有網(wǎng)友質(zhì)疑大家普遍對信號完整性很重視，但對于電源完整性的重視好像不夠，主要是因?yàn)椋瑢τ诘皖l應(yīng)用，開關(guān)電源的設(shè)計(jì)更多靠的是經(jīng)驗(yàn)，或者功能級仿真來輔助即可，電源完整性分析好像幫不上大忙，而對于50M -100M以內(nèi)的中低頻應(yīng)用，開關(guān)電源中電容的設(shè)計(jì)，經(jīng)驗(yàn)法則在大多數(shù)情況下也是夠用的，甚至一些芯片公司提供的Excel表格型工具也能搞定這個(gè)頻段的問題，

而對于100M以上的應(yīng)用，基本就是IC的事情了，和板級沒太大關(guān)系了，所以電源完整性仿真，除非能做到芯片到芯片的解決方案，加上封裝以及芯片的模型，純粹做板級的仿真意義不大，真是這樣嗎？

其實(shí)電源完整性可做的事情有很多，今天就來了解了解吧。

信號完整性與電源完整性分析

信號完整性(SI)和電源完整性(PI)是兩種不同但領(lǐng)域相關(guān)的分析，涉及數(shù)字電路正確操作。

在信號完整性中，重點(diǎn)是確保傳輸?shù)?在接收器中看起來就像 1(對0同樣如此)。在電源完整性中，重點(diǎn)是確保為驅(qū)動器和接收器提供足夠的電流以發(fā)送和接收1和0。因此，電源完整性可能會被認(rèn)為是信號完整性的一個(gè)組成部分。實(shí)際上，它們都是關(guān)于數(shù)字電路正確模擬操作的分析。

分析的必要性

如果計(jì)算資源是無限的，這些不同類型的分析可能不存在。整個(gè)電路將會被分析一次，而電路某一部分中的問題將會被識別并消除。

但除了受實(shí)際上可仿真哪些事物的現(xiàn)實(shí)束縛之外，具有不同領(lǐng)域分析的優(yōu)點(diǎn)在于，可成組解決特定問題，而無需歸類為“可能出錯(cuò)的任何事物”。在信號完整性中，例如，重點(diǎn)是從發(fā)射器到接收器的鏈路?？蓛H為發(fā)射器和接收器以及中間的一切事物創(chuàng)建模型。

這使得仿真信號完整性變得相當(dāng)簡單。另一方面，要仿真電源完整性可能有點(diǎn)困難，因?yàn)椤斑吔纭庇悬c(diǎn)不太明確，且實(shí)際上對信號完整性領(lǐng)域中的項(xiàng)目具有一定的依賴性。

在信號完整性中，目標(biāo)是消除關(guān)于信號質(zhì)量、串?dāng)_和定時(shí)的問題。所有這些類型的分析都需要相同類型的模型。它們包括驅(qū)動器和接收器、芯片封裝及電路板互連(由走線及過孔、分立器件和/或連接器組成)的模型。

驅(qū)動器和接收器模型包括關(guān)于緩沖器阻抗、翻轉(zhuǎn)率和電壓擺幅的信息。通常，IBIS 或 SPICE 模型用作緩沖器模型。這些模型與互連模型結(jié)合使用來運(yùn)行仿真，從而確定接收器中的信號情況?；ミB將主要包括行為類似于傳輸線的電路板走線。此類傳輸線具有阻抗、延遲和損耗特性。

它們的特性決定了所連接的驅(qū)動器和接收器與彼此進(jìn)行交互的方式?；ミB的電磁特性必須使用某種類型的場求解器進(jìn)行求解，該場求解器通過可與信號完整性仿真器結(jié)合使用的電路元件或 S 參數(shù)模型來描述其特征。

大多數(shù)走線均可建模為一個(gè)均勻的二維橫截面。該橫截面足以計(jì)算走線的阻抗特性。阻抗將會影響信號線上接收器中的波形形狀。最基本的信號完整性分析包括設(shè)置電路板疊層(包括適當(dāng)?shù)慕殡妼雍穸?，以及查找正確的走線寬度，以實(shí)現(xiàn)一定的走線目標(biāo)阻抗。

與過孔相比，對走線進(jìn)行建模會相對比較容易。當(dāng)對較快的信號進(jìn)行信號完整性分析時(shí)，適當(dāng)?shù)倪^孔建模就變得非常重要。通常，千兆位信號需要通過三維場求解器對模型特征進(jìn)行適當(dāng)?shù)孛枋?。幸運(yùn)的是，這些信號往往是不同的，這使它們的影響相對局部化。

穿過過孔的快速、單端信號與配電網(wǎng)絡(luò)(PDN)進(jìn)行強(qiáng)有力地交互。從這些過孔返回的電流穿過附近的縫合孔、縫合電容器和/或平面對(組成PDN且需要建模以進(jìn)行電源完整性分析的相同元器件)。

圖1：在走線橫截面、信號過孔和 PDN 上的能量傳播在電源完整性分析中，較高頻率的能量分布在整個(gè)傳輸平面上。這立即使此分析比基本信號完整性更復(fù)雜，因?yàn)槟芰繉⒀豿和y方向移動，而不是僅沿傳輸線一個(gè)方向移動。在直流中，建模需要計(jì)算走線的串聯(lián)電阻、平面形狀和過孔相對較為簡單。

但是對于高頻率，分析PDN的不同位置上電源與地面之間的阻抗需要復(fù)雜的計(jì)算。阻抗將根據(jù)電路板的位置(電容器的放置位置、安裝方式、類型及電容值)而異。高頻行為(如安裝電感和平面擴(kuò)散電感)需要包括在建模中，以便生成準(zhǔn)確的去耦分析結(jié)果。存在簡單版本的去耦分析(通常稱為集總分析)，在此分析中，會將PDN視為一個(gè)節(jié)點(diǎn)來計(jì)算其阻抗。

這通常是可一次性成功的有效而快速的初步分析，可確保有足夠的電容器且它們具有正確的值。然后，運(yùn)行分布式去耦分析可確保在電路板的不同位置滿足PDN的所有阻抗需求。

信號完整性仿真

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信號完整性仿真重點(diǎn)分析有關(guān)高速信號的3個(gè)主要問題：信號質(zhì)量、串?dāng)_和時(shí)序。對于信號質(zhì)量，目標(biāo)是獲取具有明確的邊緣，且沒有過度過沖和下沖的信號。

通常，可以通過添加某種類型的端接以使驅(qū)動器的阻抗與傳輸線的阻抗相匹配來解決這些問題。對于多點(diǎn)分支總線，并非總能匹配阻抗，因此，需要將端接和拓?fù)涞拈L度變化相結(jié)合來控制反射，使得它們不會對信號質(zhì)量和時(shí)序產(chǎn)生不利影響。

圖2：使用信號完整性分析和設(shè)計(jì)空間探索消除信號質(zhì)量和串?dāng)_問題

可以運(yùn)行這些相同的仿真，以確定信號經(jīng)過電路板時(shí)的傳輸時(shí)間。電路板時(shí)序是系統(tǒng)時(shí)序的一個(gè)重要組成部分，并受線路長度、其在經(jīng)過電路板時(shí)的傳播速度以及接收器中波形形狀的影響。由于波形的形狀確定了接收的信號穿越邏輯閾值的時(shí)間，因此，它對于時(shí)序來說是非常重要的。這些仿真通常會驅(qū)動走線長度約束的變化。

通常運(yùn)行的另一個(gè)信號完整性仿真是串?dāng)_。這涉及多條相互耦合的傳輸線。隨著走線擠進(jìn)密集的電路板設(shè)計(jì)，了解它們正在相互耦合多少能量對于消除因串?dāng)_產(chǎn)生的錯(cuò)誤是非常重要的。這些仿真將推動走線之間的最小間距要求。

電源完整性仿真

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在電源完整性分析中，主要仿真類型有直流壓降分析、去耦分析和噪聲分析。直流壓降分析包括對PCB上復(fù)雜走線和平面形狀的分析，可用于確定由于銅的電阻將損失多少電壓。

此外，還可以使用直流壓降分析來確定高電流密度區(qū)域。實(shí)際上，可以使用熱仿真器對它們進(jìn)行協(xié)同仿真，以查看熱效應(yīng)。幸運(yùn)的是，針對直流壓降問題的解決方案非常簡單：添加更多的金屬。這些額外金屬可能會采用更寬和/或更厚的走線和平面形狀、額外平面或額外過孔。

圖3：顯示PI/熱協(xié)同仿真中“熱點(diǎn)”的電流密度和溫度圖上面簡要討論的去耦分析旨在確定和最大限度減少電路板不同IC位置上電源與地面之間的阻抗。

去耦分析通常會驅(qū)動PDN中所用電容器的值、類型和數(shù)量的變化。因此，它需要包括寄生電感和電阻的電容器模型。它還會驅(qū)動電容器安裝方式的變化和/或電路板疊層的變化，以滿足低阻抗要求。噪聲分析的類型可能會有所不同。它們可以包括圍繞電路板傳播的、來自IC電源管腳中的噪聲，可通過去耦電容器對其進(jìn)行控制。

通過噪聲分析，可以調(diào)查噪聲如何從一個(gè)過孔耦合到另一個(gè)過孔，可以對同步開關(guān)噪聲進(jìn)行分析。在許多情況下，這種噪聲是由信號切換(從1到0及從0到1)引起的，因此它與信號完整性密切相關(guān)。但在所有情況下，這些電源完整性分析的最終目標(biāo)是驅(qū)動PDN的變化：電源/地面平面對、走線、電容器和過孔。

表1：信號完整性和電源完整性之間的差異

PDN不僅充當(dāng)為IC提供電流的手段，還用作信號的返回電流路徑。信號完整性與電源完整性之間的大量交叉發(fā)生在過孔中。對于穿過過孔的單端信號來說，PDN充當(dāng)該信號的返回電流路徑

附近的過孔或電容器為返回電流提供路徑，以使其從一個(gè)平面移至下一個(gè)平面。因此，PDN實(shí)際上決定了該單端過孔的阻抗和延遲特性，并且對于更快的單端信號(如DDR3和DDR4)的精確建模來說是至關(guān)重要的。使用這一相同的SI/PI組合過孔模型，可以分析從一個(gè)過孔到下一個(gè)過孔的耦合，以及信號通過過孔到PDN的耦合。

同樣地，PDN對于最大限度減少可能由多個(gè)信號切換(通常稱為SSN)同時(shí)引起的噪聲來說是至關(guān)重要的。如果在IC電源管腳中的PDN阻抗太高，當(dāng)所有驅(qū)動器同時(shí)切換時(shí)，它們的切換電流將產(chǎn)生電壓，而該電壓可在信號本身中觀察到。

可通過利用去耦分析設(shè)計(jì)一個(gè)出色的低阻抗PDN來消除此問題。全面仿真此問題以查看對信號的影響，要求能夠同時(shí)執(zhí)行信號完整性分析和電源完整性分析。驅(qū)動器的SPICE模型傳統(tǒng)上用于執(zhí)行此類分析，但更新的IBIS模型也具有相應(yīng)的基礎(chǔ)架構(gòu)，以包括在查找信號完整性時(shí)的PDN影響。

信號完整性和電源完整性的分析對于成功的高速數(shù)字設(shè)計(jì)來說是至關(guān)重要的。它們?yōu)樾枰M(jìn)行哪些設(shè)計(jì)更改提供了有價(jià)值的見解。此外，隨著建模方法和計(jì)算能力的改善，如果能夠同時(shí)仿真這兩種類型的完整性，則會清楚地了解電路的實(shí)際行為、設(shè)計(jì)中真正存在的利潤以及它們?nèi)绾螌?shí)現(xiàn)最佳可能性能。

電源完整性設(shè)計(jì)的幾點(diǎn)考慮因素

1、電源系統(tǒng)噪聲余量分析

絕大多數(shù)芯片都會給出一個(gè)正常工作的電壓范圍，這個(gè)值通常是±5%。

老式的穩(wěn)壓芯片的輸出電壓精度通常是±2.5%，因此電源噪聲的峰值幅度不應(yīng)超過±2.5%。精度是有條件的，包括負(fù)載情況，工作溫度等限制，因此要有余量。

2. 電源噪聲余量計(jì)算

比如芯片正常工作電壓范圍為3.13V到3.47V之間，穩(wěn)壓芯片標(biāo)稱輸出3.3V。安裝到電路板上后，穩(wěn)壓芯片輸出3.36V。

那么容許電壓變化范圍為3.47-3.36=0.11V=110mV。

穩(wěn)壓芯片輸出精度±1%，即±3.363*1%=±33.6mV。

電源噪聲余量為110-33.6=76.4mV。

3. 電源噪聲是如何產(chǎn)生

第一，穩(wěn)壓電源芯片本身的輸出并不是恒定的，會有一定的波紋。

第二，穩(wěn)壓電源無法實(shí)時(shí)響應(yīng)負(fù)載對于電流需求的快速變化。穩(wěn)壓電源芯片通過感知其輸出電壓的變化，調(diào)整其輸出電流，從而把輸出電壓調(diào)整回額定輸出值。

第三，負(fù)載瞬態(tài)電流在電源路徑阻抗和地路徑阻抗上產(chǎn)生的壓降，引腳及焊盤本身也會有寄生電感存在，瞬態(tài)電流流經(jīng)此路徑必然產(chǎn)生壓降，因此負(fù)載芯片電源引腳處的電壓會隨著瞬態(tài)電流的變化而波動，這就是阻抗產(chǎn)生的電源噪聲。

4. 電容退耦的兩種解釋

采用電容退耦是解決電源噪聲問題的主要方法。這種方法對提高瞬態(tài)電流的響應(yīng)速度， 降低電源分配系統(tǒng)的阻抗都非常有效。

4.1 從儲能的角度來說明電容退耦原理

在制作電路板時(shí)， 通常會在負(fù)載芯片周圍放置很多電容， 這些電容就起到電源退耦作用。其原理可用圖 1 說明。

當(dāng)負(fù)載電流不變時(shí)，其電流由穩(wěn)壓電源部分提供，即圖中的I0，方向如圖所示。此時(shí)電容兩端電壓與負(fù)載兩端電壓一致，電流Ic為0，電容兩端存儲相當(dāng)數(shù)量的電荷，其電荷數(shù)量和電容量有關(guān)。

當(dāng)負(fù)載瞬態(tài)電流發(fā)生變化時(shí)，由于負(fù)載芯片內(nèi)部晶體管電平轉(zhuǎn)換速度極快，必須在極短的時(shí)間內(nèi)為負(fù)載芯片提供足夠的電流。但是穩(wěn)壓電源無法很快響應(yīng)負(fù)載電流的變化，因此，電流I0不會馬上滿足負(fù)載瞬態(tài)電流要求，因此負(fù)載芯片電壓會降低。但是由于電容電壓與負(fù)載電壓相同，因此電容兩端存在電壓變化。

對于電容來說電壓變化必然產(chǎn)生電流，此時(shí)電容對負(fù)載放電，電流Ic不再為0，為負(fù)載芯片提供電流。只要電容量C足夠大，只需很小的電壓變化，電容就可以提供足夠大的電流，滿足負(fù)載態(tài)電流的要求。

相當(dāng)于電容預(yù)先存儲了一部分電能，在負(fù)載需要的時(shí)候釋放出來，即電容是儲能元件。儲能電容的存在使負(fù)載消耗的能量得到快速補(bǔ)充，因此保證了負(fù)載兩端電壓不至于有太大變化，此時(shí)電容擔(dān)負(fù)的是局部電源的角色。從儲能的角度來理解電源退耦，非常直觀易懂，但是對電路設(shè)計(jì)幫助不大。從阻抗的角 度理解電容退耦，能讓我們設(shè)計(jì)電路時(shí)有章可循。實(shí)際上，在決定電源分配系統(tǒng)的去耦電容 的時(shí)候，用的就是阻抗的概念。

4.2 從阻抗的角度來理解退耦原理

將圖 1 中的負(fù)載芯片拿掉，如圖 2 所示。

從 AB 兩點(diǎn)向左看過去，穩(wěn)壓電源以及電容退耦系統(tǒng)一起，可以看成一個(gè)復(fù)合的電源系統(tǒng)。這個(gè)電源系統(tǒng)的特點(diǎn)是：不論 AB 兩點(diǎn)間 負(fù)載瞬態(tài)電流如何變化，都能保證 AB 兩點(diǎn)間的電壓保持基本穩(wěn)定，即 AB 兩點(diǎn)間電壓變 化很小。我們可以用一個(gè)等效電源模型表示上面這個(gè)復(fù)合的電源系統(tǒng)，如圖 3。

對于這個(gè)電路可寫出如下等式：

我們的最終設(shè)計(jì)目標(biāo)是，不論 AB 兩點(diǎn)間負(fù)載瞬態(tài)電流如何變化，都要保持 AB 兩點(diǎn) 間電壓變化范圍很小，根據(jù)上面公式，這個(gè)要求等效于電源系統(tǒng)的阻抗 Z 要足夠低。

在圖 2 中，我們是通過去耦電容來達(dá)到這一要求的，因此從等效的角度出發(fā)，可以說去耦電容降低 了電源系統(tǒng)的阻抗。另一方面，從電路原理的角度來說，可得到同樣結(jié)論。

電容對于交流信 號呈現(xiàn)低阻抗特性，因此加入電容，實(shí)際上也確實(shí)降低了電源系統(tǒng)的交流阻抗（1/jwc）。從阻抗的角度理解電容退耦，可以給我們設(shè)計(jì)電源分配系統(tǒng)帶來極大的方便。實(shí)際上， 電源分配系統(tǒng)設(shè)計(jì)的最根本的原則就是使阻抗最小。最有效的設(shè)計(jì)方法就是在這個(gè)原則指 導(dǎo)下產(chǎn)生的。

5. 實(shí)際電容的特性

正確使用電容進(jìn)行電源退耦，必須了解實(shí)際電容的頻率特性。理想電容器在實(shí)際中是不存在的，這就是為什么常聽到“電容不僅僅是電容”的原因。

實(shí)際的電容器總會存在一些寄生參數(shù)，這些寄生參數(shù)在低頻時(shí)表現(xiàn)不明顯，但是高頻情 況下，其重要性可能會超過容值本身。圖 4 是實(shí)際電容器的 SPICE 模型，圖中，ESR 代表 等效串聯(lián)電阻，ESL 代表等效串聯(lián)電感或寄生電感，C 為理想電容。

等效串聯(lián)電感（寄生電感）無法消除，只要存在引線，就會有寄生電感。這從磁場能量變化的角度可以很容易理解，電流發(fā)生變化時(shí)，磁場能量發(fā)生變化，但是不可能發(fā)生能量躍變，表現(xiàn)出電感特性。

寄生電感會延緩電容電流的變化，電感越大，電容充放電阻抗就越大，反應(yīng)時(shí)間就越長。自諧振頻率點(diǎn)是區(qū)分電容是容性還是感性的分界點(diǎn)，高于諧振頻率時(shí)，“電容不再是電容”，因此退耦作用將下降。

電容的等效串聯(lián)電感和生產(chǎn)工藝和封裝尺寸有關(guān)，通常小封裝的電容等效串聯(lián)電感更低，寬體封裝的電容比窄體封裝的電容有更低的等效串聯(lián)電感。在電路板上會放置一些大的電容，通常是坦電容或電解電容。這類電容有很低的ESL，但是ESR很高，因此Q值很低，具有很寬的有效頻率范圍，非常適合板級電源濾波。

電路的品質(zhì)因數(shù)越高，電感或電容上的電壓比外加電壓越高。Q值越高在一定的頻偏下電流下降得越快，其諧振曲線越尖銳。也就是說電路的選擇性是由電路的品質(zhì)因素Q所決定的，Q值越高選擇性越好。

6. 局部去耦設(shè)計(jì)方法

為保證邏輯電路能正常工作，表征電路邏輯狀態(tài)的電平值必須落在一定范圍內(nèi)。比如對于3.3V邏輯，高電平大于2V為邏輯1，低電平小于0.8V為邏輯0。把電容緊鄰器件放置，跨接在電源引腳和地引腳之間。正常時(shí)，電容充電，存儲一部分電荷。

這樣電路轉(zhuǎn)換所需的瞬態(tài)電流不必再由VCC提供，電容相當(dāng)于局部小電源。因此電源端和地端的寄生電感被旁路掉了，寄生電感在這一瞬間沒有電流流過，因而也不存在感應(yīng)電壓。通常是兩個(gè)或多個(gè)電容并聯(lián)放置，減小電容本身的串聯(lián)電感，進(jìn)而減小電容充放電回路的阻抗。注意：電容的擺放、安裝距離、安裝方法、電容選擇 。

審核編輯 ：李倩