)的研究人員首次報道了一種“雙模”壓電門控薄膜晶體管(PGTFT),并提供了解釋其工作機制的分析模型。這種PGTFT在兩種模式(即耗盡和積累)之間表現(xiàn)出了前所未有的工作性能,實現(xiàn)了創(chuàng)紀錄的應變靈敏度因數(shù)(電流相對變化與機械應變的比率)2780,展現(xiàn)了極高的靈敏度。

“僅依賴壓電門控效應的PGTFT,對于開發(fā)先進壓電器件至關重要。但是,迄今為止報道的大多數(shù)PGTFT通過壓電場誘發(fā)的SBH調(diào)制顯示出不明顯的壓電門控效應,并且只能檢測一維應變?!痹撗芯康耐ㄓ嵶髡邉⑷苯淌诒硎?。

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兩端用電極固定在柔性基板上的壓電器件的工作機理

在他們的這項研究中,由于氧化鋅(ZnO)的多功能壓電和半導體特性,研究人員利用氧化鋅來制造這種薄膜晶體管。通過改變制備過程中使用的氣體,可以控制ZnO薄膜中的載流子濃度。然后對薄膜進行充分表征,并用于制備兩種不同的PGTFT配置。

該研究團隊通過對PGTFT施加應變來測試它們的電流-電壓特性,并對結果進行分析和數(shù)值模擬。此外,他們還探索了改變載流子濃度對PGTFT工作模式的影響,以衡量壓電門控效應的影響。

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研究小組發(fā)現(xiàn),應變增加會降低頂部PGTFT電極的電流,但會增加底部電極的電流。這是由于電子在力的作用下從頂部運動到底部,在頂部耗盡,在底部形成電子積累。這反過來影響了輸出電流,并揭示了壓電門控效應和壓阻效應的共存,其中壓電門控效應占據(jù)主導。

此外,該團隊通過實驗和分析表明,應變靈敏度因數(shù)對載流子濃度高度敏感,表現(xiàn)為在他們的設計中創(chuàng)紀錄的提高了44%。

劉教授說:“我們提出的分析模型完美地解釋了PGTFT的工作原理,實驗和模擬結果一致。這些發(fā)現(xiàn)將為多維應變傳感PGTFT開發(fā)和應用鋪平道路?!?/p>

這一研究成果有望構建緊湊、經(jīng)濟高效且能耗更低的新型人機交互界面。

審核編輯:彭靜
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:首款“雙模”壓電門控薄膜晶體管,多維力度傳感有望開發(fā)創(chuàng)新人機交互

文章出處:【微信號:MEMSensor,微信公眾號:MEMS】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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