靜電放電(ESD)防護(hù)是電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)者和制造商面臨的主要挑戰(zhàn)之一。 這些ESD事件可能在現(xiàn)場(chǎng)發(fā)生并導(dǎo)致系統(tǒng)故障，引起短時(shí)間系統(tǒng)中斷(軟故障)，甚至引起系統(tǒng)芯片功能的物理損壞，從而導(dǎo)致硬故障。

當(dāng)發(fā)生ESD事件時(shí)，外部的ESD保護(hù)器件應(yīng)能保護(hù)整個(gè)系統(tǒng)。 這不僅包括系統(tǒng)芯片，還包括敏感無源組件。

典型ESD故障情況

一個(gè)簡(jiǎn)化的系統(tǒng)等效電路示例如下，用于說明典型ESD故障情況。 電路由外部ESD保護(hù)器件、信號(hào)PCB銅線寄生器件、芯片內(nèi)部I/O ESD保護(hù)和電源及地間ESD保護(hù)組成。 系統(tǒng)動(dòng)態(tài)和準(zhǔn)靜態(tài)參數(shù)分別用棕色和橙色框標(biāo)出。

列出兩種不同的失效情況如下。

第一種，非常敏感的柵極氧化層。

描述了在ESD脈沖侵入的前幾納秒內(nèi)，MOSFET晶體管的敏感柵極氧化層被過電壓破壞的情況。 失效場(chǎng)景發(fā)生在非常敏感的柵極氧化層上。

時(shí)域電壓評(píng)估見下圖：藍(lán)色曲線顯示了過電壓發(fā)生在IC內(nèi)部I/O引腳，紅色曲線表示外部ESD保護(hù)器件的壓降，虛線黑色定義IC絕對(duì)電壓限值。

第二種，IC內(nèi)部功耗。

系統(tǒng)會(huì)遭受由于流經(jīng)IC內(nèi)部ESD保護(hù)組件的大電流產(chǎn)生的高功耗而導(dǎo)致的熱損壞。

時(shí)域電流評(píng)估見下圖：藍(lán)色曲線為流過IC內(nèi)部ESD保護(hù)器件的電流，紅色曲線為流過外部ESD保護(hù)器件的電流，黑線虛線為穩(wěn)態(tài)狀態(tài)下IC電流限制值。

所以ESD保護(hù)器件應(yīng)當(dāng)非?？斓貙?dǎo)通，并且導(dǎo)通電阻(動(dòng)態(tài)電阻)盡可能地低。 此外，其ESD保護(hù)器件寄生電感包括PCB銅線寄生電感應(yīng)盡可能低。

系統(tǒng)高效ESD設(shè)計(jì)

系統(tǒng)高效ESD設(shè)計(jì)(SEED, system efficient ESD design)方法可用于支持工程師建模電子系統(tǒng)并仿真其ESD條件下的行為。 暫態(tài)系統(tǒng)分析可用于預(yù)測(cè)開發(fā)階段系統(tǒng)級(jí)ESD健壯性，并有助于最小化開發(fā)周期及降低成本。

有兩種方法建模系統(tǒng)中芯片模型。 一種是SPICE(Simulation program with integrated circuit emphasis)模型，是晶體管級(jí)別的電路描述，是描述物理元素的模型，它包含半導(dǎo)體器件內(nèi)所有電路描述的詳細(xì)信息。 另外一種是行為(behavior)模型，避免了復(fù)雜物理工藝的描述，不包含芯片設(shè)計(jì)廠家專有數(shù)據(jù)。 此外，還需要增加分立器件，及描述PCB銅軌跡線特征的傳輸線模型等。 其中TLP(transmission line pulse)模型即是其中一種行為模型。

TLP(傳輸線脈沖)測(cè)試

TLP是一種相對(duì)較新的測(cè)量技術(shù)，用于表征完整接口或ESD保護(hù)組件的特性。

TLP是50 Ω受控阻抗環(huán)境中的短時(shí)矩形脈沖，可提高測(cè)試準(zhǔn)確度和測(cè)量再現(xiàn)性。 TLP能夠表征具有短脈沖寬度和快上升時(shí)間的承壓電應(yīng)力設(shè)備的性能特性。 低占空比可防止發(fā)熱。

如下圖顯示的TLP測(cè)試環(huán)境所述：發(fā)生器以預(yù)先調(diào)節(jié)的電壓為50 Ω?jìng)鬏斁€充電。 開關(guān)閉合，能量應(yīng)用于被測(cè)器件(DUT)。 進(jìn)入被測(cè)器件的電流通過電流探針進(jìn)行測(cè)量，而被測(cè)器件上的電壓則使用高速示波器進(jìn)行監(jiān)測(cè)。 脈沖長(zhǎng)度、上升時(shí)間和下降時(shí)間可在發(fā)生器上更改。 施加標(biāo)準(zhǔn)脈沖的持續(xù)時(shí)間通常為100ns，上升時(shí)間和下降時(shí)間分別為10ns。 最小可設(shè)置轉(zhuǎn)換時(shí)間為300ps。

TLP測(cè)試以預(yù)定義的步寬從低脈沖電壓到更高電壓逐步開始執(zhí)行。 如下圖中描繪的TLP測(cè)量電壓和電流跡線所示，電壓和電流采樣以20 ns時(shí)間窗取平均值。 這段時(shí)間窗在100 ns測(cè)試脈沖內(nèi)的70 ns到90 ns間，通過這種基于時(shí)間窗的方法可消除噪聲的影響。 此外，時(shí)間窗的位置確保系統(tǒng)穩(wěn)定，從而消除過沖等影響。 每個(gè)測(cè)量結(jié)果都成為TLP圖上的一個(gè)點(diǎn)，顯示TLP I-V特性，即構(gòu)成TLP曲線。

TLP曲線ΔV/ΔI的陡峭度即是動(dòng)態(tài)電阻R 戴恩 ，在選擇ESD和浪涌保護(hù)器件時(shí)，這是一個(gè)重要的考慮參數(shù)。

TLP測(cè)試可對(duì)ESD保護(hù)器件及完整系統(tǒng)的接口引腳執(zhí)行。 根據(jù)產(chǎn)生的TLP曲線，我們可以總結(jié)出哪個(gè)保護(hù)器件適合用來安全可靠地保護(hù)產(chǎn)品。

基本系統(tǒng)高效ESD設(shè)計(jì)

下圖顯示了基于TLP行為模型的基本系統(tǒng)高效ESD設(shè)計(jì)建模(仿真)。

擴(kuò)展系統(tǒng)高效ESD設(shè)計(jì)

如果EM(Electro magnetic 電磁)掃描工具可以使用，則如下圖所示EMC設(shè)計(jì)方法擴(kuò)展系統(tǒng)高效ESD設(shè)計(jì)。 其可以覆蓋由于低注入電流及電磁輻射等其它電磁問題造成的軟故障。

系統(tǒng)級(jí)與元件級(jí)ESD脈沖

TLP(傳輸線脈沖)，

器件級(jí)別人體放電模型component-level HBM (JEDEC/ESDA JS-001)，

系統(tǒng)級(jí)別人體放電模型system-level HBM (IEC 61000-4-2)，

電流脈沖波形圖示如下。

圖中顯示三種脈沖有著完全不同脈沖源阻抗，但是其電流脈沖(波形)有著相似的上升時(shí)間和持續(xù)時(shí)間。 所以TLP傳輸線脈沖行為模型很有用，因?yàn)樗哂蓄愃朴谙到y(tǒng)級(jí)別人體放電模型IEC 61000-4-2 ESD沖擊的特征。 所以TLP不止用于表征器件完整接口特性，也用于表征ESD保護(hù)組件的特性。

下圖把IEC 61000-4-2 8KV電流波形與TLP 8A及16A電流波形放在同一坐標(biāo)圖中，則凸顯了TLP的上升時(shí)間及持續(xù)時(shí)間與系統(tǒng)級(jí)別人體放電模型的相似性。 實(shí)際上對(duì)應(yīng)于芯片內(nèi)部或外部ESD保護(hù)器件的作用時(shí)間及耗散能量。

因此，甚至有人在工程估算中將TLP電流與IEC ESD相關(guān)聯(lián):

2kV IEC 沖擊 = 4A TLP。

4kV IEC 沖擊 = 8A TLP。

6kV IEC 沖擊 = 12A TLP。

8kV IEC 沖擊 = 16A TLP。

有了這些信息，可以從下圖器件ESD122 TLP響應(yīng)曲線推斷，在8kV IEC 61000-4-2 ESD沖擊期間，器件ESD122將具有約13.5V的鉗位電壓。 換句話說，當(dāng)8kV IEC沖擊發(fā)生時(shí)，您可以預(yù)期后續(xù)電路暴露在13.5V下約100ns。

ESD工程估算設(shè)計(jì)舉例

下面例子摘抄于TI網(wǎng)站技術(shù)博文。

需求：

選擇一個(gè)合適的ESD二極管來保護(hù)在19V傳輸線脈沖(TLP)下失效的USB2.0系統(tǒng)。

選擇過程：

USB 2.0差分信號(hào)的電壓范圍約為0至3.6V，因此您要確保器件的VRWM大于等于3.6V。

USB 2.0帶寬最高可達(dá)480Mbps，因此您需要選擇具有適當(dāng)電容的器件來保持信號(hào)完整性。

您需要滿足IEC 61000-4-2 4級(jí)法規(guī)，因此ESD二極管必須額定至少支持8kV接觸放電和15kV氣隙放電。

16A TLP的ESD二極管的鉗位電壓必須小于19V，因?yàn)橄到y(tǒng)將在19V時(shí)失效。

解決方案：

器件TPD1E04U04是一個(gè)很好的解決方案，因?yàn)樗鼭M足如下所有這些要求。

這是一個(gè)單向ESD二極管，其VRWM為3.6V。

它具有0.5pF的低電容。

它支持IEC 61000-4-2額定值16KV接觸和16kV氣隙放電。

在16A TLP脈沖下，鉗位電壓為9V。

盡管在許多器件規(guī)格書中沒能找到TLP失效電壓，但這個(gè)例子基本上給出了一些ESD防護(hù)器件選擇原理，特別是假設(shè)器件廠家給出這一數(shù)值情況下。 或是采用絕對(duì)最大電壓限制值作為設(shè)計(jì)輸入，盡管這樣會(huì)過設(shè)計(jì)。

許多器件僅包含器件級(jí)別HBM和CDM模型標(biāo)準(zhǔn)ESD額定電壓值，但這些數(shù)值僅僅能夠工程估算TLP失效電流，不能完全描述器件內(nèi)部ESD防護(hù)特性。

總結(jié)

簡(jiǎn)單介紹系統(tǒng)高效ESD設(shè)計(jì)。