本文重點(diǎn)介紹如何使用外部MOSFET開(kāi)關(guān)，以確保在將系統(tǒng)電壓施加到負(fù)載之前存在有效的系統(tǒng)電壓。這個(gè)簡(jiǎn)單的電路使用復(fù)位電路和MOSFET在上電期間提供保護(hù)電路。

在電壓達(dá)到某個(gè)最小值之前，通常需要防止將電源電壓施加到負(fù)載上。圖1所示電路由兩個(gè)緊湊型SOT23封裝組成，當(dāng)電源電壓低于預(yù)設(shè)門限時(shí)，通過(guò)阻斷電源電壓（標(biāo)稱值為5V）來(lái)保護(hù)負(fù)載。IC1的門限為4.63V;該 IC 的其他四個(gè)版本提供 4.38V、3.08V、2.93V 和 2.63V 門限。

圖1.該保護(hù)電路僅在VCC高于預(yù)設(shè)閾值電壓時(shí)向負(fù)載供電。

IC1的高電平有效復(fù)位輸出通過(guò)在上電期間保持高電平來(lái)保持p溝道MOSFET關(guān)斷。在復(fù)位超時(shí)周期（最小值為140ms）結(jié)束時(shí)，它繼續(xù)保持高電平，當(dāng)VCC通過(guò)4.63V門限時(shí)，IC1由IC1啟動(dòng)。如果超時(shí)到期后VCC仍高于4.63V，則復(fù)位變?yōu)榈碗娖?，開(kāi)啟Q1，并將VCC施加到負(fù)載上。Q1的導(dǎo)通電阻（VGS = 4.5V時(shí)為0.2Ω）可提供1A電源電流，而壓降僅為200mV。

如果 VCC 在超時(shí)期間搖搖晃晃并降至閾值以下，或者 VCC 在正常工作期間降至閾值以下，則 Q1 將關(guān)閉并從負(fù)載中移除 VCC。在關(guān)斷期間，復(fù)位也會(huì)變?yōu)楦唠娖?，并在VCC降至門限以下時(shí)立即關(guān)閉Q1。IC1 保持該柵極驅(qū)動(dòng)，用于低至 1V 的 VCC;低于該水平，負(fù)載保持安全，因?yàn)閂GS太低，無(wú)法重新打開(kāi)Q1。

該電路可與任何提供高電平有效、推挽復(fù)位輸出的微處理器復(fù)位器件一起實(shí)現(xiàn)。作為提供其他閾值電平和特性組合的替代方案，可以考慮MAX812、MAX824、MAX6327和MAX6332。

審核編輯：郭婷