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浪涌測試固態(tài)USB開關(guān)和其他過流保護器

星星科技指導(dǎo)員 ? 來源:ADI ? 作者:ADI ? 2023-04-03 11:23 ? 次閱讀

固態(tài)過流保護 IC,如 USB 和卡槽電源開關(guān),提供了一種簡單而可靠的方法,用于保護在產(chǎn)品測試期間面臨過載或短路風(fēng)險或客戶濫用的引腳。保護程度并非沒有限制,本文將探討這些限制。

介紹

在1.2A電流限制下,人們會認(rèn)為電路保護IC可以在發(fā)生故障或短路時保持完全控制。現(xiàn)實情況是,電流限制通常顯示實際關(guān)斷之前的延遲時間。在硬短路期間,電流會迅速上升,首先達到直流限制并開始關(guān)閉開關(guān)。 (直流限制通常是一個準(zhǔn)確但緩慢的閾值。緩慢的閾值可避免因浪涌和其他虛假事件而導(dǎo)致的滋擾跳閘。不久之后,開關(guān)打開,但在達到可能遠高于直流限值的峰值電流之前。低電感引線會導(dǎo)致電流上升得更快。參見圖1。

通過電阻限制電流

采用MAX1558 USB開關(guān),具有低電感引線和硬短路,電流由內(nèi)部保護開關(guān)阻性限制。當(dāng)保護電路最終斷開時,可以測量峰值電流(I)。此過程如圖 2 所示。峰值電流流過雜散輸入電感( LSTRAY),能量 (E) 存儲:

E = ? × LSTRAY × I2

一旦斷路器或保護開關(guān)最終打開電路,這些能量將流向何處?

poYBAGQqRqOAOVKfAAAXVziAHFU468.gif

圖1.該圖顯示了硬短路期間的電流路徑以及雜散電感驅(qū)動的后續(xù)電流路徑。

pYYBAGQqTc-AJ6IwAAHkxu9FwmE892.png

圖2.該圖顯示了 C 在 10μF 條件下的短路性能旁路.五世在跡線顯示,由于后續(xù)電流,輸入飆升至8.6V。

查看圖2,我們可以看到輸入電流(Iin) 非常迅速地上升到 48.8A,然后由于電阻而受到限制。當(dāng)開關(guān)關(guān)閉時,我們可以測量電流下降的速率。與我在在 20A/μs 和 V 下擺動在飆升至 8.6V (V.MAX),我們憑經(jīng)驗計算電路電感為:

(VMAX - VIN) = di/dt × LSTRAY

VMAX-VIN=3.6V,di/dt=20A/μs,LSTRAY=180nH時。

所以用 E = 1/2 × L流浪× I2,在故障結(jié)束時,L中存儲了214μJ流浪.需要旁路電容來吸收這種能量并限制電壓上升。初始充電為 10V 的 5μF 輸入電容存儲了一些初始能量:

1/2 × C × V2= E

現(xiàn)在,假設(shè)所有儲存在L中的能量流浪最終會出現(xiàn)輸入上限 C旁路然后:

初始能量 + 雜散能量 = 最終能量
125μJ + 214μJ = 339μJ

339μJ是輸入電容中的最終能量,其中:

1/2 × C × V2= E或10/<> × <>μF × V2= 339μJ

求解V,V = 8.23V。這與圖8中的6.2V測量值非常吻合。

現(xiàn)在,如果輸入旁路減小到僅0.1μF,輸入電壓可能會上升到破壞性電壓。所以,這一次是:

初始能量 + 雜散能量 = 最終能量
1.25μJ + 214μJ = 215μJ和0/1 × <>.<>μF × V2= 215μJ

求解V,V = 65.6V!

當(dāng)然,此過程會損壞額定電壓為5.5V的器件。此硬短路期間的波形如圖3所示。請注意,輸出也飆升至9.8V。這是因為短路在開關(guān)關(guān)閉之前被移除,這也是該測試中高di/dt的原因。通常,di/dt由功率器件的關(guān)斷特性控制。使用USB端口時,電路取決于最終用戶 - 這種情況是無法控制的。像這樣極快的關(guān)閉可能是由間歇性電纜、損壞的連接器或在這種情況下與機械連接相關(guān)的連接反彈引起的。

poYBAGQqTcmAcW48AAGtDYHTXGg882.png

圖3.該數(shù)據(jù)表明,當(dāng)輸入端只有0.1μF電容時,輸入電壓可能會飆升至破壞性電位。

顯然,電壓不會上升到66V。這是因為該器件已發(fā)光,從而箝位電壓上升,并可能因吸收的能量而受到損壞。在這種過壓事件中,多余的能量被硅芯片吸收。圖 3 的更快特寫如下圖所示 4。

pYYBAGQqRqeAeDexAACs34Pjxv8492.gif

圖4.這是圖 3 的縮放。注意關(guān)斷期間的高di/dt,并且一些存儲的能量已經(jīng)到達輸出!此事件破壞了 USB 開關(guān)。

圖4顯示,在相同的電路下,較大的輸入旁路電容可提供額外的保護,防止硬短路后的雜散能量。通常,帶有接地層的印刷電路板(PCB)的雜散電感比該測試中使用的測試引線或?qū)嶒炇抑械臏y試引線要小得多。在實驗室進行測試時,減少測試引線和測試設(shè)備的雜散尤其困難。

輸入電感限制峰值電流

圖5顯示,即使輸入引線電感高達1.3μH,該器件也能采用10μF旁路電容。

pYYBAGQqTcOAG3E3AAG7PW8r4q0633.png

圖5.該圖顯示了輸入端長引線(1.3μH)以及10μF輸入旁路時的性能。注意輸入電流上升和下降的速度有多慢。該器件也在齊納二極管,因此電流溢出到輸出端(見 I外波形),當(dāng)輸入電壓超過8V,但開關(guān)存活時。

圖5顯示,由于電感較大,輸入電流緩慢上升和下降。這是一個重要的注意事項,表明雖然電感要大得多,但電流不能變化得那么快。由于存儲在電感中的能量是電流的平方,并且只是電感的線性刻度,因此高峰值電流攜帶的能量要多得多。存儲在1.3μH電感中的能量僅為419μJ:

125μJ + 419μJ = 544μJ和10/<> × <>μF × V2= 544μJ

如上所述求解V,V = 10.43V。

雖然該器件確實能承受這種硬短路,但建議使用更大的旁路電容,并將最大電壓限制在數(shù)據(jù)手冊中規(guī)定的絕對最大值以下。

結(jié)論

如果不考慮雜散電感中存儲的能量,USB設(shè)備可能會受到過壓甚至破壞。圖5顯示輸入電感是峰值電流的限制因素,但圖2顯示電阻是限制因素??梢缘贸鼋Y(jié)論,較低的輸入電感可能表現(xiàn)更好。然而,如果不限制電流,低電感情況下的能量也會達到破壞性水平。因此,必須小心謹(jǐn)慎,確保這種情況不會發(fā)生。圖2顯示電流受0.1Ω電阻的限制。雖然電感降低后電流會上升得更快,但如果達到電流限制,電感越小,存儲的能量就越少。

在大多數(shù)PCB應(yīng)用中,保護開關(guān)下方有一個接地層,輸入和輸出走線,電感應(yīng)遠低于180nH。接地層上 1/16 英寸寬的 PCB 走線每英寸大約為 10nH。每個應(yīng)用程序都有自己的情況,這些情況決定了必須部署的輸入旁路的大小。對預(yù)期電感的測量和分析可能表明需要更大的旁路來提供可靠性。相反,它可能表明允許減少輸入旁路電容。

審核編輯:郭婷

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