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半導(dǎo)體制造商提高質(zhì)量和產(chǎn)量的 4 個(gè)步驟

MinitabUG ? 來源:MinitabUG ? 作者:MinitabUG ? 2023-01-16 09:53 ? 次閱讀

半導(dǎo)體制造不僅是技術(shù)最先進(jìn)的行業(yè)之一,而且也是成本最密集的行業(yè)之一。隨著基于半導(dǎo)體的設(shè)備在從個(gè)人電腦到電話和汽車的一切事物中變得司空見慣,需求持續(xù)增長。隨著數(shù)量的增加,對(duì)更強(qiáng)大的質(zhì)量計(jì)劃的需求也在增加。雖然大多數(shù)制造商都在使用 Minitab 等統(tǒng)計(jì)軟件來解決某些問題,但仍有機(jī)會(huì)擴(kuò)大其范圍并提供更多價(jià)值。

半導(dǎo)體制造業(yè)往往比其他行業(yè)平均收集更多的數(shù)據(jù)。這意味著您可以更輕松地將數(shù)據(jù)以不同的方式發(fā)揮作用,例如:

使用測量系統(tǒng)分析最大限度地減少生產(chǎn)中的變化

使用量具 R&R 和方差分析等工具來確定測量系統(tǒng)的變化至關(guān)重要,尤其是對(duì)于半導(dǎo)體制造而言。為確保規(guī)格能夠得到保證,測量的可重復(fù)性和再現(xiàn)性需要相對(duì)于測量的規(guī)格公差較小。 Minitab 的新測量系統(tǒng)分析?模塊使各級(jí)從業(yè)人員能夠輕松評(píng)估測量系統(tǒng)的變異、偏差和穩(wěn)定性。

使用統(tǒng)計(jì)過程控制來提高產(chǎn)量并避免制造過程中的浪費(fèi)

使用控制圖和能力分析來測量關(guān)鍵特性,如晶圓厚度、沉積速率(晶圓表面沉積材料作為薄層以包含電氣特性的速率)、終點(diǎn)時(shí)間(檢測最準(zhǔn)確的停止時(shí)間蝕刻工藝,以避免蝕刻過度或蝕刻不足)等將有助于確保您的工藝和設(shè)備處于可控狀態(tài)。如果您已經(jīng)在使用 SPC 方法,使用Minitab的 下一代統(tǒng)計(jì)過程控制可以幫助您改進(jìn)技術(shù)并實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)節(jié)省。

使用實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)改進(jìn)制造工藝

由于半導(dǎo)體制造由多個(gè)復(fù)雜的過程組成,即使是最有經(jīng)驗(yàn)和能力的工程師也不一定知道制造設(shè)備的最佳設(shè)置。即使已知最佳設(shè)置,新技術(shù)也會(huì)不斷被采用,從而引入未知情況和新問題。實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)幫助工程師建立一個(gè)綜合模型,以幫助非常準(zhǔn)確地理解系統(tǒng)的工作原理。 通過閱讀這篇博文,了解更多關(guān)于 DOE 的實(shí)際操作,幫助提高一個(gè)制造商拋光過程的均勻度,或者通過觀看本次網(wǎng)絡(luò)研討會(huì),了解更多關(guān)于 DOE 的總體信息。

使用機(jī)器學(xué)習(xí)進(jìn)行硅后驗(yàn)證

與進(jìn)行測量并做出通過/失敗決策的生產(chǎn)測試不同,在硅后驗(yàn)證中,您需要非常詳細(xì)地了解設(shè)備在各種操作條件下的行為。使用機(jī)器學(xué)習(xí),您可以更好地了解設(shè)備的輸入如何影響輸出并找到它們之間隱藏的關(guān)系和復(fù)雜性。借助Minitab 的預(yù)測分析模塊,您可以構(gòu)建穩(wěn)健的預(yù)測模型或使用我們的可變重要性圖表等工具來突出顯示影響性能的最關(guān)鍵輸入。

審核編輯黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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