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發(fā)力新基建,維安推出國(guó)內(nèi)“最酷”MOSFET

KOYUELEC光與電子 ? 2023-01-04 17:09 ? 次閱讀

受益于國(guó)家對(duì)新基建項(xiàng)目的重視,新能源電動(dòng)汽車充電樁5G基站建設(shè)速度迅猛。應(yīng)新能源汽車?yán)m(xù)航里程提升和快速充電的要求,充電樁的功率已高達(dá)120KW到180KW。同樣,5G領(lǐng)域也很講求功率的高效性,5G基站單站滿載功率近3700W,約為4G基站的2.5~3.5倍,電費(fèi)亦會(huì)隨之攀升至3G、4G的4~5倍之大。面對(duì)這些用電大戶,耗電問題將是5G時(shí)代運(yùn)營(yíng)商無法回避的問題。降低能耗,提升電源效率,是選擇功率半導(dǎo)體器件時(shí)的主要考慮因素。

目前,功率MOSFET中TO-247封裝是充電機(jī)、充電樁和基站高功率電源模塊應(yīng)用中最通用的封裝形式。針對(duì)超低內(nèi)阻的高壓MOS產(chǎn)品需求,在常規(guī)TO-247封裝不能滿足的情況下,電源工程師往往會(huì)使用諸如TO-247MAX,、TO-3P(L) 、TO-264、PLUS TO-247等超大體積封裝來代替。這種超大封裝不僅不通用,且成本較高。順應(yīng)趨勢(shì),維安經(jīng)過多年的SJ-MOS技術(shù)研發(fā)創(chuàng)新,開發(fā)出行業(yè)內(nèi)超低導(dǎo)通電阻產(chǎn)品——WMJ120N60CM,采用常規(guī) TO-247封裝的600V高壓SJ-MOS,導(dǎo)通電阻Rdson低至16.5mΩ,能夠有效提升電源功率密度,解決應(yīng)用痛點(diǎn)。

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圖1 常規(guī)TO-247 封裝示意圖


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圖2 常規(guī)TO-247導(dǎo)通電阻Rdson 對(duì)比

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圖3常規(guī)TO-247 品質(zhì)因數(shù)FOM對(duì)比

在品質(zhì)因數(shù)FOM(Rdson*Qg)方面,WMJ120N60CM達(dá)到業(yè)界領(lǐng)先水平。

在3.3KW PFC模塊電路測(cè)試中,WMJ120N60CM和行業(yè)某知名廠商的65R019C7效率幾乎無差異,甚至比60R019C7高出0.15~0.34%; 對(duì)應(yīng)的輸入功耗小了1~4W。

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圖4 3.3KW PFC模塊電路測(cè)試中WMJ120N60CM和65R019C7效率對(duì)比

230Vac 輸出400V/8.31A條件下開關(guān)波形:

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圖5 WMJ120N60CM 開通波形

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圖6 65R019C7 開通波形

VGS 開通延遲時(shí)間兩者無差異:WMJ120N60CM 155ns, 65R019C7 148ns.

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圖7 WMJ120N60CM 關(guān)斷波形

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圖8 65R019C7 關(guān)斷波形


從VGS 關(guān)斷波形來看, WMJ120N60CM 比65R019C7 略快。WMJ120N60CM具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的導(dǎo)通電阻Rdson,且是TO-247通用封裝,在有效提升電源功率密度的同時(shí)又節(jié)省了空間。目前此款產(chǎn)品主要面向高功率電源模塊,比如新能源汽車地面充電樁模塊電源,通信電源和高功率充電機(jī)等行業(yè),在減少成本費(fèi)用的情況下實(shí)現(xiàn)高效,加速新基建全面落地。

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