用于空間應用的高可靠性功率MOSFET簡介

隨著空間系統(tǒng)開發(fā)人員不斷努力減小關鍵模塊和元件的尺寸、重量和功率，他們還需要更高性能、抗輻射和耐輻射的組件來增強系統(tǒng)設計。新技術，例如更輕、集成度更高的衛(wèi)星電機控制電路，可以承受極端空間環(huán)境并優(yōu)化航天器性能。

LX7720航天器電機驅動器經過設計，經過抗輻射處理。它是空間現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA）的配套集成電路（IC），例如Microchip的RTG4? FPGA和RT PolarFire? FPGA，或空間微控制器（MCU），例如Microchip的SAMRH71F20或SAMRH707F18。LX7720 中集成了電流檢測、旋轉變壓器、編碼器和霍爾效應編碼器接口，減少了電路板空間和重量，同時提高了使用線圈電流反饋和轉子位置傳感的閉環(huán)電機控制的可靠性。

Microchip的新型JANSR N溝道金屬氧化物硅場效應晶體管（MOSFET）（MIL-PRF-19500/746）在我們位于北美的科羅拉多斯普林斯工廠生產。該系列目前提供從 JANSR2N7587U3 （100V DS） 到 JANSR2N7593U3 （250VDS） 的四個器件。該 MOSFET 系列超過 100 krad TID，采用 SMD-0.5 密封封裝，可針對嚴格的 GEO 和 MEO 任務。塑料包裝還計劃降低LEO和New Space應用的成本。

圖1.SMD-0.5 密封功率 MOSFET 產品系列

LX7720MLF-EVB電機控制器評估板支持通用塑料DPAK表面貼裝功率MOSFET封裝。LX7720的四個半橋標配的八個NFET是DPAK中的IRFR3410TRPBF（100V，31A，最大39mΩ@VGS=10V），安裝在印刷電路板（PCB）頂部。

該 PCB 的底部包括 0 個用于 SMD-5.10 封裝的并行封裝，以便直接評估高可靠性 NFET。并聯(lián)元件包括<>個NFET和<>個柵極-源極電阻（典型值為<>kΩ），用于四個半橋，如下所示。

圖3.在LX0MLF-EVB PCB底面上安裝SMD-5.7720 NFET和柵極電阻器

對于每個替代SMD-0.5半橋，需要禁用相應的DPAK半橋。這是通過移除將DPAK NFET連接到其柵極驅動器的0Ω電阻來實現(xiàn)的。每個DPAK連接一個10kΩ柵極-源極電阻，以確保任何斷開的NFET保持安全關閉狀態(tài)。

審核編輯：郭婷