1、什么是磁傳感器？

磁傳感器通常是指將磁場的大小和變化轉(zhuǎn)換成電信號。

磁場，以地球磁場(地磁)或磁石為例的磁場是我們熟悉但不可見的現(xiàn)象。將不可見的磁場轉(zhuǎn)化為電信號，以及轉(zhuǎn)化為可見效應的磁傳感器一直以來都是研究的主題。

從幾十年前使用電磁感應效應的傳感器，到如今涉及磁場電效應、磁阻效應、約瑟夫森效應和其他物理現(xiàn)象的應用。

2、典型磁傳感器及其應用

現(xiàn)在，利用各種物理效應的傳感器已經(jīng)商業(yè)化。以下，我們將重點介紹最常用的磁傳感器類型及其應用。

【MR 傳感器元件】

MR傳感器元件是利用磁阻效應(MR效應)的磁傳感器元件。有許多使用不同工作原理的 MR 傳感器類型。

MR效應是電阻隨磁場變化而變化的現(xiàn)象。這種效應發(fā)生在磁性物料(例如鐵、鎳或鈷)中。

在理解MR 效應之前需要先了解電子自旋，以及洛倫茲力如何利用電子電荷起作用。

當電子在鐵磁物料(具有一定磁性的物料)中運動時，電子的自旋發(fā)生波動，(電子)在磁性物料中的散射概率就會上升或下降。這就是導致 MR 效應的原因。

電子有兩個重要參數(shù)：電荷和自旋。它們具有相同的負電荷，但電子自旋有兩種：向上自旋和向下自旋。1922年通過實驗驗證了電子自旋，并確認了電子具有電子角動量和磁矩特征。

當電子通過導電物料時，它們會發(fā)生散射(電子散射)。電子散射是物料中的靜電導致電子偏離其正常軌跡的現(xiàn)象。

洛倫茲力是一種當導電物料中的移動帶電粒子(電子)暴露于磁場時所起作用的力。它影響所有帶電粒子并且不依賴于電子自旋。

【AMR 傳感器元件】

1856年，William Thomson通過觀察放置于外部磁場中的鐵磁物料，發(fā)現(xiàn)了各向異性磁阻效應(AMR效應)。

當鐵磁物料中的磁化方向與電流平行時，電子軌道就會垂直于電流，從而產(chǎn)生最大電阻。這增加了依賴于自旋的散射，導致電阻上升。

當磁化方向垂直于電流時，電子軌道就會與電流平行，減少了依賴于自旋的散射，并產(chǎn)生最小電阻。

由磁場狀態(tài)引起的電阻變化率稱為磁阻比率(MR比率)。AMR 傳感器元件的 MR 比率約為 5%。AMR傳感器元件由于結構簡單，常用于磁性開關和旋轉(zhuǎn)傳感器。

【TMR 傳感器元件】

常溫下的隧道磁阻效應(TMR 效應)是日本東北大學Terunobu Miyazaki教授于 1995 年發(fā)現(xiàn)的。TMR 傳感器元件是利用 TMR 效應的磁傳感器元件，是由極薄的納米級非磁性絕緣層夾在兩個鐵磁層中間構成。電子隧道通過絕緣層從一個鐵磁層穿到另一個鐵磁層。這是一種量子力學現(xiàn)象。（買電子元器件就上唯樣商城）

當兩種鐵磁物料的磁化方向平行時電阻減小，不平行時電阻增大。

TMR 交界處的 MR 比率(電阻隨磁場狀態(tài)的變化率)在生產(chǎn)中可達到 100% 以上。在實驗室條件下，已達到 1,000% 以上的水平。

由于具有高靈敏度，TMR 傳感器元件非常適合用于硬盤磁頭或高靈敏度旋轉(zhuǎn)角度傳感器。

【霍爾元件】

霍爾元件是霍爾效應的一種應用。Edwin H. Hall于1879年發(fā)現(xiàn)的霍爾效應證明了洛倫茲力會產(chǎn)生與電流和磁場方向成直角的電壓。該電壓稱為霍爾電壓，根據(jù)Fleming左手法則，電壓的方向隨磁通量的方向而變化。電壓的大小和方向(正、負)使得檢測磁場(N極、S極)的大小和方向成為可能。

霍爾元件的磁靈敏度不如磁阻傳感器元件。但作為不依賴于磁性物料的磁傳感器，可以在鐵磁場或惡劣環(huán)境下使用，因此可用作電流傳感器或各種磁性開關。

3、ABLIC的磁傳感器

ABLIC 現(xiàn)在提供由硅霍爾元件和信號處理電路構成的霍爾效應傳感器和 TMR 傳感器IC，同樣地融合了信號處理電路。

我們能提供適合您的應用和環(huán)境需求的理想產(chǎn)品。

ABLIC致力于打造一個安全宜居的社會，通過我們的技術，利用我們的傳感器元件的優(yōu)勢，提出并提供磁傳感器解決方案。

審核編輯：湯梓紅