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沙礫是如何逆襲成為芯片的

ASML阿斯麥光刻 ? 來(lái)源: ASML阿斯麥光刻 ? 2023-01-17 15:06 ? 次閱讀

芯片雖小,

但對(duì)人類世界的影響卻是巨大的。

芯片已成為我們工作、旅行、健身和娛樂(lè)中不可或缺的核心技術(shù)。

而它的出身居然是不起眼的沙礫...

平凡的沙礫,是如何逆襲成為芯片的呢?

“逆天改命”闖三關(guān)

“逆襲上位”

第一步——純化

在高溫的作用下轉(zhuǎn)換成純度約99.9%的硅。

第二步——拉晶

硅經(jīng)過(guò)熔化從中拉出圓柱狀的硅晶柱,

也就是我們常說(shuō)的“硅錠”。

第三步——切割

將硅晶柱切割成薄硅片,

拋光后便形成晶圓。

關(guān)鍵工藝不可少

沙礫變成晶圓后,

距離成為芯片還有“億”點(diǎn)點(diǎn)距離,

還需要經(jīng)過(guò)幾個(gè)關(guān)鍵工藝錘煉。

制造芯片的第一步,通常是將導(dǎo)體、絕緣體或半導(dǎo)體材料薄膜沉積到晶圓上。隨后,在晶圓上涂覆光敏材料“光刻膠”或“光阻”。晶圓放入***后,光線將電路圖案成像在晶圓上,制作出需要的圖案。因此,電路圖的精細(xì)度越高,芯片的集成度越高,難度也就越大。

值得注意的是,光刻期間產(chǎn)生的物理、化學(xué)效應(yīng)可能造成圖案形變。ASML可將現(xiàn)有光刻數(shù)據(jù)及圓晶測(cè)試數(shù)據(jù)整合,制作算法模型,精確調(diào)整圖案確保最終光刻圖案的準(zhǔn)確。

顯影完成后,進(jìn)入刻蝕環(huán)節(jié),使用氣體等材料去除多余的空白部分,形成3D電路圖案。為了避免誤差,在芯片生產(chǎn)過(guò)程中,還可通過(guò)對(duì)晶圓的計(jì)量和檢驗(yàn),并反饋至光刻系統(tǒng),來(lái)進(jìn)一步優(yōu)化、調(diào)整設(shè)備。在去除剩余的光刻膠之前,可以用正離子或負(fù)離子轟擊晶圓,對(duì)部分圖案的半導(dǎo)體特性進(jìn)行調(diào)整。

從薄膜沉積到去除光刻膠,整個(gè)流程為晶圓片覆蓋上一層圖案。而要在晶圓片上形成集成電路,完成芯片制作,這一流程需要不斷重復(fù)可多達(dá)100次。最后,切割晶圓獲得單個(gè)芯片,封裝在保護(hù)殼中。經(jīng)過(guò)層層闖關(guān)和歷煉,沙礫終于華麗轉(zhuǎn)身,逆襲成為構(gòu)成人類豐富多彩世界的、舉足輕重的成品芯片了!

“小”無(wú)止境

如今,一個(gè)指甲蓋大小的芯片,包含的晶體管已達(dá)到數(shù)十億個(gè)。***所能實(shí)現(xiàn)的圖像微縮的尺寸越小,芯片制造商能在芯片上安裝的晶體管就越多,功能也就越強(qiáng)大。

因此,數(shù)十年來(lái),ASML堅(jiān)持創(chuàng)新,始終挑戰(zhàn)極限,為了每1納米的微縮而努力。

編輯:何安

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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原文標(biāo)題:光刻奇思 | 沙礫到芯片的逆襲之旅

文章出處:【微信號(hào):ASML阿斯麥光刻,微信公眾號(hào):ASML阿斯麥光刻】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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