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多晶高鎳層狀正極材料的微納米結(jié)構(gòu)設(shè)計策略

清新電源 ? 來源:清新電源 ? 2023-03-17 17:44 ? 次閱讀

綜述背景

多晶高鎳層狀過渡金屬氧化物 (NRLO) 是商用鋰離子電池中很有前途的正極,尤其是應(yīng)用于電動汽車市場。然而,它們由于沿晶界形成微/納米裂紋而遭受嚴(yán)重的結(jié)構(gòu)退化,并且由于高 Ni3+/4+ 反應(yīng)性導(dǎo)致嚴(yán)重的電化學(xué)性能退化。盡管摻雜和涂層策略已被證明可以有效地延緩損傷的發(fā)生,但它們無法克服固有的結(jié)構(gòu)退化。然而,對NRLO進(jìn)行微觀和納米結(jié)構(gòu)修飾可以直接克服它們的內(nèi)在降解。

綜述簡介

近日,清華大學(xué)深圳國際研究生院李寶華教授團(tuán)隊從NRLO微觀結(jié)構(gòu)到最終電池性能的構(gòu)效關(guān)系出發(fā)。系統(tǒng)地闡明和總結(jié)了 NRLO 中各種微觀結(jié)構(gòu)的最新進(jìn)展,包括核殼結(jié)構(gòu)、異質(zhì)結(jié)構(gòu)以及初級顆粒為等軸或徑向伸長的結(jié)構(gòu)。詳細(xì)討論了它們相應(yīng)的合成策略、形成和改性機(jī)制。最后,提出了微納米結(jié)構(gòu)改性NRLOs的未來發(fā)展前景,以促進(jìn)其大規(guī)模應(yīng)用。

綜述亮點

(1) 詳細(xì)、系統(tǒng)的闡述了多晶NRLO的常見微納米結(jié)構(gòu)及其相應(yīng)的合成、改性方法。

(2) 對徑向伸長結(jié)構(gòu)、核殼結(jié)構(gòu)、異質(zhì)結(jié)構(gòu)的多晶NRLO合成方法和電極性能進(jìn)行了比較和分析。

(3) 對NRLO微結(jié)構(gòu)和納米結(jié)構(gòu)形成機(jī)理、改性策略所面臨的挑戰(zhàn)進(jìn)行了深入分析和展望。

圖文導(dǎo)讀

1.引言

高鎳層狀過渡金屬氧化物(NRLOs),尤其是多晶NRLOs,如LiNi1-x-yCoxMyO2(M=Mn、Al等),是有前途的高比容量(≈180-240 mAh g?1)正極材料。,典型的 NRLO,LiNi0.8Co0.15Al0.05O2(NCA80)目前為特斯拉車型 S、X 和 3 提供動力。隨著鎳含量的增加 (>80%),這些 NRLO 會因沿晶界形成微/納米裂紋而遭受嚴(yán)重的結(jié)構(gòu)退化,并因高 Ni3+/4+ 反應(yīng)性而導(dǎo)致嚴(yán)重的電化學(xué)性能退化。Ni3+/4+可以在充電狀態(tài)下很容易與電解質(zhì)發(fā)生反應(yīng),朝向費米能量的 3d eg 軌道增加,導(dǎo)致表面 Ni3+/4+ 容易還原為 2+ 的較低價態(tài)和電解質(zhì)分解,同時。電解質(zhì)分解將不可避免地產(chǎn)生副產(chǎn)物覆蓋在正極顆粒,稱為正極電解質(zhì)界面(CEI),其中Li+在CEI的形成中被不可逆地消耗。

CEI通常含有LiF金屬氟化物、磷酸鹽、ROCO2Li、ROCO2-過渡金屬和聚碳酸酯,離子電導(dǎo)率低,機(jī)械性能和化學(xué)穩(wěn)定性差。此外,NRLOs 在電荷狀態(tài)下經(jīng)歷多次相變,從原始層狀結(jié)構(gòu) (H1) 隨后到單斜相 (M),最后到另外兩個六方相(H2 和 H3)。值得注意的是有害的 H2→ H3 相變通常導(dǎo)致晶胞突然收縮和 NRLO 的局部應(yīng)力集中,進(jìn)一步導(dǎo)致微/納米裂紋的形成和整個次級粒子的新表面暴露。這些化學(xué)和結(jié)構(gòu)劣化結(jié)合導(dǎo)致快速容量衰減和NRLO 的極低放電容量。在這方面,許多策略包括原子摻雜、無機(jī)或有機(jī)材料涂層、和電解質(zhì)優(yōu)化,已被采用以減輕化學(xué)和結(jié)構(gòu)劣化并獲得高比容量和循環(huán)穩(wěn)定性。引入少量鈦、氟、銻、鎂、硼、鍶、鈮和鋁作為過渡金屬位點的替代物,不僅可以減輕晶胞體積變化的程度,而且保持高電荷狀態(tài)下的結(jié)構(gòu)完整性,還通過提供電荷補(bǔ)償來平衡靜電排斥和調(diào)節(jié)陽離子混合度。氧化物、氟化物/磷酸鹽和有機(jī)聚合物等表面涂層可以充當(dāng)穩(wěn)定的緩沖層,通過防止 NRLO 直接暴露于電解質(zhì)來物理抑制副反應(yīng)。

盡管原子摻雜和表面涂層的功效,這些方法只是延遲了 NRLO 降解過程的開始。因為多晶 NRLO 的初級微晶的隨機(jī)取向?qū)⒉豢杀苊獾貙?dǎo)致充電/放電過程中的不均勻體積膨脹/收縮。因此,機(jī)械應(yīng)力會在晶粒內(nèi)部或晶界界面上不斷累積,最終導(dǎo)致容量損失和顆粒降解,盡管有所延遲。此外,摻雜和涂層都會增加非活性物質(zhì)的重量,從而降低能量密度并增加資金成本。在這方面,多年來對多晶 NRLOs 正極的研究已經(jīng)產(chǎn)生了替代策略,通過構(gòu)建核殼結(jié)構(gòu) (CS)、異質(zhì)結(jié)構(gòu)、等軸或徑向伸長結(jié)構(gòu)來直接解決材料的劣化機(jī)制初級粒子及其復(fù)合材料。這些針對 NRLO 的微米和納米結(jié)構(gòu)設(shè)計策略可以調(diào)節(jié) NRLO 初級微晶的取向,有效釋放沿晶界和 NRLO 粒子內(nèi)部的機(jī)械應(yīng)力。因此,從微觀和納米結(jié)構(gòu)設(shè)計的角度可以同時獲得高比容量、高能量密度和長循環(huán)壽命。

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圖1.多晶 NRLO 的常見微納米結(jié)構(gòu)及其相應(yīng)的合成方法

2.多晶NRLOs 的微納結(jié)構(gòu)設(shè)計進(jìn)展

根據(jù)初級和次級粒子/晶粒的物理形態(tài)和化學(xué)組成,NRLOs可分為幾類,包括初級粒子中的等軸或徑向伸長結(jié)構(gòu)、核殼結(jié)構(gòu)、異質(zhì)結(jié)構(gòu)和其他結(jié)構(gòu)。如圖2所示,系統(tǒng)地總結(jié)了具有不同微納結(jié)構(gòu)的NRLOs發(fā)展歷程。

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圖2.多晶 NRLO 的微米和納米結(jié)構(gòu)設(shè)計進(jìn)展的簡要年表

3.具有不同微觀和納米結(jié)構(gòu)的多晶 NRLO 的制備

3.1等軸結(jié)構(gòu)

迄今為止,對NRLO正極材料的研究大多集中在由一次等軸晶粒組成的二次球形顆粒上。等軸晶的形貌與共沉淀過程中的合成條件密切相關(guān)。

此外,等軸晶粒的尺寸受鋰化過程的溫度和時間的嚴(yán)格控制。當(dāng)溫度和鋰化時間增加時,初級顆粒尺寸逐漸增大(圖 3a),導(dǎo)致次級顆粒固結(jié)和粗化,最終電池性能下降。NRLOs 材料在循環(huán)過程中通常會遇到一些挑戰(zhàn),例如相變、晶格氧析、與電解液的表面副反應(yīng)等,都會導(dǎo)致容量迅速下降。隨著Ni含量的增加,問題變得更加嚴(yán)重。目前已有一些方法對上述問題進(jìn)行修改,并取得了一定的成果。

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圖3.各種鋰化條件下的顆粒形態(tài)和過渡金屬元素的分布。[Ni0.96Co0.04](OH)2 前體、Li[Ni0.95Co0.04Al0.01]O2 (NCA95) 和 Li[Ni0.95Co0.04Mo0.01]O2 (NCMo95) 正極顆粒的橫截面 SEM 圖像(a) 在 700、750 和 800 °C 下鋰化 10 小時,(b) 在 700 1C 下鋰化 10、30 和 60 小時。(b) Sr 摻雜前后鍵長(Ni-O 和 Li-O 鍵)和層間距(O-Li-O 和 O-TM-O 平板)的變化。(c) 2.7–4.3 V 電壓范圍內(nèi) 1 C 的循環(huán)性能。(d) 注入 CoxB 的 NCM 的涂層加注入微結(jié)構(gòu)。(e) CoxB–NCM/Gr 和原始 NCM/Gr 全電池在 1.0 C 和 25 °C 2.8-4.3 V 范圍內(nèi)的循環(huán)性能。插圖:組裝好的軟包電池的照片。

3.2徑向伸長結(jié)構(gòu)

具有徑向拉長結(jié)構(gòu)的初級粒子,其c軸垂直于徑向方向,沿徑向有序堆疊,因此可以均勻地耗散內(nèi)部結(jié)構(gòu)變化引起的機(jī)械應(yīng)變。此外,含鋰層從中心向表面輻射,從而加速了鋰離子的傳輸。因此,這種初級顆粒結(jié)構(gòu)可以有效提高NRLO正極在循環(huán)過程中的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。目前,已有一些相關(guān)研究通過摻雜硼(B)、鎢(W)、鉬(Mo)、(Ta)、鈮(Nb)、銻(Sb)、錫(Sn)等元素獲得徑向排列的初生晶粒。。另一種獲得拉長粒子網(wǎng)絡(luò)的方法是在NRLOs的前驅(qū)體中引入過渡金屬濃度梯度合成FCG或TSFCG正極,使過渡金屬離子的擴(kuò)散可以促進(jìn)粒子在徑向方向生長。此外,如果適當(dāng)改變共沉淀過程中的氨水濃度、pH值和攪拌速度,也可以改變粒子的生長方向,從而獲得徑向取向的細(xì)長初級粒子。

3.3核殼結(jié)構(gòu)

核殼結(jié)構(gòu)在核區(qū)和殼區(qū)具有不同的結(jié)構(gòu)或成分,可以結(jié)合各自相應(yīng)的優(yōu)勢,達(dá)到協(xié)同效應(yīng)。在成分方面,可以在核心區(qū)設(shè)計高Ni含量以提高放電容量,而富含Mn或Co的殼區(qū)提供熱穩(wěn)定性。在結(jié)構(gòu)上,核心區(qū)可以由傳統(tǒng)的等軸晶組成,殼區(qū)可以設(shè)計成徑向排列的細(xì)長結(jié)構(gòu),從而提高放電容量和結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。

類似地,核-殼結(jié)構(gòu)可以通過濃度梯度設(shè)計、摻雜或改變共沉淀參數(shù)來合成。與涂層材料會降低放電容量的傳統(tǒng)涂層改性相比,CS正極的優(yōu)勢在于其具有電化學(xué)活性的殼區(qū)仍然可以提供放電容量。CS正極材料殼區(qū)富含Mn/Co的結(jié)構(gòu)可以保證結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性,從而在循環(huán)后表現(xiàn)出優(yōu)異的容量穩(wěn)定性。但仍有一些問題需要解決。例如,化學(xué)成分均一的核殼結(jié)構(gòu)的一個關(guān)鍵問題是殼和核結(jié)構(gòu)的Ni含量不同,這將導(dǎo)致長循環(huán)后核殼材料的分離。因此,在化學(xué)成分均一的核殼材料的基礎(chǔ)上,在殼區(qū)引入濃度梯度,不僅可以解決結(jié)構(gòu)失配問題,提高循環(huán)穩(wěn)定性,還可以進(jìn)一步提高正極的放電容量。

與上節(jié)FCG正極相比,CSG正極可以在不降低核心區(qū)Ni含量的情況下有效提高正極的Ni含量。而且,與FCG結(jié)構(gòu)不同,CSG設(shè)計得到的微觀結(jié)構(gòu)可以在核殼區(qū)域產(chǎn)生不同的應(yīng)力狀態(tài),可以顯著提高結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性,在長循環(huán)后表現(xiàn)出優(yōu)越的穩(wěn)定性。但需要調(diào)整CSG材料殼區(qū)的厚度,因為當(dāng)正極殼變薄時,殼區(qū)在長循環(huán)過程中不會繼續(xù)起到保護(hù)作用,放電容量會顯著降低殼厚時減少。核殼結(jié)構(gòu)的核殼區(qū)通常為比例不同但組成相似的層狀氧化物。如果可以將具有其他類型結(jié)構(gòu)的材料引入殼區(qū),則可以進(jìn)一步提高電化學(xué)穩(wěn)定性。

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圖12. (a) 微型核殼結(jié)構(gòu)Li[(Ni0.8Co0.1Mn0.1)1-x(Ni0.5Mn0.5)x]O2形成過程示意圖。(b) 具有高鎳核的 CSG 顆粒的示意圖,其周圍環(huán)繞著成分分隔外層。(c) CC90 和 CSG90 的 c 軸晶格參數(shù)作為正極中鋰含量的函數(shù)。(d) 在 H2→H3 相變期間它們的 c 軸晶格參數(shù)的變化以及作用在由突然體積收縮引起的混合結(jié)構(gòu)正極顆粒上的微應(yīng)變示意圖。(e) 在 HS-NCMA90 中通過微應(yīng)變控制抑制微裂紋傳播的示意圖。

3.4異質(zhì)結(jié)構(gòu)

異質(zhì)結(jié)構(gòu)通常是指核區(qū)和殼區(qū)具有不同的相。通常來說,核區(qū)為層狀結(jié)構(gòu),而殼區(qū)則由巖鹽結(jié)構(gòu)或尖晶石結(jié)構(gòu)組成。與以往的核殼結(jié)構(gòu)不同,殼的厚度通常為微米級。與普通降解正極觀察到的巖鹽和尖晶石結(jié)構(gòu)顯著降低循環(huán)性能不同,許多研究表明預(yù)形成巖鹽結(jié)構(gòu)或尖晶石結(jié)構(gòu)有利于提高NRLOs正極的循環(huán)穩(wěn)定性。異質(zhì)結(jié)構(gòu)中殼區(qū)的厚度通常在納米級(一般為10-20nm),可以最大限度地降低對正極材料放電容量的影響。預(yù)先形成的尖晶石相、巖鹽等異質(zhì)相不僅可以抑制電解液滲透,穩(wěn)定表面結(jié)構(gòu),還可以加速鋰離子輸運,提高倍率性能。

3.5其他結(jié)構(gòu)

NRLOs除了常見的球形結(jié)構(gòu)外,還有棒狀、納米磚狀等其他結(jié)構(gòu)。眾所周知,NRLO正極具有典型的層狀結(jié)構(gòu)。鋰離子和過渡金屬離子占據(jù)O的八面體間隙,形成MO6八面體和LiO6八面體交替堆疊。鋰層和過渡金屬層交替排列形成層狀結(jié)構(gòu)。平行于c軸方向的面是由MO6八面體開放結(jié)構(gòu)組成的{010}面,鋰離子可以在這些面內(nèi)快速傳輸。相反,垂直于c軸方向的{001}面為非活性面,明顯抑制了鋰離子的擴(kuò)散(圖14a)。因此,暴露{010}面可以有效提高正極材料的動態(tài)性能。但(001)面的表面能低于(010)面,這使得(010)面傾向于消失。因此,需要采取一定的措施使正極材料在晶體生長過程中暴露出更多的{010}面。目前,一些方法,如水熱法, 溶劑熱法,和調(diào)整共沉淀條件,已被用于合成一系列能夠有效暴露或增加{010} 活性表面的面積(圖14b)。

無論是何種結(jié)構(gòu),正極材料顆粒的生長形貌對顆粒的電化學(xué)性能都非常重要。因此,為了滿足所需的電化學(xué)性能,有必要深入研究晶體生長動力學(xué),了解晶體生長的機(jī)理。這樣,我們就可以在合成過程中更好地控制粒子生長的尺寸、形貌、取向等因素。此外,暴露{010}活性表面對于NRLOs正極來說是非常必要的,這可以加速多晶NRLOs的鋰離子傳輸。所以,在未來,我們應(yīng)該探索更簡單快捷的方法來暴露更多的活躍平面。

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圖14. (a) 層狀鋰金屬氧化物正極和 (010) 面、(100) 面和 (001) 面的晶體結(jié)構(gòu)。(b) 多晶 NRLOs 正極的其他結(jié)構(gòu)。圖片如下:“納米磚結(jié)構(gòu)”“玉米狀結(jié)構(gòu)”經(jīng)許可轉(zhuǎn)載?!肮軤罱Y(jié)構(gòu)”“核殼空心結(jié)構(gòu)”“納米片結(jié)構(gòu)” “納米棒結(jié)構(gòu)”(c) NH3對高鎳層狀結(jié)構(gòu)正極材料生長行為的影響示意圖。

總結(jié)與展望

總的來說,NRLOs 已經(jīng)發(fā)展了各種微觀結(jié)構(gòu),包括等軸結(jié)構(gòu)、徑向伸長結(jié)構(gòu)、核殼結(jié)構(gòu)、異質(zhì)結(jié)構(gòu)和其他結(jié)構(gòu)。微觀結(jié)構(gòu)修飾從根本上解決了正極材料在長循環(huán)后的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性問題,并在一定程度上顯著提高了NRLOs的電化學(xué)性能。隨著正極材料的不斷發(fā)展,微結(jié)構(gòu)改性將成為重要的改性策略。但同時,不同結(jié)構(gòu)的優(yōu)缺點限制了其在特定范圍內(nèi)的應(yīng)用。因此,為了大規(guī)模推廣微結(jié)構(gòu)改性的應(yīng)用,需要解決幾個問題,如圖16所示。

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圖16.不同微結(jié)構(gòu)在容量、循環(huán)、倍率性能、熱穩(wěn)定性、高壓容量和成本方面的評估示意圖以及 NRLO 微結(jié)構(gòu)的未來發(fā)展策略





審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:清華李寶華教授JMCA綜述:多晶高鎳層狀正極材料的微納米結(jié)構(gòu)設(shè)計策略

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    單晶富<b class='flag-5'>鎳</b><b class='flag-5'>正極</b>容量快速失效機(jī)制分析!

    正極材料電壓好還是低好?

    正極材料的電壓高低各有其優(yōu)勢和劣勢,選擇哪種電壓水平的正極材料取決于具體的應(yīng)用需求和電池設(shè)計目標(biāo)。
    的頭像 發(fā)表于 05-19 15:04 ?1367次閱讀

    3針M5插座結(jié)構(gòu)設(shè)計

       德索工程師說道在電子設(shè)備和電氣系統(tǒng)中,插座作為連接電源、信號線等的重要接口,其結(jié)構(gòu)設(shè)計對于設(shè)備的整體性能、穩(wěn)定性和安全性具有至關(guān)重要的作用。3針M5插座作為其中一種常見的插座類型,其設(shè)計不僅
    的頭像 發(fā)表于 05-11 17:49 ?590次閱讀
    3針M5插座<b class='flag-5'>結(jié)構(gòu)設(shè)計</b>

    FPGA設(shè)計中,對SPI進(jìn)行參數(shù)化結(jié)構(gòu)設(shè)計

    今天給大俠帶來FPGA設(shè)計中,對SPI進(jìn)行參數(shù)化結(jié)構(gòu)設(shè)計,話不多說,上貨。 為了避免每次SPI驅(qū)動重寫,直接參數(shù)化,盡量一勞永逸。SPI master有啥用呢,你發(fā)現(xiàn)各種外圍芯片的配置一般
    發(fā)表于 05-07 16:09

    7芯M9插頭需采用彈性結(jié)構(gòu)設(shè)計

    德索工程師說道彈性結(jié)構(gòu)設(shè)計可以確保7芯M9插頭與插座之間的良好接觸。在插頭插入插座的過程中,由于制造公差、使用環(huán)境等因素的影響,插頭與插座之間的接觸并不總是完美的。而彈性結(jié)構(gòu)設(shè)計可以通過其自身的彈性
    的頭像 發(fā)表于 04-18 14:29 ?452次閱讀
    7芯M9插頭需采用彈性<b class='flag-5'>結(jié)構(gòu)設(shè)計</b>嗎

    FPGA設(shè)計中,對SPI進(jìn)行參數(shù)化結(jié)構(gòu)設(shè)計

    今天給大俠帶來FPGA設(shè)計中,對SPI進(jìn)行參數(shù)化結(jié)構(gòu)設(shè)計,話不多說,上貨。 為了避免每次SPI驅(qū)動重寫,直接參數(shù)化,盡量一勞永逸。SPI master有啥用呢,你發(fā)現(xiàn)各種外圍芯片的配置一般
    發(fā)表于 04-11 18:29

    華為公布一項名為“鈉電池復(fù)合正極材料及其應(yīng)用”的發(fā)明專利

    近日,華為于4月2日公布一項名為“鈉電池復(fù)合正極材料及其應(yīng)用”的發(fā)明專利,該專利技術(shù)可實現(xiàn)復(fù)合正極材料包括內(nèi)核和包覆內(nèi)核的包覆層,內(nèi)核包括層狀
    的頭像 發(fā)表于 04-07 10:54 ?1204次閱讀

    大有用處!柯肯達(dá)爾效應(yīng)誘導(dǎo)超高正極材料單顆粒的應(yīng)力分布

    層狀氧化物正極材料(含量≥80%)具有高容量、高能量密度的特點,有望滿足新一代動力電池的發(fā)
    的頭像 發(fā)表于 03-20 15:18 ?1226次閱讀
    大有用處!柯肯達(dá)爾效應(yīng)誘導(dǎo)超高<b class='flag-5'>鎳</b><b class='flag-5'>正極</b><b class='flag-5'>材料</b>單顆粒的應(yīng)力分布

    倒裝焊器件封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計

    共讀好書 敖國軍 張國華 蔣長順 張嘉欣 (無錫中高科電子有限公司) 摘要: 倒裝焊是今后集成度半導(dǎo)體的主要發(fā)展方向之一。倒裝焊器件封裝結(jié)構(gòu)主要由外殼、芯片、引腳(焊球、焊柱、針)、蓋板(氣密性
    的頭像 發(fā)表于 02-21 16:48 ?936次閱讀
    倒裝焊器件封裝<b class='flag-5'>結(jié)構(gòu)設(shè)計</b>