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新建的300mm晶圓工廠是博世未來芯片制造的關鍵

SAE International ? 來源:SAE International ? 作者:SAE International ? 2022-12-13 11:28 ? 次閱讀

目前新建的半導體工廠是博世集團122年歷史上最大的單筆投資項目。在遭遇供應短缺和瓶頸之后,這家位于德國德累斯頓的工廠對專注于區(qū)域化電子生產(chǎn)的汽車制造商來說是個利好消息。這也是讓博世成為全球芯片龍頭的最新戰(zhàn)略舉措。

博世聲稱,2017年開始建設的德累斯頓新工廠是1999年以來歐洲第一家300mm晶圓生產(chǎn)工廠(也稱為晶圓廠)。工廠的建設愿景符合2022年2月頒布的《歐洲芯片法案》(European Chips Act)的目標。該法案的目標之一是到2030年將歐洲在全球半導體生產(chǎn)中的份額從10%提高到20%。

一個300mm芯片包含上千個相同的半導體元件。生產(chǎn)半導體需要將三維的集成布局轉移到晶圓上。據(jù)博世的工程師介紹,這個流程需要重復27次,涉及約500道工序。根據(jù)所需電路系統(tǒng)的復雜性,這一過程有時甚至長達數(shù)月之久。

研發(fā)中心的側重點

博世已對德累斯頓工廠投資10億歐元,其中部分資金來自IPCEI(歐洲共同利益重要項目)的特別補貼。工廠目前擁有350名員工,2022年底員工數(shù)量將增至400人,工廠竣工時將達到700人。新晶圓廠是博世在德國的兩個生產(chǎn)基地之一,另一家工廠位于斯圖加特附近的羅伊特林根,生產(chǎn)半導體已經(jīng)超過半個世紀,主要負責生產(chǎn)150mm(5.9英寸)和200mm(7.87英寸)晶圓上的半導體。

一項新的歐洲資助計劃——IPCEI 2目前正在實施。在IPCEI 2框架內,博世計劃到2026年在半導體技術和系統(tǒng)方面投資30億歐元。其中超過1.7億歐元將用于建設位于羅伊特林根和德累斯頓的兩個新研發(fā)中心。德累斯頓的研發(fā)中心預計于2023年投入運營,屆時將成為半導體和微機電系統(tǒng)(MEMS傳感器的新研發(fā)中心。

此外,博世計劃于2026年起在300mm晶圓上生產(chǎn)MEMS傳感器。在未來一年內,博世還計劃追加投入2.5億歐元用于擴建德累斯頓工廠的無塵室設施。

氮化鎵研究

電力電子技術是滿足電動汽車需求的關鍵所在。博世聲稱,借助碳化硅(SiC)芯片技術,公司已經(jīng)能夠將電動汽車的續(xù)航里程增加6%。博世預計到2030年之前,碳化硅芯片市場的年均增速將達到30%。這引發(fā)了人們對高效率、低成本芯片的追逐。

為此,博世已經(jīng)開始對氮化鎵(GaN)芯片的研究。這種芯片已經(jīng)應用于智能手機和筆記本電腦的充電器,但由于電動汽車的充電電壓較高,最高可達1200V,因此在氮化鎵芯片滿足電動汽車應用的生產(chǎn)條件之前,還需要進行更多研究。

據(jù)博世集團管理委員會主席Stefan Hartung博士介紹:“總之,芯片在汽車總價值中的份額將在十年內翻兩番。從不到200歐元增加到800歐元以上?!?/p>

最近,博世在德累斯頓工廠向SAE以及部分媒體展示了一些半導體應用,其中包括重新設計的電動汽車充電電纜。歐洲的電動汽車通常配備兩根獨立電纜,一根用于230V歐標家用電源插座;另一根配備了TYPE 2型充電插座,可用于7kW的壁式家用交流充電箱,或11kW或22kW的三相充電器。

博世對電纜進行了重新設計,使一根電纜就能滿足所有需求。這需要將兩種電纜的控制電子元件集成在一起,以適應車輛端的TYPE 2型充電插座。此外,還需要將溫控和漏電保護裝置集成在插頭中。這意味著可以去除通常集成在230V家用充電電纜上的控制盒,將電纜重量減少約40%。只要在電纜的另一端裝上可互換的家用或TYPE 2型插頭,車輛就可以通過家用插座、壁式交流充電箱或交流三相電源進行充電。

博世還展示了其先進駕駛模塊(ADM),在“Rolling Chassis”中的預集成系統(tǒng)解決方案。該模塊被設計為一個電動汽車研發(fā)平臺,可將驅動、轉向和制動等多個獨立系統(tǒng)集成到一個靈活統(tǒng)一的系統(tǒng)中。

在降低部件復雜性的同時,簡化的接口和一致的軟件架構確保了部件之間的通信優(yōu)化。這種模塊化方案讓OEM能夠將ADM模塊與他們的需求相結合。Rolling Chassis原型由博世與底盤及車身系統(tǒng)一級供應商Benteler組成的工程團隊聯(lián)合打造。

大幅提高產(chǎn)能

博世需要新機器來提高半導體產(chǎn)能,但半導體短缺也同時影響了機器的供應。博世半導體生產(chǎn)與供應鏈運營高級副總裁Patrick Leinenbach指出:“這個問題很嚴重,一方面是供應鏈產(chǎn)能萎縮,另一方面是龐大的產(chǎn)能需求(疫情加大了需求),現(xiàn)在我們首先考慮的是為客戶提供服務,確保滿足客戶需求。此外,公司的團隊也在努力工作,為產(chǎn)品尋找買家?!?/p>

盡管碳化硅芯片有助于增加電動汽車的續(xù)航里程,但這種材料也帶來了新問題。Leinenbach說:“原材料變了。當我們說使用硅作為原材料,通常指的就是整塊硅,將其切割成晶圓后再制作芯片。但這對碳化硅來說行不通?!?/p>

這也限制了使用碳化硅生產(chǎn)的晶圓的尺寸。目前,博世可以生產(chǎn)150mm的碳化硅晶圓。Leinenbach表示:“現(xiàn)在也可以買到200mm的晶圓,但質量不是很好,所以還需要時間來改進工藝、提高質量?!?/p>

作為一種替代材料,氮化鎵尤其適用于充電系統(tǒng)的電源管理。但正如Leinenbach所解釋的,“碳化硅讓我們有機會繼續(xù)使用硅,將原有產(chǎn)能升級后即可生產(chǎn)300mm晶圓。因此與氮化鎵相比,碳化硅在電氣系數(shù)等多個方面具有優(yōu)勢;但是氮化鎵也可以生產(chǎn)300mm規(guī)格的晶圓,所以最終需要讓市場決定自己想要什么吧?!?/p>

審核編輯 :李倩

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原文標題:新建的300mm晶圓工廠是博世未來芯片制造的關鍵

文章出處:【微信號:SAEINTL,微信公眾號:SAE International】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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