一、自舉電路核心原理
電容兩端電壓不能突變:
根據(jù)電容公式,i=C*du/dt,得知du/dt=i/C,故電容兩端電壓從0升到VDD時(shí),取決于電流和電容的比值。 容值一定時(shí),電流越大,電壓上升越快; 電流一定時(shí),容值越小,電壓上升越快。
二、簡(jiǎn)單的自舉電路模型
只有一個(gè)6V電源,但是想要輸出12V電壓,就可以應(yīng)用自舉電路。 下圖二極管D1和電容C1就構(gòu)成了自舉電路。
1.A狀態(tài)為電容充電狀態(tài),此時(shí)開(kāi)關(guān)A閉合,開(kāi)關(guān)B斷開(kāi),Q1導(dǎo)通,C1負(fù)極與地導(dǎo)通,電流從電源VDD出發(fā),通過(guò)D1,經(jīng)過(guò)C1,經(jīng)過(guò)Q1,再流回D電源VDD。 達(dá)到穩(wěn)態(tài)后,電容上端對(duì)地電壓為6V,下端對(duì)地電壓為0V.
2.當(dāng)開(kāi)關(guān)B閉合,開(kāi)關(guān)A斷開(kāi),Q1截止,電容下端電壓與電源正極直連,此時(shí)電容下端對(duì)地電壓等于電源正極對(duì)地電壓為6v。 由于電容兩端電壓不能突變,電容上端相對(duì)電容下端電壓為6v,電容下端相對(duì)地電壓為6v,所以電容上端相對(duì)地電壓為12v。 由于D1的反向截止作用,使得電容上端對(duì)地可以保持12v。
3.在實(shí)際模型中,由于反向二極管和MOS管均存在微弱的漏電,自舉電路需要不斷切換狀態(tài)來(lái)對(duì)自舉電容充放電來(lái)保證電壓長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定。 自舉電路的供電能力取決于自舉電容的大小。
三、自舉電路在高電壓柵極驅(qū)動(dòng)電路中的應(yīng)用
當(dāng)Vs降低到IC電源電壓VDD或下拉至地時(shí)(低端開(kāi)關(guān)導(dǎo)通,高端開(kāi)關(guān)關(guān)斷),電源VDD通過(guò)自舉電阻RBOOT和自舉二極管DBOOT對(duì)自舉電容CBOOT進(jìn)行充電,如下圖紅色所示。 當(dāng)Vs被高端開(kāi)關(guān)上拉到一個(gè)較高電壓時(shí),此時(shí)VBS電源浮動(dòng)(Q1導(dǎo)通,VB電位=Vs+VDD,Vgs>Vgs(th)),自舉二極管處于反向偏置,軌電壓(低端開(kāi)關(guān)關(guān)斷,高端開(kāi)關(guān)導(dǎo)通)和IC電源電壓VDD被隔離開(kāi)。
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