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晶圓廠,搶攻成熟制程

濾波器 ? 來(lái)源:經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào) ? 2023-05-10 09:59 ? 次閱讀

美國(guó)鼓吹下,半導(dǎo)體設(shè)備大廠阿斯麥(ASML)母國(guó)荷蘭今夏有意擴(kuò)大限制部分芯片制造設(shè)備出口范圍,日本也跟進(jìn),將對(duì)23種先進(jìn)芯片制造技術(shù)實(shí)施出口限制措施,業(yè)界認(rèn)為,此舉讓大陸晶圓代工廠發(fā)展先進(jìn)制程無(wú)望,預(yù)料將全力猛攻成熟制程,聯(lián)電、世界、力積電等臺(tái)廠面臨更大的競(jìng)爭(zhēng)壓力。

綜合外媒近期報(bào)導(dǎo),荷蘭準(zhǔn)備加大限制部分芯片制造設(shè)備出口到中國(guó)大陸,亦即艾司摩爾生產(chǎn)的機(jī)臺(tái),從原先規(guī)范用于先進(jìn)制程的極紫外光(EUV)設(shè)備,延伸到部分成熟制程用的深紫外光(DUV)設(shè)備,最快今年夏天揭露細(xì)節(jié)。

日本也傳出有意跟進(jìn)擴(kuò)大對(duì)陸銷(xiāo)售半導(dǎo)體設(shè)備的措施,包括東京威力科創(chuàng)(Tokyo Electron)在內(nèi)的約十家日企,若要出口晶圓制造、晶圓清洗、沉積、回火(annealing)、微影、蝕刻和測(cè)試等設(shè)備時(shí),必須先取得許可。

業(yè)界研判,隨著美、日、荷聯(lián)手?jǐn)U大限制中國(guó)大陸取得關(guān)鍵半導(dǎo)體制造機(jī)臺(tái),將使得大陸晶圓代工廠再也無(wú)法發(fā)展先進(jìn)制程,只能藉由既有設(shè)備持續(xù)擴(kuò)大成熟制程能量,透過(guò)良率提升、產(chǎn)能去瓶頸優(yōu)化等方式爭(zhēng)取訂單,隨著陸企全力沖刺成熟制程發(fā)展,聯(lián)電、世界、力積電等臺(tái)廠競(jìng)爭(zhēng)壓力更大。

因應(yīng)陸企相關(guān)策略,臺(tái)灣晶圓代工廠積極出招因應(yīng)。以聯(lián)電為例,主要鎖定車(chē)用領(lǐng)域,并強(qiáng)化特殊制程發(fā)展。

聯(lián)電先前在法說(shuō)會(huì)上表態(tài),即使主要終端市場(chǎng)需求疲弱,旗下車(chē)用和工業(yè)產(chǎn)品依持續(xù)成長(zhǎng),特別是車(chē)用業(yè)務(wù)首季營(yíng)收貢獻(xiàn)達(dá)17%,在汽車(chē)電子化和自動(dòng)駕駛驅(qū)動(dòng)下,正向看待車(chē)用IC含量持續(xù)增加,車(chē)用產(chǎn)品將是公司未來(lái)重要營(yíng)收來(lái)源和成長(zhǎng)主動(dòng)能,聯(lián)電會(huì)同步強(qiáng)化與關(guān)鍵車(chē)用客戶(hù)的長(zhǎng)約合作。

力積電方面,為強(qiáng)化整合邏輯、記憶體代工獨(dú)特優(yōu)勢(shì),投入開(kāi)發(fā)邏輯芯片與記憶體芯片垂直異質(zhì)疊合(Hybrid Bonding)制程,適用于3D結(jié)構(gòu)的超高頻寬DRAM,并與數(shù)家設(shè)計(jì)公司合作開(kāi)發(fā)超高效能與超低能耗AI應(yīng)用芯片。

世界先進(jìn)部分,去年于8吋0.35微米650 V的新基底高電壓氮化鎵制程(GaN-on-QST),已在客戶(hù)端完成首批產(chǎn)品系統(tǒng)及可靠性驗(yàn)證,正式進(jìn)入量產(chǎn),同時(shí)已和海內(nèi)外整合元件廠(IDM)及IC設(shè)計(jì)公司展開(kāi)合作。

臺(tái)灣晶圓代工廠投資不停歇

面對(duì)半導(dǎo)體庫(kù)存調(diào)整狀況不如預(yù)期與陸企發(fā)展成熟制程來(lái)勢(shì)洶洶,聯(lián)電、力積電等臺(tái)灣晶圓代工廠沉著應(yīng)戰(zhàn),購(gòu)置設(shè)備的動(dòng)作持續(xù)進(jìn)行。聯(lián)電今年以來(lái)已斥資242.51億元添購(gòu)新設(shè)備沖刺技術(shù),新加坡擴(kuò)廠也不停歇;力積電也持續(xù)向科林研發(fā)(Lam Research)等設(shè)備大廠購(gòu)買(mǎi)設(shè)備強(qiáng)化競(jìng)爭(zhēng)力。

業(yè)界指出,目前多數(shù)臺(tái)灣晶圓代工廠仍維持今年資本支出計(jì)畫(huà)不變,希望在市況低迷之際仍持續(xù)儲(chǔ)備能量,迎接景氣反轉(zhuǎn)。

以聯(lián)電為例,今年首季資本支出約9.98億美元,雖然季減14.33%,但仍較去年同期大增1.46倍。聯(lián)電預(yù)估,今年資本支出維持30億美元不變,其中九成用于12吋產(chǎn)能,其余用于8吋產(chǎn)能。隨著南科Fab 12A廠區(qū)新產(chǎn)能開(kāi)出,本季晶圓產(chǎn)能估約263萬(wàn)片8吋約當(dāng)晶圓,季增4.12%,年增3.88%。

力積電方面,今年資本支出約18.9億美元,其中77%用于銅鑼新廠,20%用于銅鑼廠以外的12吋廠,3%用于8吋廠。至于銅鑼新廠最新進(jìn)展,力積電規(guī)劃廠房潔凈室及廠務(wù)設(shè)施預(yù)估第3季中完成,并取得使用執(zhí)照,年底應(yīng)該可以完成8,500片試產(chǎn)線(xiàn)建置。

審核編輯 :李倩

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原文標(biāo)題:晶圓廠,搶攻成熟制程

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