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增強(qiáng)性能的100符柵極驅(qū)動(dòng)器提升先進(jìn)通信電源模塊的效率

星星科技指導(dǎo)員 ? 來源:TI ? 作者:TI ? 2023-03-30 09:50 ? 次閱讀

通訊應(yīng)用使用基于半橋、全橋或同步降壓功率拓?fù)涞?a target="_blank">電源模塊。這些拓?fù)涫褂酶咝阅馨霕?a target="_blank">驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)高頻操作和高效率。半橋柵極驅(qū)動(dòng)器采用的技術(shù)已在業(yè)界成功應(yīng)用了數(shù)十年,UCC27282 120-V 2.5A/3.5A半橋驅(qū)動(dòng)器是最新發(fā)展成果。

結(jié)合新功能與改進(jìn)的工作范圍,UCC27282具有全新水平的性能表現(xiàn),以提高電源模塊的穩(wěn)健性,并在優(yōu)化功率級(jí)設(shè)計(jì)方面提供更大的靈活性。

本應(yīng)用指南將概述UCC27282相對于上一代驅(qū)動(dòng)器的優(yōu)勢,優(yōu)化設(shè)計(jì)并增強(qiáng)穩(wěn)健性。

前言

隨著對給定尺寸,甚至縮小尺寸內(nèi)更高處理能力的需求,電信和數(shù)據(jù)通信設(shè)備性能也在不斷增加。增加的設(shè)備性能導(dǎo)致電源需求增加。必須從空間利用率和效率角度優(yōu)化這些系統(tǒng)中的電源。電信和數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)的復(fù)雜性也在增加,這使得它們更容易受到噪聲和瞬態(tài)的影響。數(shù)據(jù)中心的功耗越來越受到關(guān)注。出于這個(gè)原因,重點(diǎn)在于提高效率,同時(shí)降低未被主動(dòng)使用的設(shè)備的待機(jī)或空閑功耗。大多數(shù)數(shù)據(jù)通信和電信電源模塊都具有使能功能,可降低輸入待機(jī)功耗。

UCC27282 120V半橋驅(qū)動(dòng)器的新特性

UCC27282 120V半橋驅(qū)動(dòng)器具有多項(xiàng)新特性和參數(shù)改進(jìn),有助于實(shí)現(xiàn)更高水平的電源模塊性能和穩(wěn)健性。EN引腳上的低電平信號(hào)可禁用驅(qū)動(dòng)器,將UCC27282設(shè)置為非常低的IDD電流狀態(tài)。當(dāng)禁用電源模塊時(shí),這種非常低的電流將有助于實(shí)現(xiàn)非常低的輸入待機(jī)功耗。UCC27282 VDD工作范圍已擴(kuò)展至5.5V至16V。這可以使設(shè)計(jì)人員優(yōu)化VDD工作電壓,以實(shí)現(xiàn)更低的柵極驅(qū)動(dòng)損耗。UCC27282包括輸入互鎖功能,防止在LI和HI輸入同時(shí)為高電平時(shí),兩個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器輸出也同時(shí)處于高電平狀態(tài)。

UCC27282擴(kuò)展的VDD工作范圍

柵極驅(qū)動(dòng)損耗和傳導(dǎo)損耗

大多數(shù)48V VIN電信和數(shù)據(jù)通信電源模塊設(shè)計(jì)的柵極驅(qū)動(dòng)器VDD電壓在9V至10V范圍內(nèi),使用100V半橋驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)100V VDS額定功率MOSFET。隨著VGS驅(qū)動(dòng)電壓的降低,柵極驅(qū)動(dòng)損耗降低,許多MOSFET器件的RDS(on)與VGS曲線顯示出8V至10V VGS以上的RDS(on)幾乎沒有降低。選擇驅(qū)動(dòng)器VDD的一項(xiàng)考慮因素是開啟UVLO閾值,以及包括偏置電壓上的負(fù)電壓瞬變的一些裕度。對于上一代驅(qū)動(dòng)器,這可能導(dǎo)致選擇驅(qū)動(dòng)器VDD高于最佳柵極驅(qū)動(dòng)和傳導(dǎo)損耗工作點(diǎn)。

CSD19531 100V 5.3mΩ MOSFET Qg 與VGS曲線如圖1所示,RDS(on)與VGS曲線如圖2所示。雖然該MOSFET的RDS(on)規(guī)格為VDS = 6V,但可以看到RDS(on)曲線在6V時(shí)仍然具有明顯的下降。在VGS = 8V時(shí),曲線變得更平坦。圖1顯示了隨VGS增加的柵極電荷,正如預(yù)期,其斜率變化接近閾值電壓

柵極驅(qū)動(dòng)損耗取決于VDD、開關(guān)頻率(FSW)和MOSFET Qg,如下面的等式1所示。

poYBAGQk6saAJU8oAACfb4CLpn4674.png

圖2.CSD19531 RDS(on) 與 VGS

具體的最佳柵極驅(qū)動(dòng)幅度取決于電源傳動(dòng)系統(tǒng)的工作條件,包括開關(guān)頻率和MOSFET RMS電流。此外,關(guān)于Qg與VGS曲線以及RDS(on)與VGS曲線的功率MOSFET的特性非常重要。有關(guān)優(yōu)化損耗的指導(dǎo),請參考TI應(yīng)用指南“通過調(diào)整柵極驅(qū)動(dòng)幅度優(yōu)化MOSFET特性”。

為了說明總功率系、柵極驅(qū)動(dòng)損耗和組合損耗,圖3中所示的同步降壓轉(zhuǎn)換器在以下條件下進(jìn)行了測試:VIN=48V,F(xiàn)sw=200kHz, IOUT=4A(DC), LI/HI死區(qū)時(shí)間=50ns。

pYYBAGQk6seAF9enAABgIGPEI-g534.png

圖3.UCC27282同步降壓測試電路

輸出功率為96W的同步降壓測試電路數(shù)據(jù)如下圖4所示??梢钥吹綎艠O驅(qū)動(dòng)器功耗隨著VDD的增加而增加。功率轉(zhuǎn)換器損耗在6V和7V VDD時(shí)更高,并且在8V VDD和更高電壓下相對穩(wěn)定。結(jié)合的柵極驅(qū)動(dòng)和功率轉(zhuǎn)換器損耗在8V VDD時(shí)最小。該MOSFET不是邏輯電平FET,邏輯電平MOSFET的最佳柵極驅(qū)動(dòng)電壓可能會(huì)更低。

poYBAGQk6siAPWh2AADz1OG46LM702.png

圖4.同步降壓柵極驅(qū)動(dòng)、功率轉(zhuǎn)換器和總功耗

VDD范圍內(nèi)的柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度

之前的測試數(shù)據(jù)討論涵蓋了柵極驅(qū)動(dòng)損耗和導(dǎo)通損耗與驅(qū)動(dòng)器VDD工作點(diǎn)之間的權(quán)衡。柵極驅(qū)動(dòng)器在VDD工作范圍內(nèi)的另一個(gè)重要方面是保持足夠的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度,尤其是在較低的VDD時(shí)。在12V VDD,UCC27282柵極驅(qū)動(dòng)器具有2.5A拉電流和3.5A灌電流的足夠驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度,這是大多數(shù)100V半橋柵極驅(qū)動(dòng)器規(guī)定的工作電壓。雖然柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度受UCC27282上VDD電壓水平的影響,但類似的競爭產(chǎn)品的柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度在較低的VDD水平時(shí)明顯更低,如圖5和圖6所示。

pYYBAGQk6siADwK3AACR5uq711M255.png

在較低VDD下降低的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度導(dǎo)致VGS上升和下降時(shí)間增加,這將增加開關(guān)損耗。使用與圖3所示相同的測試電路和相同的工作條件,將競爭產(chǎn)品的柵極驅(qū)動(dòng)器測試數(shù)據(jù)與在相同條件下工作的UCC27282進(jìn)行比較。圖7比較了UCC27282和競爭產(chǎn)品器件之間包括柵極驅(qū)動(dòng)器和功率轉(zhuǎn)換器在內(nèi)的所有損耗的效率。與競爭產(chǎn)品器件相比,可以看到在6V至10V的VDD范圍內(nèi),UCC27282柵極驅(qū)動(dòng)器轉(zhuǎn)換器效率明顯改善。

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圖7.UCC27282和競爭產(chǎn)品同步降壓效率與VDD

UCC27282使能功能

當(dāng)EN引腳低于1.21V的典型下降閾值時(shí),UCC27282的使能功能將IC設(shè)置為非常低的IDD電流狀態(tài)并禁用驅(qū)動(dòng)器的LO和HO輸出。當(dāng)處于禁用狀態(tài)時(shí),UCC27282的ISD在VDD = 12V時(shí)典型值為7uA。當(dāng)處于非開關(guān)狀態(tài)時(shí),這比典型的上一代驅(qū)動(dòng)器低得多,如下面的圖8所示。圖8比較了處于使能狀態(tài)非開關(guān)條件和禁用條件的UCC27282 IDD與處于非開關(guān)條件的UCC27201A驅(qū)動(dòng)器。UCC27201A的非開關(guān)電流是許多早期100V半橋驅(qū)動(dòng)器的典型值。UCC27201A UVLO通常為7.1V,因此IC不會(huì)在此UVLO上升閾值以下工作。該UVLO上升閾值也是許多早期100V驅(qū)動(dòng)器的典型值??梢钥吹経CC27282禁用電流ISD遠(yuǎn)低于UCC27201A的IQ。在VDD = 8V時(shí),UCC27201A IQ為297uA,UCC27282 ISD為4.1uA,待機(jī)功耗為~2.4mW,而UCC27282為~33uW。在VDD = 10V時(shí),UCC27201A IQ為389uA,而UCC27282 ISD為5.54uA,待機(jī)功耗為3.89mW和55.4uW。有關(guān)待機(jī)功耗和電流比較的詳細(xì)信息,參見表1。

如果最終應(yīng)用需要多個(gè)驅(qū)動(dòng)器,則待機(jī)功耗的差異與所需驅(qū)動(dòng)器的數(shù)量有關(guān)。再加上精心設(shè)計(jì)的監(jiān)控和偏置電路以及選擇控制器IC,UCC27282可以幫助實(shí)現(xiàn)極低的待機(jī)功耗。

poYBAGQk7R-AQVOyAABxNvbN61A990.png

VDD ISD 27282 (uA) PSD 27282 (uW) IQ 27201 (uA) PQ 27201 (mW)
6 2.71 16.26 127.2 0.76
7 3.38 23.66 246.1 1.72
8 4.11 32.88 296.2 2.37
9 4.85 43.65 343.9 3.1
10 5.54 55.4 388.4 3.88
12 7.01 84.12 442.2 5.31

UCC27282輸入互鎖功能

UCC27282驅(qū)動(dòng)器包含輸入互鎖功能,可防止LO和HO輸出同時(shí)處于高電平狀態(tài)。包括同步降壓、半橋、全橋和全橋同步整流在內(nèi)的許多拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)都不能容忍高側(cè)和低側(cè)MOSFET同時(shí)導(dǎo)通,否則可能會(huì)發(fā)生交叉導(dǎo)通,可能導(dǎo)致?lián)p壞。有許多事件可能導(dǎo)致電壓尖峰或振鈴超出正常觀測的特性,包括短路或靜電釋放或EFT(電快速瞬變)事件的瞬態(tài)等故障情況。這些異常情況可能導(dǎo)致對柵極驅(qū)動(dòng)器輸入信號(hào)等關(guān)鍵控制信號(hào)的干擾。UCC27282在LO和HO輸出上升沿和下降沿之間沒有強(qiáng)制死區(qū)時(shí)間,因此控制器仍然可以確定時(shí)序,以實(shí)現(xiàn)精確的死區(qū)時(shí)間控制。下面的圖9說明了LO和HO輸出都處于低電平狀態(tài),對應(yīng)于LI和HI輸入上的20ns重疊。

poYBAGQk6suAVS1MAAGe1ZOdzl0806.png

總結(jié)

UCC27282柵極驅(qū)動(dòng)器具有多種功能,有助于在通信和數(shù)據(jù)通信模塊中實(shí)現(xiàn)更高水平的性能和穩(wěn)健性。

利用UCC27282,VGS柵極驅(qū)動(dòng)電壓工作范圍可以擴(kuò)展到更低的水平以實(shí)現(xiàn)最佳工作參數(shù),實(shí)現(xiàn)最高效率。不同于上一代驅(qū)動(dòng)器,如果最佳工作點(diǎn)為8V或9V VDD范圍,UCC27282驅(qū)動(dòng)器將具有更大的偏置電壓瞬變或壓降裕度,而不會(huì)觸發(fā)UVLO關(guān)斷。

與競爭產(chǎn)品器件相比,UCC27282在較低的VDD范圍內(nèi)工作時(shí)可以保持足夠的柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度。這可以獲得功率轉(zhuǎn)換器效率的顯著提升。

使能功能可將電源轉(zhuǎn)換器中每個(gè)驅(qū)動(dòng)器的待機(jī)電流降低300uA至450uA。這有助于實(shí)現(xiàn)非常低的待機(jī)功耗,這可成為終端設(shè)備的特征優(yōu)勢。

由于輸入互鎖功能,使用UCC27282柵極驅(qū)動(dòng)器的功率轉(zhuǎn)換器的穩(wěn)健性將得到改善。對于柵極驅(qū)動(dòng)器因輸入信號(hào)電壓尖峰或噪聲的誤觸發(fā),功率MOSFET功率級(jí)將不會(huì)有明顯的交叉?zhèn)鲗?dǎo)。

審核編輯:郭婷

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