三菱電機公司日前宣布，將在截至2026年3月的五年內(nèi)將之前宣布的投資計劃翻一番，達到約 2600 億日元，主要用于建設(shè)新的晶圓廠，以增加碳化硅 (SiC) 功率半導體的生產(chǎn)。日媒指出，藉由上述增產(chǎn)投資，2026年度時，三菱電機SiC晶圓產(chǎn)能將擴增至2022年度的約5倍水平。

根據(jù)該計劃，三菱電機預計將響應快速增長的電動汽車 SiC 功率半導體需求，并擴大新應用市場，例如低能量損耗、高溫運行或高速開關(guān)等。該計劃還將使三菱電機能夠為全球節(jié)能和脫碳的綠色轉(zhuǎn)型趨勢做出貢獻。

新增投資的主要部分，約 1000 億日元，將用于建設(shè)新的 8 英寸 SiC 晶圓廠和增強相關(guān)生產(chǎn)設(shè)施。新工廠將合并熊本縣酒酒井地區(qū)的自有設(shè)施，將生產(chǎn)大直徑8英寸SiC晶圓，引入具有最先進能源效率和高水平自動化生產(chǎn)效率的無塵室。此外，該公司還將加強其 6 英寸 SiC 晶圓的生產(chǎn)設(shè)施，以滿足該領(lǐng)域不斷增長的需求。

此外，三菱電機將新投資約 100 億日元用于新工廠，該工廠將整合目前分散在福岡地區(qū)的現(xiàn)有業(yè)務，用于功率半導體的組裝和檢查。集設(shè)計、開發(fā)、生產(chǎn)技術(shù)驗證于一體，將大大提升公司的開發(fā)能力，便于及時量產(chǎn)以響應市場需求。剩余的 200 億日元全部為新投資，將用于設(shè)備改進、環(huán)境安排和相關(guān)運營。

三菱電機2010年開始量產(chǎn)碳化硅功率半導體。三菱電機提出到2025年度將功率半導體銷售額提高到2400億日元、比2021年度增長34％的目標。營業(yè)利潤率的目標是達到10％。

審核編輯 ：李倩