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ROS機器人中直流電機控制原理與驅(qū)動電路設計

CHANBAEK ? 來源:硬件實戰(zhàn)君 ? 作者:硬件實戰(zhàn)君 ? 2023-03-17 10:45 ? 次閱讀

這篇文章來分享下,在ROS學習平臺中常常使用到的直流電機控制原理與驅(qū)動電路。

在使用ROS機器人構建地圖的過程中,需要在房間內(nèi)自主運行,采集地圖信息。 這個過程中需要控制電機的正反轉(zhuǎn),電機的轉(zhuǎn)速,以適應機器人直行,轉(zhuǎn)彎等動作。

正反轉(zhuǎn)控制原理

有刷電機的正反轉(zhuǎn)非常簡單,只需要交換電機供電線正負極,便可以實現(xiàn)電機正反轉(zhuǎn)控制。 在自動控制系統(tǒng)中,我們不可能手動去不停交換電機正負極供電順序,需要使用程序配合硬件電路去實現(xiàn)。

如下圖所示,使用4個功率管(可以為MOS管或者IGBT)搭建成橋式電路,在橋臂中心引出兩根導線,連接到電機的供電引腳上。

wKgaomQT0e-AXZPAAAAtdFadNGI500.jpg

當使用單片機控制Q2,Q3導通,Q1,Q4截止時。 電流經(jīng)過過電源正極,經(jīng)過Q3,電機線圈,Q2流到GND。 假設這種狀態(tài)時電機正轉(zhuǎn)。

wKgaomQT0e-AbCMfAAA3n_Ea8fk653.jpg

當使用單片機控制Q1,Q4導通,Q2,Q3截止時。 電流經(jīng)過過電源正極,經(jīng)過Q1,電機線圈,Q4流到GND。 假設這種狀態(tài)時電機反轉(zhuǎn)。

wKgZomQT0e-AeHkhAAA_yLc4efY220.jpg

通過橋式電路的兩種狀態(tài)切換便可以輕松實現(xiàn)電機正反轉(zhuǎn)控制。 對于有刷電機的正反轉(zhuǎn)控制還可以使用2個繼電器簡單實現(xiàn),但是這種方式不便于調(diào)速控制,這里就不介紹了。

直流有刷電機調(diào)速原理

根據(jù)電機電壓平衡方程

wKgZomQT0fGAJ5wnAAAIKETUVco654.jpg

從公式中可以看出電機轉(zhuǎn)速n和供電電壓成正比。 所以通過改變電機供電電壓可以達到到調(diào)速的目的。

電力電子中可以通過PWM波控制開關管導通與關閉來調(diào)制直流電壓。 并且調(diào)制電壓滿足關系Vout=D*Vin,式中D為PWM波的占空比,等于在一個PWM周期內(nèi)高電平持續(xù)的時間與PWM周期的比值。

調(diào)速方法:在進行晶體管控制時,可以選擇不同的三種斬波方式HPWM-LON,HON-LPWM,PWM-ON-PWM。 我通常使用的為HPWM-LON方式即上管PWM,下管導通。

直流有刷電機驅(qū)動電路

wKgZomQT0fCAKdlOAALWIqS9hn4033.jpg

H橋電路采用4顆大電流NMOS管,柵極100歐姆電阻起到抑制浪涌電流的作用,10K電阻組成柵源寄生電容泄放回路,柵極二極管提供一個低阻抗MOS管關斷路徑,加快MOS管關斷。 (電路中元件參數(shù)看根據(jù)實際PCB進行調(diào)整)

wKgaomQT0e-AWYTWAAA8CJ9tW3w774.jpg

半橋驅(qū)動電路,當MOS管柵源電壓高于閾值電壓時MOS管開始導通,IRF3710的閾值電壓為4V。 但是只是使用4V電壓進行驅(qū)動MOS管時,MOS管Rds比較大,MOS管不能流過過大電流,如下圖所示:

wKgaomQT0e-ABCa0AADal8TbzXg828.jpg

從圖中可以看出,隨著柵源電壓的增大MOS管的通流能力也就隨著增大。 所以在驅(qū)動器設計過程中,我使用了12V電源作為MOS管的驅(qū)動,當MOS管導通時,MOS能夠有很小的Rds,使MOS管有更大的通流能力。

電路中C7作為自舉電容,當驅(qū)動H橋電路中的上橋臂時,由于上橋MOS管源級踩在較高的電壓上(24V),所以MOS管G極電壓應該比源極高12V時才能夠?qū)ǎ╒gs=36V),這里利用電容兩端電壓不能突變的特性,半橋驅(qū)動芯片內(nèi)部電路將MOS管柵極抬升至36V,此時MOS柵源電壓滿足導通條件。 由于自舉電容C7需要不斷地間隔進行充電,也就導致了此種電路PWM占空比不能達到100%,在編程時需要特別注意。

wKgZomQT0e-ANBVTAAAkL2W0Fsg803.jpg

光偶隔離電路,使用光耦器件將驅(qū)動器與主控進行電氣隔離,防止電機驅(qū)動器對主控制器的干擾。

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