DC/DC評(píng)估篇損耗探討-損耗因素
本文將探討工作條件和損耗增加之間的關(guān)系。
損耗因素
此前介紹過(guò)在電源電路的很多部位都會(huì)產(chǎn)生損耗，整體損耗的構(gòu)成部分–特定部位的損耗在某些工作條件下會(huì)增加。所以需要先認(rèn)識(shí)到工作條件是造成損耗增加的因素之一。下面匯總了與條件相關(guān)的造成損耗的因素，同時(shí)還給出了損耗的計(jì)算公式，這樣可以更明確地理解其關(guān)聯(lián)性。
隨著負(fù)載電流 
的增加而增加的損耗因素
?高邊側(cè)的MOSFET導(dǎo)通電阻 
帶來(lái)的傳導(dǎo)損耗
?低邊側(cè)的MOSFET導(dǎo)通電阻 
帶來(lái)的傳導(dǎo)損耗
?電感（線圈）的DCR 
帶來(lái)的導(dǎo)通損耗
隨著頻率 
的提高而增加的損耗因素
?柵極電荷損耗
受負(fù)載電流 和頻率兩者影響的損耗因素
?開(kāi)關(guān)損耗
這些是和電源電路的規(guī)格變更和條件變動(dòng)有關(guān)的因素。只要理解了這些關(guān)系，就可以明白探討規(guī)格和條件變更時(shí)的注意要點(diǎn)。
審核編輯：湯梓紅
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