6.中斷和事件（INT/EVT）

6.1.嵌套向量中斷控制器

? 中斷都可屏蔽(除了 NMI)

? 4 個(gè)可編程的優(yōu)先等級(jí)

? 低延遲的異常和中斷處理

? 電源管理控制

? 系統(tǒng)控制寄存器的實(shí)現(xiàn)

嵌套向量中斷控制器(NVIC)和處理器核的接口緊密相連，可以實(shí)現(xiàn)低延遲的中斷處理和高效地處理晚到的中斷。

嵌套向量中斷控制器管理著包括核異常等中斷。關(guān)于更多的異常和 NVIC 編程的說(shuō)明請(qǐng)參考 CPU技術(shù)參考手冊(cè)。

6.2.系統(tǒng)滴答(SysTick)校準(zhǔn)值寄存器

本芯片支持系統(tǒng)滴答計(jì)時(shí)。

6.3.中斷功能描述

處理器和嵌套式矢量型中斷控制器(NVIC)在處理(Handler)模式下對(duì)所有異常進(jìn)行優(yōu)先級(jí)區(qū)分以及處理。當(dāng)異常發(fā)生時(shí)，系統(tǒng)自動(dòng)將當(dāng)前處理器工作狀態(tài)壓棧，在執(zhí)行完中斷服務(wù)子程序 (ISR)后自動(dòng)將其出棧。

取向量是和當(dāng)前工作態(tài)壓棧并行進(jìn)行的，從而提高了中斷入口效率。處理器支持咬尾中斷，可實(shí)現(xiàn)背靠背中斷，大大削減了反復(fù)切換工作態(tài)所帶來(lái)的開(kāi)銷(xiāo)。

6.4.外部中斷/事件控制器(EXTI)

外部中斷/事件控制器包含 26 個(gè)產(chǎn)生中斷/事件觸發(fā)的邊沿檢測(cè)電路，每條輸入線可以獨(dú)立地配置觸發(fā)事件類(lèi)型（上升沿或下降沿或者雙邊沿都觸發(fā)）。每條輸入線都可以獨(dú)立地被屏蔽，掛起寄存器保持著狀態(tài)線的中斷請(qǐng)求，可通過(guò)對(duì)掛起的寄存器對(duì)應(yīng)位寫(xiě)“1”清除中斷請(qǐng)求。

6.4.1.主要特征

EXTI 控制器的主要特性如下

? 每個(gè)中斷/事件都有獨(dú)立的觸發(fā)和屏蔽

? 每個(gè)中斷線都有專(zhuān)用的狀態(tài)位

? 支持多達(dá) 26 個(gè)軟件中斷/事件請(qǐng)求

? 支持上升沿、下降沿和雙邊沿 3 種觸發(fā)事件類(lèi)型

6.4.2.喚醒事件管理

CIU32F011x3、CIU32F031x5 可以處理外部或內(nèi)部事件來(lái)喚醒內(nèi)核(WFE)。喚醒事件可以通過(guò)下述配置產(chǎn)生：

外設(shè)的控制寄存器使能一個(gè)中斷，但不在 NVIC 中使能，同時(shí)在 CPU 的系統(tǒng)控制寄存器中使能SEVONPEND 位。當(dāng) CPU 從WFE 恢復(fù)后，需要清除相應(yīng)外設(shè)的中斷掛起位和外設(shè) NVIC 中斷通道掛起位（在 NVIC 中斷清除掛起寄存器中）。配置一個(gè)外部或內(nèi)部 EXTI 線為事件模式，當(dāng) CPU 從 WFE 恢復(fù)后，因?yàn)閷?duì)應(yīng)事件線的掛起位沒(méi)有被置位，不必清除相應(yīng)外設(shè)的中斷掛起位或NVIC 中斷通道掛起位。

7.循環(huán)冗余校驗(yàn)計(jì)算單元（CRC）

7.1.模塊介紹

循環(huán)冗余校驗(yàn)(CRC)計(jì)算單元是根據(jù)自定義的生成多項(xiàng)式得到任意一個(gè) 32 位全字的 CRC 計(jì)算結(jié)果。在其他的應(yīng)用中，CRC 技術(shù)主要應(yīng)用于核實(shí)數(shù)據(jù)傳輸或者數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的正確性和完整性。CRC 計(jì)算單元可以在程序運(yùn)行時(shí)計(jì)算出軟件的標(biāo)識(shí)，之后與在連接時(shí)生成的參考標(biāo)識(shí)比較，然后存放在指定的存儲(chǔ)器空間。

7.2.功能特點(diǎn)

? 支持 16/32 位不同長(zhǎng)度的多項(xiàng)式

? 支持自定義的多項(xiàng)式

? 默認(rèn)是 32 位多項(xiàng)式:

x 32 +x26 + x23 + x22 + x16 + x12 + x11 + x10 +x8 + x7 + x5 + x4 + x2+ x +1

? 一個(gè) 32 位初始值配置寄存器用于輸入，一個(gè) 32 位結(jié)果寄存器用于輸出結(jié)果

7.3.功能說(shuō)明

該模塊用于計(jì)算 SRAM 中指定數(shù)據(jù)段的 CRC 校驗(yàn)值，軟件配置計(jì)算初始值、校驗(yàn)多項(xiàng)式、起始地址、數(shù)據(jù)長(zhǎng)度，啟動(dòng) CRC 計(jì)算后等待硬件完成標(biāo)志有效時(shí)讀取 CRC_OUT 寄存器可獲得 CRC 校驗(yàn)值。

8.電源管理（POWER MANAGEMENT）

8.1.電源

芯片的工作電壓為 2.5V~5.5V。本芯片采用 Cap-Less 設(shè)計(jì)，無(wú)需在內(nèi)置 LDO 輸出上外掛電容。內(nèi)置 LDO 具有 2 擋位下拉電流使能 PMUCON0[18:17]，同時(shí)也有低功耗參考電流寄存器

PMUCON0[16:14]。

8.1.1.電壓調(diào)節(jié)器

復(fù)位后調(diào)節(jié)器總是使能的。在需要低功耗的場(chǎng)合，可以使能低功耗工作模式。

8.2.電源管理器

8.2.1.上電復(fù)位(POR) 和掉電復(fù)位(PDR)

CIU32F011x3、CIU32F031x5 內(nèi)部有一個(gè)完整的上電復(fù)位(POR)和掉電復(fù)位(PDR) 電路，當(dāng)供電電壓達(dá)到 2.2V 時(shí)系統(tǒng)能正常工作。當(dāng) VDD 低于指定的限位電壓 VPOR(1.2V)/VPDR(1.1V)時(shí)，系統(tǒng)保持為復(fù)位狀態(tài)，而無(wú)需外部復(fù)位電路。

8.2.2.可編程電壓監(jiān)測(cè)器(PVD)

華大電子MCU CIU32F011x3、CIU32F031x5 內(nèi)部集成一個(gè)外部供電 VCC 電壓檢測(cè)器，檢測(cè)電壓均閾值可選。當(dāng)系統(tǒng)監(jiān)測(cè)到 VCC 電壓低于配置電壓值時(shí)，可以選擇觸發(fā)系統(tǒng)復(fù)位或通過(guò)使能 PVD 中斷進(jìn)入中斷子函數(shù)。這一特性可用于執(zhí)行緊急關(guān)閉任務(wù)。檢測(cè)信號(hào)可以選擇經(jīng)過(guò)毛刺濾波電路或直接檢測(cè)，由 LVDCON 的 LVD_VCC_BPS_EN 來(lái)控制。

審核編輯 ：李倩